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71.发明公开피리딘 포함 고 내열 폴리벤즈옥사졸 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 필름 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 有权含有高耐热性聚苯并噻唑的吡啶，含有其的有机栅绝缘体和使用其的薄膜晶体管的组合物
公开(公告)号：KR1020160043566A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140137421
申请日：2014-10-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C08G73/22 , C08J5/18 , C08J5/2256 , C08L79/04 , H01L51/00
Abstract: 본발명은피리딘포함고 내열폴리벤즈옥사졸화합물, 이를포함하는유기절연체필름조성물및 이를이용한박막트랜지스터에관한것으로, 본발명에따른고분자화합물은염기에대한내화학성, 절연특성및 내열성이우수할뿐만아니라, 용액공정을통해절연체형성이가능하여공정단순화및 비용절감측면에서유리한효과가있으므로, 유기절연체필름조성물또는박막트랜지스터에유용하게사용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含吡啶的高耐热聚苯并恶唑化合物，包含该吡啶的有机绝缘膜组合物和使用其的薄膜晶体管。 根据本发明的高分子化合物相对于基底具有优异的耐化学性，绝缘性和耐热性，并且通过能够通过溶液法形成绝缘体，对工艺简化和成本削减具有良好的影响，从而能够 有机地用于有机绝缘膜组合物或薄膜晶体管中。
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公开(公告)号：KR101535521B1
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020130144318
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07D333/10 , C07D333/06
Abstract: 본발명은불소가비대칭으로도입된 2,5-비스메톡시페닐티오펜화합물의제조방법에관한것으로, 본발명에따른제조방법은반응의선택성이높아호모커플링등의부반응이적은스즈키커플링을사용하여반응성메조겐, 광전기능성소재등으로사용되는불소가비대칭으로도입된 5-비스메톡시페닐티오펜화합물을고순도및 고수율로제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101527162B1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020130051224
申请日：2013-05-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C321/04 , C07D209/82 , C09K19/06
Abstract: 본발명은광반응성기로알파싸이오메틸아크릴레이트기를도입하여광반응효율이향상된중합성메조겐화합물및 이를포함하는중합성액정조성물에관한것이다. 본발명의중합성메조겐화합물은광반응성기로알파싸이오메틸아크릴레이트를도입함으로써상대적으로낮은에너지에서향상된광반응효율을가지고, 비대칭구조로인해호스트액정과의우수한용해성을가질뿐만아니라광가교후 선경사각의안정성을향상시키는효과가있으므로중합성액정조성물특히고분자안정화배향유형의액정디스플레이용중합성액정조성물로유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150060184A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144318
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07D333/10 , C07D333/06
CPC classification number: C07D333/10
Abstract: 본발명은불소가비대칭으로도입된 2,5-비스메톡시페닐티오펜화합물의제조방법에관한것으로, 본발명에따른제조방법은반응의선택성이높아호모커플링등의부반응이적은스즈키커플링을사용하여반응성메조겐, 광전기능성소재등으로사용되는불소가비대칭으로도입된 5-비스메톡시페닐티오펜화합물을고순도및 고수율로제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用对反应具有高选择性的Suzuki-偶联而不对称地引入氟的2,5-双甲氧基苯基噻吩化合物的制造方法，因此具有很少的均相偶联反应，从而制造2 ，5-双甲氧基苯基噻吩化合物，其中氟被不对称地引入，其用作反应性介晶和光电功能材料。
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公开(公告)号：KR101508208B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130124744
申请日：2013-10-18
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은우수한절연성및 내열성을갖는신규한폴리이미드중합체, 이의제조방법및 이를포함하는유기절연막에관한것으로, 본발명에따른신규한폴리이미드중합체는 496 nm에서청색을발하는효과가우수하며, 약 350℃이상의높은유리전이온도및 500℃이상의 5% 중량열분해온도를가져고온에대한열적안정성이뛰어날뿐만아니라, 1 내지 1000 kHz에서 3 이하의낮은유전상수를가져전기적절연성이상당히우수하다. 따라서, 본발명에따른신규한폴리이미드폴리이미드는청색유기발광소자의소재로이용가능할뿐만아니라, 발광다이오드(LED), 유기박막트랜지스터(OTFT) 등의전자소자용유기절연막또는연성금속박적층필름(FMCL) 소재등으로유용하게사용할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150004204A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130077388
申请日：2013-07-02
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 용해도 향상을 위해 불소기를 도입하여 용해도가 향상된 중합성 메조겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 중합성 액정 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 중합성 메조겐 화합물은 용해도 향상기로 불소기를 도입하여 수직 배향형 호스트 액정에 대한 용해도를 증가시키고 광반응성기로 메타아크릴레이트를 도입함으로써 광가교 후 선경사각의 안정성을 향상시키는 효과가 있으므로 중합성 액정 조성물 특히 고분자 안정화 배향 유형의 액정디스플레이용 중합성 액정 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过引入氟基以提高溶解度的溶解性的可聚合介晶化合物，其制备方法和含有该可聚合液晶组合物的可聚合液晶组合物。 本发明的可聚合介晶化合物通过引入氟基团作为溶解度改进基团而增加了对垂直取向型主液晶的溶解性，并且通过引入作为光反应器的甲基丙烯酸酯改善光交联后的预倾角的稳定性，从而可以 有用地用作可聚合液晶组合物，特别是用于聚合物稳定取向型的液晶显示器的聚合性液晶组合物。
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公开(公告)号：KR1020140126874A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130045007
申请日：2013-04-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C209/84 , C07C211/61 , B01J23/60
Abstract: 본 발명은 2,6-다이아미노-9,10-다이하이드로안트라센을 고순도로 정제하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법은 2,6-다이아미노안트라퀴논(이하, "화학식 2"로 표시함)을 출발 물질로 하여, 아연 촉매 하에 환원 반응시켜, 화학식 2 및 2,6-다이아미노-9,10-다이하이드로안트라센(이하, "화학식 1"로 표시함)을 제조하는 종래 방법에서, 화학식 1로 표시되는 화합물만을 선택적으로 정제하는 방법에 관한 것으로, 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물의 전기음성도 차이에 기인하는 아민기의 반응성을 이용하여 화학식 1로 표시되는 화합물에 유기용매에서 잘 용해되는 용해도 향상기를 높은 선택성으로 도입시킴으로써, 추출의 과정을 통해 화학식 1로 표시되는 화합물을 고순도로 얻을 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种精制高纯度2,6-二氨基-9,10-二氢蒽的方法。 本发明的方法涉及从常规方法中仅选择化学式1表示的化合物的方法，其中作为起始原料的2,6-二氨基蒽醌（以下由化学式2表示）为 在锌催化剂的存在下还原，生成化学式2和2,6-二氨基-9,10-二氢蒽（以下由化学式1表示）。 根据本发明，通过使用由化学式1表示的化合物与化学式1表示的化合物的电负性的差异导致的胺基的反应性，将化学式1表示的化合物引入高溶于有机溶剂的溶解性增强剂 2，从而通过提取方法获得由化学式1表示的化合物，其具有高纯度。
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78.发明授权
公开(公告)号：KR101446712B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130032348
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a new high heat resistant polyimide-based compound, a composition for forming an organic insulator including the same, and a thin-film transistor using the same. More specifically, the polyimide-based compound has greater insulation properties and heat resistance and can be processed in a lower temperature solution, and the composition for forming an organic insulator including the same can be used for manufacturing an organic insulation layer of the thin-film transistor and used as the organic insulation layer of a thin-film oxide transistor which requires high temperatures when processed.
Abstract translation: 本发明涉及一种新的高耐热聚酰亚胺类化合物，一种用于形成包含该组合物的有机绝缘体的组合物和使用其的薄膜晶体管。 更具体地说，聚酰亚胺类化合物具有更大的绝缘性和耐热性，并且可以在较低温度的溶液中加工，并且用于形成包含该聚合物的有机绝缘体的组合物可用于制造薄膜的有机绝缘层 并用作需要高温处理的薄膜氧化物晶体管的有机绝缘层。
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公开(公告)号：KR101446703B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130036314
申请日：2013-04-03
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/66969
Abstract: The present invention relates to: a thin film transistor using a metallic oxide interlayer film which is formed between an organic insulator and a metallic oxide semiconductor; a manufacturing method thereof; and an electrical property improving method of the thin film transistor using the same. Specifically, the present invention is able to form a metallic oxide semiconductor layer in the shape of an even film which has a smooth surface by using a solution process by providing a chemically similar interface for the metallic oxide semiconductor without chemical damage of the organic insulator by forming the metallic oxide interlayer film between the organic insulator layer and the metallic oxide semiconductor layer. The metallic oxide interlayer film finally improves the electrical property of the metallic oxide thin film transistor for a solution process, which is a characteristic of a device, by improving the interfacial property of the organic insulator layer and the interfacial property of the metallic oxide semiconductor layer without degrading the insulating property of the organic insulator layer.
Abstract translation: 本发明涉及：使用形成在有机绝缘体和金属氧化物半导体之间的金属氧化物层间膜的薄膜晶体管; 其制造方法; 以及使用该薄膜晶体管的电性能改进方法。 具体地说，本发明能够通过使用溶液法形成具有平滑表面的平滑膜形状的金属氧化物半导体层，该方法通过为金属氧化物半导体提供化学相似的界面而无有机绝缘体的化学损伤 在有机绝缘体层和金属氧化物半导体层之间形成金属氧化物中间膜。 通过提高有机绝缘体层的界面性能和金属氧化物半导体层的界面性质，金属氧化物中间层膜最终提高了作为器件特性的溶液工艺用金属氧化物薄膜晶体管的电性能 而不降低有机绝缘体层的绝缘性。
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公开(公告)号：KR1020140071884A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020130124744
申请日：2013-10-18
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a novel polyimide having excellent insulation and heat resistance, a method for producing the same, and an organic insulating film including the same. The novel polyimide according to the present invention has an excellent effect in exhibiting blue color at 496 nm, excellent thermal resistance against high temperature by having a high glass transition temperature of about 350°C or more and a 5% weight pyrolysis temperature of 500°C or more, and excellent electrical insulation by having a dielectric constant of 3 or smaller at 1 to 1000 kHz. Accordingly, the novel polyimide according to the present invention can be used as a material of a blue organic light-emitting diode and can also be usefully used as a material for an organic insulating film or a flexible metal coil layer (FMCL) film for electronic devices such as light-emitting diodes (LED) and organic thin film transistors (OTFT).
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异的绝缘和耐热性的聚酰亚胺，其制造方法和包含该聚酰亚胺的有机绝缘膜。 根据本发明的新型聚酰亚胺通过具有约350℃以上的高玻璃化转变温度和500℃的5％重量的热分解温度在496nm显示出蓝色的优异效果，具有优异的耐高温性 C以上，通过在1〜1000kHz下具有3以下的介电常数的优异的电绝缘性。 因此，根据本发明的新型聚酰亚胺可以用作蓝色有机发光二极管的材料，并且还可以用作有机绝缘膜或用于电子的柔性金属线圈层（FMCL）膜的材料 诸如发光二极管（LED）和有机薄膜晶体管（OTFT）的器件。
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