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公开(公告)号：KR1019990000230A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970022975
申请日：1997-06-03
IPC: H01S5/227
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100155513B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950042601
申请日：1995-11-21
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절율이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제2도� ��형의 제2클래드층과 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제1 및 제2도전형 전극을 포함한다.
따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100121330B1
公开(公告)日：1997-11-11
申请号：KR1019930027621
申请日：1993-12-14
IPC: H01S5/022
Abstract: The single mode semiconductor laser module applied for an optical telecommunication system is provided. The laser module includes: a sub-module comprising a TO package(8) having multiple output terminals(23); and cylindrical stainless steel housings(13, 14, 15) fixed to each other by welding, for housing a DFB-LD(9), a monitor photo-diode(11), a ball lens(3) for irradiating parallel beams, an isolator(5) for shutting off feedback light beams, a green lens(6) for concentrating the parallel beams, and a pigtail optical fiber(7); and a hybrid substrate(17) connected to the output terminals(23) of the TO package(8) of the sub-module. The hybrid substrate(17) is received in a butterfly package(4) having an selected impedance and is sealed by using a pedestal(18) between the sub-module and TEC(1).
Abstract translation: 提供了应用于光通信系统的单模半导体激光器模块。 激光模块包括：子模块，其包括具有多个输出端子（23）的TO封装（8）; 和通过焊接彼此固定的圆柱形不锈钢外壳（13,14,15），用于容纳DFB-LD（9），用于照射平行光束的监视器光电二极管（11），球透镜（3）， 用于关闭反馈光束的隔离器（5），用于聚焦平行光束的绿色透镜（6）和尾纤光纤（7）; 以及连接到子模块的TO封装（8）的输出端子（23）的混合基板（17）。 混合基板（17）被接收在具有所选阻抗的蝶形封装（4）中，并且通过使用子模块和TEC（1）之间的基座（18）来密封。
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公开(公告)号：KR1019970011147B1
公开(公告)日：1997-07-07
申请号：KR1019930027020
申请日：1993-12-09
Abstract: The method is for fabricating a high speed light receiving module for a laser welding in light telecommunication. The method includes the steps of: attaching a pre-amplifier substrate(12) within a metal case(11) and simultaneously die-bonding and wire-bonding a photo diode(14) on a ceramic submount(13); wire-bonding the submount(13) to the pre-amplifier substrate(12) within the metal case(11); inserting an optical fiber ferrule housing(17) into an assembly housing(16) to be aligned with the metal case(11); firstly welding the optical fiber ferrule housing(17) with the assembly housing(16) after fine alignment; secondly welding the assembly housing(16) with the metal case(11) after fine alignment.
Abstract translation: 该方法用于制造用于光通信中的激光焊接的高速光接收模块。 该方法包括以下步骤：将金属外壳（11）内的前置放大器基板（12）连接在陶瓷基座（13）上并同时将光电二极管（14）引线接合和引线接合; 在金属外壳（11）内将基座（13）引线接合到前置放大器基板（12）; 将光纤套圈壳体（17）插入到与金属壳体（11）对准的组件壳体（16）中; 首先在精细对准之后将光纤套圈壳体（17）与组件壳体（16）焊接; 第二次在精细对准之后将组件壳体（16）与金属壳体（11）焊接。
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公开(公告)号：KR1019970004186A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는,리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960013958B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930027622
申请日：1993-12-14
IPC: H04B10/60
Abstract: The method for manufacturing high speed photo diode module comprises the steps of: connecting an Au line to a portion by die bonding ofsoldering a photo diode(PD;14) on a ceramic sub-mount(13) and soldering the sub-mount(13) inside a PD base(26); attaching a hybrid substrate(12) in a metal case(11) for module and fixing an external terminal pin(23) using a teflon ring; inserting a GRIN rod lens(18), a spacer(19) and a fiber ferrule(20) into a fiber ferrule housing(17) in sequence after inserting the optical fiber(21) into the fiber ferrule(20); aligning for a light to be incident into the photo diode(14); forming a sub-module; and wire-bonding of the sub-mount(13) and a pre-amplifier.
Abstract translation: 制造高速光电二极管模块的方法包括以下步骤：通过在陶瓷子座（13）上焊接光电二极管（PD; 14）并焊接子座（13），通过芯片接合将Au线连接到部分 ）在PD基座（26）内; 将混合基板（12）安装在用于模块的金属壳体（11）中并且使用特氟隆环固定外部端子销（23）; 在将光纤（21）插入到光纤套管（20）中之后，依次将光栅棒透镜（18），间隔件（19）和光纤套圈（20）插入到光纤套圈壳体（17）中。 对准入射到光电二极管（14）中的光; 形成子模块; 以及子安装座（13）和前置放大器的引线接合。
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公开(公告)号：KR1019960027104A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036367
申请日：1994-12-23
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 회절격자 구조를 변형시켜 광통신용 분포 궤환형 레이저다이오드 성능을 향상시킬 수 있는 분포 궤환형 레이저다이오드에 관한 것으로, λ/4 위상천이 레이저다이오드의 문제점을 해결하기 위하여 소정의 적절한 위치에 소정의 적절한 수치의 위상천이를 수행함으로써 곁모드 억제율 향상과, 발진 파장의 조절과, 공진기 내부 광자 분포의 조절과, 양 거울면 잔유반사의 영향 감소, 및 광출력 비율의 조절을 가능하게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021903A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027621
申请日：1993-12-14
IPC: H01S5/022
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에 사용되는 고속 반도체 레이저 모듈에 관한 것으로 특히 TO 패키지를 사용하여 원통형 구조를 가지는 하우징에 내장한 후 레이저 웰딩을 사용하여 제작하는 고속 광통신용 단일모드 반도체 레이저 모듈구조에 관한 것으로, 기존의 값싸고 저속 변조용으로 주로 사용되어 왔던 TO 패키지(8)에 DFB-LD(distributed feed back-laser diode) 및 모니터(monitor)용 포토다이오드(photp diode)(이하m-PD라 함)를 내장한 후 평행광 출사용 볼 렌즈(ball lens), 궤환광 차단용 광 아이소레이터(isolator), 평행광 집속용 그린렌즈(GRIN lens) 및 피그테일(pigtail) 광섬유 등의 주요 광학부품들을 각각의 실린더리칼 스테인레스 스틸 하우징(cylindrical stainless steel housing)(13,14,15)내에 넣어 원대칭(cylindrical symmetry)을 최대한 활용하여 레이저 웰딩 방법으로 서로 고정시켜 광학 연결을 하고 TO 패키지의 출력단자(23)와 버터플라이(butterfly) 패키지의 단자(24) 사이를 임피던스를 고려한 하이브리드(hybrid) 기판(17)을 사용하여 전기적인 연결을 수행하는 고속 광통신용 모듈구조 및 제작법에 대한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019940015600A
公开(公告)日：1994-07-21
申请号：KR1019920024463
申请日：1992-12-16
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광통신을 위한 광변조기의 집적 광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 두개의 격리된 다중양자우물구조 (Multi-Quantum-Well : MQW)층을 형성하고, 한개의 다중양자 우물구조층에 실리콘이온을 주입한 후, 열처리등의 공정을 통하여 양자우물구조의 무질서화를 통하여 양자우물구조가 본재 지니고 있던 광흡수 특성을 변화시켜 한번의 결정 성장으로 단일모드 반도체 레이저의 활성층과 광변조기의 광흡수 다중양자우물구조층을 분리시킨다.
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公开(公告)号：KR102230001B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020150148491
申请日：2015-10-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 포토닉크리스탈구조의대구경테라헤르츠발생장치는제1 방향으로확장된제1 라인패턴, 상기제1 라인패턴과연결되고상기제1 방향과교차된제2 방향으로확장된복수의제2 라인패턴들및 상기제1 라인패턴과연결되고상기제2 방향으로확장되고상기복수의제2 라인패턴들의사이에위치되고상기제2 라인패턴들에비해긴 길이를갖는복수의제3 라인패턴들을포함하는제1 전극; 및상기제1 방향으로확장된제4 라인패턴, 상기제4 라인패턴과연결되고상기제2 방향으로확장된복수의제5 라인패턴들및 상기제4 라인패턴과연결되고상기제2 방향으로확장되고상기복수의제5 라인패턴들의사이에위치되고상기제5 라인패턴들에비해긴 길이를갖는복수의제6 라인패턴들을포함하고, 상기제1 전극과마주하여배치된제2 전극을포함한다.
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