-
公开(公告)号：KR1019990070043A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004653
申请日：1998-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04B10/25
Abstract: 본 발명은 파장 분할 다중화방식(WDM)을 사용하는 광 전송 시스템의 교환기에서, 전송된 광 신호를 수신하여 전기적인 신호로 변환하는 다파장 역다중화와 필터링 기능을 함께 갖는 도파관형 광 검출기에 관한 것으로서, 전송된 광 신호를 입력하는 다중 파장 입력부와, 상기 다중 파장 입력부로부터 출력된 광 신호를 N개의 광 신호로 분할하는 1×N 다중파장 분할부와, 상기 1×N 다중파장 분할부로부터 분할되어 출력되는 광 신호를 각각 전송하는 N개의 광 도파로와, 상기 광 도파로를 통하여 전송되는 광 신호를 필터링하는 파장 필터부와, 상기 파장 필터부로부터 필터링된 광 신호를 검출하여 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 광 검출부로 구성된 광 검출기를 제공함으로써, 파장 역다중화 및 광 검출 과정에서 발생할 수 있는 광 손실 및 에러 요인들 을 감소시키고, 광 증폭 및 광 패키징 등의 부분을 줄일 수 있으므로 비용의 감소와 광 네트워크의 구성을 간소화할 수 있으며, 누화 현상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다
-
公开(公告)号：KR1019990027361A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049802
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/28
Abstract: 본 발명은 다중 모드 간섭계 및 회절격자를 이용한 파장 검출기에 관한 것으로, 특히 폭이 좁은 파장을 추출하여 파장에 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자들의 제어를 확실하게 할 수 있는 파장 검출기에 관한 것이다.
파장 분할 전송에서 많이 이용되고 있는 다중/역다중 방식은 광 도파로 격자를 사용하고, 아울러 매우 극소수로써 다중 모드 간섭계를 이용한 phasar(phased array)를 사용하고 있는 실정이다. 그러나 광도파로 격자를 사용하는 경우, 다중 파장에서 단일 파장을 검출하는데 입력된 빛의 세기가 매우 약하게 감쇄되는 단점과 그 구조의 복잡함으로 인하여 제조가 용이하지 않은 단점이 있다.
본 발명에서는 다중 모드 간섭계로 균등 분할된 광을 다중 회절격자를 사용하여 여러 파장 중에서 단일 파장을 검출한 후, 광들이 서로 위상차를 갖도록 함으로써 특정 포트로 출력된 파장을 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자에 입력 시킬 수 있는 파장 검출기를 제시한다.-
公开(公告)号：KR100155529B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950047435
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06E1/00
Abstract: 본 발명은 표면방출 레이저, 광논리소자 및 마이크로렌즈 어레이들을 수직으로 조밀하게 배열시키므로서 광의 경로를 극소화시킨 병렬 광논리처리 시스템에 관한 것으로, 광원과 광논리소자가 있는 기판을 통해 빛이 직선적으로 지나갈 수 있는 경로를 제공하고, 또한 빛이 직선적으로 진행하며 작동될 수 있는 광논리소자를 이용하므로서 빛이 경로를 변경시키는 부품을 배제시켜 집적효율을 높인 병렬 광논리처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
-
-
公开(公告)号：KR100146710B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940027168
申请日：1994-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 식각된 공진층의 표면을 전기적으로 비활성처리를 하기 위해 수소플라즈마 분위기에서 수소화처리하는 방법으로서, 본 발명에 의한 수소화 방법은 비교적 저온에서(100-300℃)에서 글로우 방전(glow discharge) 방법 등을 이용하여 수소플라즈마를 발생시키고 그 분위기에서 30분-2시간 가량 수직공진형 표면방출 레이저를 넣어 표면의 0.5∼1.0μm 깊이까지 수소가 들어가게 함에 특징이 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980065895A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001101
申请日：1997-01-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광전 소자에 관한 것으로, 이중장벽 구조를 갖는 공명투과 다이오드의 양자 상태간의 에너지 차이를 최대로 하기 위하여 에미터쪽의 간격층에 인듐비소를 단원자층의 두께로 형성함으로써 약한 세기의 빛에서도 삼각 우물의 두 양자 상태에 의한 공명투과 전류가 분리되어 나타나므로 빛으로 삼각 우물의 여기 상태에 의한 공명투과를 제어하여 광원으로 전기적 신호를 제어하는 스위칭 소자의 제작이 가능할 수 있는 광 제어 공명투과 다이오드가 제시된다.
-
公开(公告)号：KR1019980050461A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069284
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 본 발명은 문턱전류(threshold current)를 낮추려는 목적으로 표면방출 레이저(surface-emitting laser)의 공진기 측면에 금속막을 증착시킴으로써, 빛을 3차원 공간(three diemnsional cavity) 안에 속박시켜 광 이득을 높여주고, 또한 이 금속막에 전기장을 가하여 공진기 내로 전류주입을 조절함으로써 측면 누설전류를 줄여 결과적으로 문턱전류가 매우 낮은 특성을 얻을 수 있는 표면방출 레이저의와 그 제조방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR100138858B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940030098
申请日：1994-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 수직공진형 표면방출 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, AlAs/GaAs거울층에 Zn 확산으로 AlGaAs 조성혼합 영역이 형성되는 특징을 이용하여 식각된 거울층의 측면에 Zn을 확산시켜 고농도의 Zn 도핑영역과 조성혼합영역을 형성시킨다.
따라서 거울층의 측면을 따라 고농도의 p형 도핑영역이 형성되어 직렬저항이 감소되어 문턱전류와 문턱전압을 낮출 수 있으며, AlGaAs 조성혼합영역의 굴절률이 AlAs 보다 낮아 광학적 국한이 강화됨으로써 문턱전류를 낮게 할 수 있고 출력을 높게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970054537A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050516
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 반절연성 GaAs의 반도체 기판 상에 N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 버퍼층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제1간격층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제1장벽층, 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 우물층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제2장벽층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제2간격층, N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 접촉층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 버퍼층이 노출되도록 상기 접촉층 부터 버퍼층 까지 소정 부분을 건식 식각하여 메사 형태를 형성하는 공정과, 상기 버퍼층의 노출된 부분의 상부와 상기 접촉층 상부의 일측에 각각 제1 및 제2전극을 형성하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 절연막을 증착한 후 메사 상부의 제2전극 및 접촉층과 메사 하부의 제 1전극을 노출시키는 공정과, 상기 제2전극과 설연막을 마스크로 하여 상기 접촉층의 노출된 부분을 식각하고 상기 제1 및 제2전극 상에 도전성 금속을 증착하여 본딩 패드를 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 메사위에 형성된전극의 면적을 메사보다 작게하고전극이 형성되지 않는 접촉층을 부분적으로 식각하므로서 전압 강하의 차를 유도하여 전극이 형성된 영역과 형성되지 않은 영역의 이중 장벽 양자 우물 구조의 공명 투과 조건을 다르게 하여 간단하게 두개의 피크를 도출할 수 있어 고집적을 이룰 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019970051858A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950051484
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 광투과 기판을 사용한 병렬 광논리처리 시스템의 구조에 관한 것으로서, 빛을 발진하는 광투과형 표면 방출 레이저가 어레이로 배열된 레이저 어레이 기판과, 상기 레이저 어레이에서 발진된 빛이 평행해지도록 빛을 접속하는 마이크로 렌즈가 어레이로 배열된 마이크로 렌즈 어레이 기판과, 상기 마이크로 렌즈 어레이 기판을 투과한 빛을 논리 회로의 창문으로 투과시켜 데이터를 읽어 논리 기능을 수행하는 광논리 소자 어레이로 이루어진 다수 개의 단위 칩으로 이루어져 빛이 직선적으로 상기 각 기판을 투과하면서 논리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빛이 각 기판을 통해 직선적으로 투과되면서 진행되므로 빛의 경로를 최단 거리로 할 수 있으며, 빛이 레이저 어레이 기판을 투과하므로 투과 면적이 증가되어 단위 칩 사이의 빛의 진행 경로를 맞추기 위한 정렬이 용이하다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.021 seconds)
