公开(公告)号：KR1020100073070A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020080131655

申请日：2008-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  양우석 ,  조성목 ,  전상훈 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14669 ,  H01L27/14685

Abstract: PURPOSE: A non-cooling type infrared ray sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase the infrared absorptivity of a microbolometer by forming a dual absorption layer above/under a structure film for a microbolometer. CONSTITUTION: A reflecting layer(30) is formed on a substrate(10). A first absorption layer(60) is formed by being separated from the reflecting layer. A resistant layer(80) is formed on the first absorption layer. A second absorption layer(100) is formed on the resistant layer. An insulating layer which electrically insulates each layer is formed between the reflecting layer, the first absorption layer, the resistant layer, and the second absorption layer.

Abstract translation: 目的：提供一种非冷却型红外线传感器及其制造方法，通过在微电热计的结构膜的上方/下方形成双吸收层，来提高微电热计的红外线吸收率。 构成：在基板（10）上形成反射层（30）。 通过与反射层分离形成第一吸收层（60）。 在第一吸收层上形成有电阻层（80）。 第二吸收层（100）形成在电阻层上。 在反射层，第一吸收层，耐电介质层和第二吸收层之间形成绝缘层，该绝缘层电绝缘层。

公开(公告)号：KR1020100069484A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080128176

申请日：2008-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  박영삼 ,  윤성민 ,  정순원 ,  전상훈 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/148 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable device including a phase change layer and a manufacturing method thereof are provided to improve and increase the speed of a repeating record operating property using a phase transition phenomenon. CONSTITUTION: A first threshold switching layer(111) is connected to a first terminal. A phase change layer(121) is connected to the first threshold switching layer. A second threshold switching layer(123) is connected to the phase change layer. A second terminal is connected to the second threshold switching layer. A third terminal is connected to one-side part of the phase change layer. A fourth terminal is connected to the other side part of the phase change layer.

Abstract translation: 目的：提供一种包括相变层的非易失性可编程装置及其制造方法，以提高并提高使用相变现象的重复记录工作特性的速度。 构成：第一阈值开关层（111）连接到第一端子。 相变层（121）连接到第一阈值切换层。 第二阈值切换层（123）连接到相变层。 第二终端连接到第二阈值切换层。 第三端子连接到相变层的一侧部分。 第四端子连接到相变层的另一侧部分。

公开(公告)号：KR1020100069047A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080127604

申请日：2008-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전상훈 ,  류호준 ,  양우석 ,  조성목 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J5/02 ,  G01J5/022 ,  G01J5/024

Abstract: PURPOSE: A bolometer structure including a supplementation absorbing layer, a pixel for sensing infrared rays using the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve a processing yield by thinly forming the depth of a bolometer structure. CONSTITUTION: A first metal layer(410) is formed on the single-side of a temperature sensitivity type register(414). The first metal layer absorbs infrared rays. A second metal layer(416) is formed on the other side of the temperature sensitivity type register. The second metal layer outputs a resistance change of the temperature sensitivity type register to the outside. An insulating layer(412) is formed between the temperature sensitivity type register and the first metal layer.

Abstract translation: 目的：提供包括补充吸收层，用于感测使用其的红外线的像素的测辐射热计结构及其制造方法，以通过薄层地形成测辐射热计结构的深度来提高加工产率。 构成：第一金属层（410）形成在温度敏感型寄存器（414）的单面上。 第一金属层吸收红外线。 第二金属层（416）形成在温度敏感型寄存器的另一侧。 第二金属层将温度敏感度型寄存器的电阻变化输出到外部。 在温度敏感型寄存器和第一金属层之间形成绝缘层（412）。

公开(公告)号：KR100925483B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：KR1020070126806

申请日：2007-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조성목 ,  류호준 ,  양우석 ,  전상훈 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 본 발명은 폴리이미드 박막을 희생층으로 사용하는 멤스 구조체의 제작과정에 있어 엥커 공정시에 격자형태의 더미 패턴을 형성하여 균열을 방지하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 멤스 구조체 제조 방법은, (a) 기판을 형성하는 단계; 및 (b) 다수개의 비워진 영역이 구비된 형태의 희생층을 상기 기판 상에 형성하고, 상기 비워진 영역에 소자를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 희생층의 상기 각 비워진 영역들 사이에 적어도 일방향의 격자 홈들이 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제안된 방법을 이용함으로써 멤스 구조체의 균열 현상을 줄일 수 있으며 이를 이용하여 더욱 얇은 두께를 가지는 멤스 구조체를 제조하는 것이 현저히 용이해진다.
멤스, 폴리이미드, 희생층, 균열

公开(公告)号：KR100925214B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：KR1020070122577

申请日：2007-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양우석 ,  조성목 ,  류호준 ,  전상훈 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: H01L31/09

CPC classification number: G01J5/20

Abstract: 본 발명은 잡음 감소 및 온도 감지에 대한 정밀도가 향상된 볼로미터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 결정화도가 높은 단결정 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(Si
1-x Ge
x , x=0.2~0.5)으로 저항층을 형성함으로써, 종래의 비정질 실리콘 볼로미터에 비하여 1/f 잡음을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 적외선 센서의 온도 감지에 대한 정밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
볼로미터, 저항체, 단결정, 실리콘, 실리콘 게르마늄

公开(公告)号：KR1020090063371A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020070130698

申请日：2007-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조성목 ,  류호준 ,  양우석 ,  전상훈 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC classification number: G01J5/20 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0118 ,  G01J5/02 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024

Abstract: A MEMS infrared sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve a characteristic of the sensor by increasing an area of a senor unit by reducing the area occupied by a support arm. A sacrificial layer is formed on a substrate(10) including a reflective film. A step(12) for a support arm structure of the three-dimensional structure is formed. An anchor(13) is patterned in a lower part of the step. A lower protective film(14) is deposited in the front side of the sacrificial layer. A contact hole(15) is formed in the lower protective film. An electrode(16) is formed on the lower protective film of the support arm structure. A sensor material(17) is deposited in the front side of the sacrificial layer. An upper protective film(18) is deposited in the front side of the sacrificial layer. A path(19) of the etchant material is formed by patterning the upper protective film.

Abstract translation: 提供了一种MEMS红外传感器及其制造方法，通过减小支撑臂占据的面积来增加传感器单元的面积来提高传感器的特性。 在包括反射膜的基板（10）上形成牺牲层。 形成用于三维结构的支撑臂结构的台阶（12）。 锚（13）在台阶的下部被图案化。 在牺牲层的前侧沉积下保护膜（14）。 在下保护膜中形成接触孔（15）。 电极（16）形成在支撑臂结构的下保护膜上。 传感器材料（17）沉积在牺牲层的前侧。 在牺牲层的前侧沉积上保护膜（18）。 蚀刻剂材料的路径（19）通过图案化上保护膜而形成。

公开(公告)号：KR1020090055766A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020070122577

申请日：2007-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양우석 ,  조성목 ,  류호준 ,  전상훈 ,  유병곤 ,  최창억

IPC: H01L31/09

CPC classification number: G01J5/20

Abstract: A bolometer and a manufacturing method thereof are provided to reduce 1/f noise and improve the sense accuracy of an infrared sensor by forming a resistance layer with a single-crystal silicon and silicon-germanium. A semiconductor substrate(210) comprises a detection circuit inside it, and a reflective film(214) is built up in a partial region on the surface of the semiconductor substrate. A metal pad(212) is formed at both sides of a reflective film by a certain space, and a sensor structure(230) is formed on the substrate while being separated from the surface of the reflective film by lambda/4 of an infrared. A sensor structure comprises a body part including a resistance layer(234) composed of the single-crystal silicon having a doped impurity or a silicon-germanium.

Abstract translation: 提供测辐射热计及其制造方法以通过形成具有单晶硅和硅 - 锗的电阻层来降低1 / f噪声并提高红外传感器的感测精度。 半导体衬底（210）包括其内部的检测电路，并且反射膜（214）被构建在半导体衬底的表面上的部分区域中。 金属焊盘（212）通过一定的空间形成在反射膜的两侧，并且传感器结构（230）形成在基板上，同时通过λ/ 4的红外线与反射膜的表面分离。 传感器结构包括主体部分，其包括由具有掺杂杂质的单晶硅或硅 - 锗构成的电阻层（234）。