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    CAPTEUR D'IMAGE
    72.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE 未知

    公开(公告)号：FR3000606A1

    公开(公告)日：2014-07-04

    申请号：FR1350008

    申请日：2013-01-02

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  CAZAUX YVON

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image formé dans et sur un substrat semiconducteur (201), ayant une pluralité de pixels (200) comportant chacun : une zone photosensible (205), une zone de lecture, et une zone de stockage (207) s'étendant entre la zone photosensible (205) et la zone de lecture ; au moins une première électrode verticale isolée (203) s'étendant dans le substrat entre la zone photosensible (205) et la zone de stockage (207) ; et au moins une deuxième électrode verticale isolée (209) s'étendant dans le substrat entre la zone de stockage (207) et la zone de lecture (211).

    DISPOSITIF DE SAISIE D'IMAGES COMPRENANT DES MOYENS DE RASSEMBLEMENT DE PIXELS.
    73.
    发明专利
    DISPOSITIF DE SAISIE D'IMAGES COMPRENANT DES MOYENS DE RASSEMBLEMENT DE PIXELS. 未知

    公开(公告)号：FR2941327A1

    公开(公告)日：2010-07-23

    申请号：FR0950376

    申请日：2009-01-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MINGAM HERVE ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un dispositif de saisie d'images comprenant n (n étant un nombre entier) capteurs d'image agencés pour saisir des images respectivement d'une même scène selon au moins trois couleurs différentes, chacun des capteurs comprenant une matrice de pixels, chaque pixel étant associé à un transistor MOS de transfert (TR1-TR4), les transistors de transfert de n pixels voisins étant associés à une même sortie ; et un circuit de lecture (RST, SF, RD) associé à des moyens de commande pour lire : - la sortie de chaque transistor de transfert séparément, ou - les sorties de deux à n transistors de transfert voisins cumulativement.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CAPTEUR COMPRENANT UNE PHOTODIODE ET UN TRANSISTOR DE TRANSFERT DE CHARGES.
    76.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CAPTEUR COMPRENANT UNE PHOTODIODE ET UN TRANSISTOR DE TRANSFERT DE CHARGES. 未知

    公开(公告)号：FR2910709A1

    公开(公告)日：2008-06-27

    申请号：FR0611097

    申请日：2006-12-20

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur comprenant une photodiode et un transistor de transfert associé, le procédé comprenant les étapes suivantes :E1 : formation d'une région d'isolement (214) sur un substrat (200),E2 : formation de la diode d'un premier côté (gauche) de la région d'isolement (214), la diode étant auto-alignée sur la région d'isolement (214),E3 : remplacement de la région d'isolement (214) par une grille (226) du transistor de transfert.Application à la fabrication de capteurs d'image CMOS ou CCD.

    77.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2857158B1

    公开(公告)日：2006-04-28

    申请号：FR0307962

    申请日：2003-07-01

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15 ,  H04N5/335

    Abstract: The process involves transferring electric charges between a photodiode and a detection node via a transfer transistor. A control circuit applies an electric potential on a gate electrode of the transistor, such that an electric potential of a conduction channel of the transistor has a value equal to maximum value of the potential of the node multiplied by a number greater than or equal to one. An independent claim is also included for a luminous flow detection matrix.

    79.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2820883A1

    公开(公告)日：2002-08-16

    申请号：FR0101883

    申请日：2001-02-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352

    Abstract: A monolithic photodetector including a photodiode, a precharge MOS transistor, a control MOS transistor, a read MOS transistor, and a transfer MOS transistor, the photodiode and the transfer transistor being formed in a same substrate of a first conductivity type, the photodiode including a first region of the second conductivity type formed under a second region of the first conductivity type more heavily doped than the first region, and above a third region of the first conductivity type more heavily doped than the substrate, the first region being the source of the second conductivity type of the transfer transistor, the second and third regions being connected to the substrate and being at a fixed voltage.

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