公开(公告)号：FR2911007A1

公开(公告)日：2008-07-04

申请号：FR0656033

申请日：2006-12-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un pixel comportant un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de dopage ; une première couche du second type de dopage recouvrant le substrat ; une seconde couche (33, 34) du premier type de dopage recouvrant la première couche ; et un transistor de type MOS (Tl, T2) formé dans la seconde couche et ayant une zone de drain (15, 25) et une zone de source (14, 24) du second type de dopage. Le pixel comprend une première zone (32) du second type de dopage, plus fortement dopée que la première couche, traversant la seconde couche et s'étendant jusque dans la première couche, et reliée à la zone de drain ; et une seconde zone (40, 41) du premier type de dopage, plus fortement dopée que la seconde couche et bordant la zone de source.

公开(公告)号：FR2934926B1

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2884351A1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：FR0503570

申请日：2005-04-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD ,  MARCELLIER YANN

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/266

Abstract: Procédé de fabrication d'un circuit intégré (CI) comprenant la réalisation d'une photodiode (PD) comportant la formation d'un empilement de trois couches semi-conductrices et la formation d'une zone de stockage surdopée (PK) dans la deuxième couche de l'emplacement, et la réalisation d'un transistor de lecture (TR) comportant la formation d'une grille (G) au-dessus de l'empilement. La formation de la zone de stockage (PK) comprend la réalisation d'un masque d'implantation (MS) au-dessus de la grille et de l'empilement et possédant une ouverture découvrant une partie de la grille et une partie de la surface supérieure de l'empilement située à côté de ladite partie découverte de la grille, et une première implantation oblique (IMP1) de dopants à travers ladite ouverture.

公开(公告)号：FR2934926A1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant au moins une photodiode (D) et au moins un transistor (M4) formés dans et sur un substrat de silicium (21), l'ensemble de la photodiode et du transistor étant entouré d'un mur d'isolement (23) fortement dopé, caractérisé en ce que le substrat de silicium a une orientation cristalline (110).

公开(公告)号：FR2911007B1

公开(公告)日：2009-10-02

申请号：FR0656033

申请日：2006-12-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18