-
公开(公告)号：KR101183972B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080127604
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 본 발명은 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 볼로미터 구조체의 대칭적 적층 구조를 구현함으로써 스트레스에 둔감한 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 적외선 감지용 픽셀은, 내부에 신호 취득 회로(Read-Out Integrated Circuit; ROIC)가 포함되어 있으며, 적외선 반사를 위한 반사층이 적층된 기판; 상기 기판으로부터 간격을 두고 형성되며, 온도 감응형 저항체, 상기 온도 감응형 저항체의 일면에 패턴을 가지고 형성되는 제 1 금속층, 적외선을 보완적으로 흡수하기 위하여 상기 온도 감응형 저항체의 타면에 상기 제 1 금속층과 상보적인 패턴으로 형성되는 제 2 금속층 및 상기 온도 감응형 저항체와 상기 제 1 금속층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 볼로미터 구조체; 및 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층에서 흡수된 적외선에 따른 상기 온도 감응형 저항체의 저항 변화를 상기 제 2 금속층으로부터 입력받아 상기 신호 취득 회로로 전달하는 금속 패드를 포함한다.
그럼으로써, 향상된 응답도를 기대할 수 있으며, 스트레스에 강한 구조 및 간단한 구조를 구현할 수 있고, 이로 인한 공정 수율의 향상을 도모할 수 있고, 그 부피를 줄임으로써 응용되는 제품의 부피, 무게 및 가격 등의 감소 효과를 기대할 수 있다.
볼로미터, 적외선 센서, 온도 감응 저항체-
公开(公告)号：KR1020110073199A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100052234
申请日：2010-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/96 , H03K19/0175 , G06F3/044 , H03K17/955
CPC classification number: H03K17/962 , G06F3/044 , H03K17/955 , H03K19/0175
Abstract: PURPOSE: An interface circuit for a static capacitive touch-sensitive sensor is provided to simultaneously obtain the high sensitivity and the analog digital conversion characteristic by arranging a complementary metal oxide semiconductor oscillator, a logic gate, and a D-flipflop in the circuit. CONSTITUTION: An oscillator part(110) outputs a first signal(QS') with a cycle in proportion to the change of the static capacitance of a touch-sensitive panel. A down counterpart(120) includes a plurality of serially connected first D-flipflops. Each clear input terminal of a first D-flipflop receives an enable signal. A latch part(130) includes a plurality of second D-flipflops corresponding to the first D-flipflops. The data input terminal of the second D-filpflops receive a second signal(Q1 to QN) outputted from the first D-flipflops.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静态电容式触敏传感器的接口电路，通过在电路中布置互补金属氧化物半导体振荡器，逻辑门和D触发器来同时获得高灵敏度和模拟数字转换特性。 构成：振荡器部分（110）以与触摸敏感面板的静态电容的变化成比例的周期输出第一信号（QS'）。 下降部件（120）包括多个串联连接的第一D触发器。 第一D触发器的每个清零输入端接收使能信号。 闩锁部分（130）包括对应于第一D触发器的多个第二D触发器。 第二D-filplop的数据输入端接收从第一D触发器输出的第二信号（Q1至QN）。
-
公开(公告)号：KR1020100063618A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
Abstract translation: 目的：提供一种高灵敏度的MEMS型z轴振动传感器及其制造方法，以应用于以非常小的振动量和低振动速度检测地震波的低频的地震仪。 构成：高灵敏度mems型z轴振动传感器的制造方法如下。 在准备SOI衬底之后，掺杂用作底部电极的SOI衬底的顶部硅层（130a）。 在掺杂的顶部硅层的顶部形成用作中心接地电极的多晶硅层（170a）和预定厚度的氧化物膜。 多晶硅层被掺杂。 在掺杂多晶硅层的顶部形成预定厚度的牺牲层氧化膜（147a）和顶部电极（190）。 从SOI衬底的底部的硅晶片（110）连续地进行蚀刻处理，以将与中心接地电极的质心相连接的区域与掺杂的顶部硅层隔离。 通过蚀刻牺牲层氧化膜和氧化膜通过顶部电极的顶部，掺杂的多晶硅层形成能够在Z轴方向振动的振动空间。
-
公开(公告)号：KR1020090065941A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133497
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A bolometer of a multilayer structure and a manufacturing method thereof are provided to improve an infrared absorbing ratio by widening sufficiently an infrared absorbing layer in order to obtain a high fill-factor. A semiconductor substrate(210) includes a detection circuit formed therein. A first and second meta pads are formed on an upper part of the semiconductor substrate. A sensor structure(200) is positioned at an upper part of the semiconductor substrate. A space corresponding to an infrared wavelength(lambda)/4 is formed between the sensor structure and the first and second metal pads. A body unit(250) is positioned at an upper part of the first and second metal pads. A resistance layer is formed to change a resistance according to a change of temperature in an infrared absorbing process. One supporting arm is composed of a two-layer structure having an upper layer and a lower layer in order to be electrically connected with the first and second metal pads.
Abstract translation: 提供了一种多层结构的测辐射热计及其制造方法，以通过充分地加宽红外线吸收层来提高红外吸收比，以获得高的填充因子。 半导体衬底（210）包括形成在其中的检测电路。 第一和第二元件衬垫形成在半导体衬底的上部。 传感器结构（200）位于半导体衬底的上部。 在传感器结构和第一和第二金属焊盘之间形成对应于红外波长（λ）/ 4的空间。 身体单元（250）位于第一和第二金属垫的上部。 形成电阻层，以根据红外线吸收过程中的温度变化来改变电阻。 一个支撑臂由具有上层和下层的两层结构构成，以便与第一和第二金属垫电连接。
-
公开(公告)号：KR1020090060897A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127880
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01H11/02
Abstract: A micro sensor for vibration measurement is provided to detect vibration easily at low power through wireless sensor network and to thereby facilitate signal processing. A micro sensor for vibration measurement comprises a substrate(160), one or more masses(110) moving in reaction to vibration, a conductor spring(120) which moves according to the movement of the mass while supporting the masses, fixed parts(130) which are connected to both ends of the conductor spring and keep the masses and the conductor spring apart from the substrate, and a resistance(140) forming a closed circuit together with the conductor spring and the fixed parts. The masses are positioned in the middle of the conductor spring. The resistance connects a magnetic body(170) which is formed on the bottom of the substrate and creates a magnetic field to the fixed parts.
Abstract translation: 提供用于振动测量的微型传感器，用于通过无线传感器网络在低功率下容易地检测振动，从而促进信号处理。 一种用于振动测量的微型传感器，包括：衬底（160），一个或多个反作用于振动的质量块（110）;导体弹簧（120），其在支撑所述质量块的同时根据所述质量块的移动而移动;固定部件 ），其连接到导体弹簧的两端并保持质量和导体弹簧与基板分离，以及与导体弹簧和固定部分一起形成闭合电路的电阻（140）。 质量块位于导体弹簧的中间。 电阻连接形成在基板底部的磁体（170），并向固定部分产生磁场。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090022153A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087257
申请日：2007-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F1/00
CPC classification number: G01D5/24
Abstract: A capacitance to time converting circuit with high resolution is provided to generate a time signal with high resolution by generating the time signal with a pulse width having amplified time difference after amplifying time difference corresponding to capacitance variation of a MEMS sensor. A capacitance to time converting circuit includes a driving signal generator(10), a capacitance difference sensor(20), a time difference amplifier(30), and a time signal generator(40). The driving signal generator generates a driving signal and applies the driving signal to the capacitance difference sensor. The capacitance difference sensor generates two sensing signals with the time difference corresponding to the capacitance variation of a MEMS(Micro Electro Mechanical System). The time difference amplifier amplifies the time difference of two sensing signals. The time signal generator generates a time signal with the pulse width corresponding to the amplified time difference.
Abstract translation: 提供具有高分辨率的电容到时间转换电路，以在放大对应于MEMS传感器的电容变化的时间差之后通过产生具有放大的时间差的脉冲宽度的时间信号来产生具有高分辨率的时间信号。 电容对时间转换电路包括驱动信号发生器（10），电容差传感器（20），时差放大器（30）和时间信号发生器（40）。 驱动信号发生器产生驱动信号并将驱动信号施加到电容差传感器。 电容差传感器产生具有与MEMS（微机电系统）的电容变化对应的时间差的两个感测信号。 时差放大器放大两个感测信号的时间差。 时间信号发生器产生具有对应于放大时间差的脉冲宽度的时间信号。
-
公开(公告)号：KR1020090018257A
公开(公告)日：2009-02-20
申请号：KR1020070082558
申请日：2007-08-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81B7/00 , H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: A lifting device for preventing fixing of a 3D MEMS(Micro Electro Mechanical System) micro-structure is provided to remove a cleaning solution left on a substrate and a micro-structure by using a simple device without fixing the 3D MEMS micro-structure onto the substrate. A lifting device for preventing fixing of a 3D MEMS micro-structure includes a substrate(10) and micro-protrusions(20). The micro-protrusions exhaust a cleaning solution flowing from a micro-structure located thereon. The micro-protrusions are formed on the substrate and have a predetermined height. A fixing preventing material(30) is deposited on the micro-protrusions.
Abstract translation: 提供了用于防止3D MEMS（微机电系统）微结构的固定的提升装置，以通过使用简单的装置来去除残留在基板和微结构上的清洁溶液，而不将3D MEMS微结构固定在 基质。 用于防止3D MEMS微结构的固定的提升装置包括基板（10）和微突起（20）。 微型突起排出从位于其上的微结构流动的清洁溶液。 微型突起形成在基板上并具有预定的高度。 固定防止材料（30）沉积在微突起上。
-
公开(公告)号：KR100825717B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060036355
申请日：2006-04-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 검출용 센서는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고, 상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다.
전자 후각, 가스 검출, 센서, 가변 저항, 일체형-
公开(公告)号：KR1020070061108A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060046521
申请日：2006-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C12Q1/6825 , B82B1/001 , C12Q1/6806 , B82B1/008 , B82B3/0014 , C12Q1/6841 , C12Q2565/133 , C12Q2563/137
Abstract: Nucleic acid nanostructures and a fabrication method thereof are provided to produce sensors for detecting gases, chemical substances or biological materials by using the nucleic acid having quadruplex structure, and be used in devices having local surface plasmon properties. The nucleic acid nanostructure comprises: a substrate; a nucleic acid having quadruplex structure fixed perpendicularly to the substrate; a metal ion present within a unit lattice consisting of 8 bases of the nucleic acid having quadruplex structure; and a nanoparticle located at the end of the nucleic acid having quadruplex structure, wherein the glass is made of metal, glass, semiconductor wafer, quartz or plastic; the nucleic acid having quadruplex structure consists of 4 nucleic acid strands comprising the nucleotide sequences of SEQ ID NO:1 to SEQ ID NO:3 aligned in parallel or reverse parallel each other; the metal ion is Na^+, K^+, Mg^2+, Ca^2+, Mn^2+, Ni^2+, Cd^2+, Co^2+ or Zn^2+; and the nanoparticle is composed of Au, Ag, ZnS, CdS, CdSe, SiO2, SnO2, TiO2, GaAs or InP. The fabrication method of the nucleic acid nanostructure comprises the steps of: introducing nucleic acids on the substrate; forming the nucleic acid having quadruplex structure from the introduced nucleic acids; and binding a nanoparticle to the nucleic acid having quadruplex structure.
Abstract translation: 提供了核酸纳米结构及其制造方法，以通过使用具有四重结构的核酸来产生用于检测气体，化学物质或生物材料的传感器，并用于具有局部表面等离子体性质的器件中。 核酸纳米结构包括：底物; 具有垂直于衬底固定的四重结构的核酸; 存在于由具有四重结构的核酸的8个碱基组成的单位晶格内的金属离子; 和位于具有四重结构的核酸末端的纳米颗粒，其中玻璃由金属，玻璃，半导体晶片，石英或塑料制成; 具有四重结构的核酸由包含以并行或反向并行排列的SEQ ID NO：1至SEQ ID NO：3的核苷酸序列的4个核酸链组成; 金属离子为Na +，K ^ +，Mg ^ 2 +，Ca ^ 2 +，Mn ^ 2 +，Ni ^ 2 +，Cd ^ 2 +，Co ^ 2 +或Zn ^ 2 +。 纳米颗粒由Au，Ag，ZnS，CdS，CdSe，SiO2，SnO2，TiO2，GaAs或InP组成。 核酸纳米结构的制造方法包括以下步骤：在基底上引入核酸; 从引入的核酸形成具有四链体结构的核酸; 并将纳米颗粒结合到具有四链体结构的核酸上。
-
公开(公告)号：KR1020060065442A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050038734
申请日：2005-05-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 폴리머 디스크를 이용한 유체가열 제어장치에 관한 것으로, 유체를 일정한 유량으로 배출하기 위한 펌프와, 상기 펌프로부터 배출된 유체를 주기적으로 온도변화되도록 이송시키기 위하여 폴리머 디스크를 포함하는 유체가열모듈과, 상기 유체가열모듈의 온도를 제어하기 위한 제어기를 포함함으로써, DNA증폭과 같은 생화학적 반응을 위한 미소유체소자에 응용될 수 있을 뿐만 아니라 유체구동방식이 간단하며, 가격이 저렴하면서 다중 제작이 쉬운 폴리머를 적용하여 폴리머 디스크를 일회용으로 사용할 수 있는 효과가 있다.
유체, 제어기, 펌프, 폴리머 디스크, 나선형 채널, 주기적 가열, 가열블럭
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
154
records
(took 0.029 seconds)
