公开(公告)号：EP1625433A1

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：EP04709909.8

申请日：2004-02-10

Applicant: 3M Innovative Properties Company

Inventor： DOWER, William V., ,  VISWANATHAN, Nirmal K., ,  PAOLUCCI, Dora M., ,  BARRERA, Michael D.,

IPC: G02B6/12 ,  C03C25/60 ,  C03C25/62 ,  C03C3/06

CPC classification number: G02B6/02114 ,  C03C3/06 ,  C03C13/045 ,  C03C13/047 ,  C03C25/607 ,  C03C25/6226 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/26 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/60

Abstract: The present invention relates to increasing the photosensitivity of optical fibers. One aspect of the present invention comprises a method for rapidly diffusing hydrogen or deuterium into an optical fiber from a gas mixture having a low total hydrogen content to generate changes in the refractive index of the optical fiber. The resulting photosensitive fiber may be used to create optical devices including Bragg gratings and Bragg grating-based devices.

公开(公告)号：EP1240114B1

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：EP00993506.5

申请日：2000-12-14

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： WERDECKER, Waltraud ,  FABIAN, Heinz ,  GERTIG, Udo ,  LEIST, Johann ,  GÖBEL, Rolf

IPC: C03C3/06 ,  C03C1/02 ,  C03B19/10

CPC classification number: C03C1/026 ,  C03B19/1065 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/26 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: The invention relates to a method for the production of opaque quartz glass wherein a blank is made from synthetic SiO2 crystals and heated to form a blank body made of opaque quartz glass at a given vitrification temperature. A method for the production of pure, opaque quartz glass is disclosed wherein said quartz glass has a homogeneous pore distribution and a high density, a high viscosity and a lower tendency to devitrify. According to the invention, the SiO2 crystals are formed from an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles (21; 31) having a specific surface (according to BET) between 1.5 m /g and 40 m /g with a stamping density of at least 0.8 g/cm . SiO2 granulate (21; 31) suitable for use in performing the procedure is characterized in that it is composed of an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles and has a specific surface (according to BET) between 1.5 m /g and 40 m /g in addition to a stamping density of at least 0.6 g/cm .

公开(公告)号：EP1232125A1

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：EP00976564.5

申请日：2000-10-10

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： AKWANI, Ikerionwu, A. ,  BELLMAN, Robert, A. ,  GRANDI, Thomas, P. ,  SACHENIK, Paul, A.

IPC: C03C3/04 ,  C03C3/11 ,  C01B21/082 ,  C03B19/14

CPC classification number: C01B21/0821 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/60 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/31 ,  C03C3/045 ,  C03C3/111 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/31 ,  Y10T428/265

Abstract: A composition represented by the formula Si1-xGexO2(1-y)N1.33y, wherein x is from about 0.05 to about 0.6 and y is from about 0.14 to about 0.74 exhibits properties highly suited for use in fabricating waveguides for liquid crystal based optical devices. In particular, the compositions have an index of refraction of from about 1.6 to about 1.8 for light at a wavelength of 1550 nm, and/or a coefficient of thermal expansion of from about 2.5 x 10-6°C-1 to about 5.0 x 10-6°C-1. The compositions also have inherently low hydrogen content, and a high hydrogen permeability which allows better hydrogen removal by thermal annealing to provide a material which exhibits low optical losses and better etching properties than alternative materials.

公开(公告)号：WO2008031742A2

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/EP2007/059217

申请日：2007-09-04

Applicant: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. ,  WEBER, Juergen ,  SATO, Tatsuhiro ,  SCHNEIDER, Ralf ,  HOFMANN, Achim ,  GEBAUER, Christian

Inventor： WEBER, Juergen ,  SATO, Tatsuhiro ,  SCHNEIDER, Ralf ,  HOFMANN, Achim ,  GEBAUER, Christian

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: The invention starts from a known component of quartz glass for use in semiconductor manufacture, which component at least in a near-surface region shows a co-doping of a first dopant and of a second oxidic dopant, said second dopant containing one or more rare-earth metals in a concentration of 0.1-3% by wt. each (based on the total mass of SiO 2 and dopant). Starting from this, to provide a quartz glass component for use in semiconductor manufacture in an environment with etching action, which component is distinguished by both high purity and high resistance to dry etching and avoids known drawbacks caused by co-doping with aluminum oxide, it is suggested according to the invention that the first dopant should be nitrogen and that the mean content of metastable hydroxyl groups of the quartz glass is less than 30 wtppm.

Abstract translation: 本发明从用于半导体制造的石英玻璃的已知组件开始，至少在近表面区域中的该组分表现出第一掺杂剂和第二氧化物掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含有一种或多种稀有金属 浓度为0.1-3％（重量）的矿物金属。 每个（基于SiO 2的总质量和掺杂剂）。 从此开始，为了在具有蚀刻作用的环境中提供用于半导体制造的石英玻璃组分，该组分通过高纯度和高耐干蚀刻性而被区分，并避免了与氧化铝共掺杂引起的已知缺点， 根据本发明建议第一掺杂剂应为氮气，并且石英玻璃的亚稳态羟基的平均含量小于30重量ppm。

公开(公告)号：WO2006108766A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：PCT/EP2006/061192

申请日：2006-03-30

Applicant: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. ,  WEBER, Juergen ,  POGGE, Tobias ,  TROMMER, Martin ,  KUEHN, Bodo ,  KIRST, Ulrich ,  WERDECKER, Waltraud

Inventor： WEBER, Juergen ,  POGGE, Tobias ,  TROMMER, Martin ,  KUEHN, Bodo ,  KIRST, Ulrich ,  WERDECKER, Waltraud

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  H01L21/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/09 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/32 ,  C03C15/00 ,  C03C19/00 ,  C03C23/0025 ,  C03C23/006 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/54 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  C30B35/00 ,  Y02P40/57

Abstract: Ein ideales Quarzglas für einen Wafer-Halter zum Einsatz in ätzend wirkender Umgebung zeichnet sich sowohl durch hohe Reinheit als auch durch eine hohe Trockenätzbeständigkeit aus. Um ein Quarzglas anzugeben, das diese Anforde rungen weitgehend erfüllt, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Quarz glas mindestens in einem oberflächennahen Bereich mit Stickstoff dotiert ist, einen mittleren Gehalt an metastabilen Hydroxylgruppen von weniger als 30 Gew.-ppm aufweist, und dass seine fiktive Temperatur unterhalb von 1250 °C und seine Vis kosität bei einer Temperatur von 1200°C mindestens 1013 dPas betragen. Ein wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglases umfasst folgende Verfahrensschritte: Erschmelzen eines SiO2-Rohstoffs zu einem Quarz- glas-Rohling, wobei der SiO2-Rohstoff oder der Quarzglas-Rohling einer Entwäs serungsmaßnahme unterzogen werden, ein Erhitzen des SiO2-Rohstoffs oder des Quarzglas-Rohlings auf eine Nitridierungstemperatur im Bereich zwischen 1050°C und 1850 °C unter einer Ammoniak enthaltenden Atmosphäre, eine Temperatur behandlung, mittels der das Quarzglas des Quarzglas-Rohlings auf eine fiktive Temperatur von 1250 °C oder weniger eingestellt wird, und eine Oberflächenbe handlung des Quarzglas-Rohlings unter Bildung des Quarzglas-Halters.

Abstract translation: 用于在腐蚀性环境中使用的晶片保持器的理想的石英玻璃的演技由两个高纯度和高耐干蚀性区分。 为了提供一个石英玻璃，其支柱很大程度上满足这些Anforde，本发明提出的是，石英玻璃至少与氮的近表面区域掺杂，具有按重量计小于30ppm的亚稳定羟基的平均含量，且其虚拟 以下1250℃，粘度温度由显示是在1200℃的温度下为至少1013 dPa·s相当。 用于制造这样的石英玻璃的经济的方法包括下列步骤：形成SiO 2原料的熔融，以获得石英玻璃坯料中，SiO 2原材料或石英玻璃坯料的Entwässerungsmaßnahme进行SiO 2的原料的加热或石英玻璃 Döhring添加包含在氨气氛下1050℃和1850℃之间的范围内的氮化温度下，通过该石英玻璃坯料中石英玻璃被设置为1250℃或更低的温度处理的假想温度的装置，和一个治疗Oberflächenbe 该石英玻璃坯料与形成在石英玻璃夹具的。

公开(公告)号：WO2006104178A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：PCT/JP2006/306379

申请日：2006-03-22

Applicant: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED ,  HAYASHI, Hideaki ,  KOIKE, Akio ,  KAWATA, Mitsuhiro ,  SUGIMOTO, Naoki ,  KIKUGAWA, Shinya ,  YAMADA, Kenji

Inventor： HAYASHI, Hideaki ,  KOIKE, Akio ,  KAWATA, Mitsuhiro ,  SUGIMOTO, Naoki ,  KIKUGAWA, Shinya ,  YAMADA, Kenji

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  G02B1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1438 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/40 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/34 ,  C03C23/0095 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/3405 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/40 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/54

Abstract: To provide quartz-type glass for a microlithographic projection exposure apparatus, which contains at least 51 mass% of SiO 2 and which further contains at least one member selected from the group consisting of lanthanum, aluminum, hafnium, nitrogen, scandium, yttrium and zirconium. It is a material which is useful for an illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus or as a projection object lens and has a refractive index at 248 nm larger than 1.508 of quartz glass and a refractive index at 193 nm larger than 1.560 of quartz glass and which can be small-sized.

Abstract translation: 为了提供含有至少51质量％的SiO 2的微光刻投影曝光装置的石英型玻璃，还含有选自镧，铝，铪等的至少一种， 氮，钪，钇和锆。 它是一种用于微光刻投影曝光装置的照明系统或投影物镜并且具有大于1.508的石英玻璃的248nm的折射率和大于石英玻璃的1.560的193nm的折射率的材料 并且可以是小尺寸的。

公开(公告)号：WO01034530A1

公开(公告)日：2001-05-17

申请号：PCT/US2000/028022

申请日：2000-10-10

IPC: G02B6/12 ,  C01B21/082 ,  C03B19/14 ,  C03B32/00 ,  C03C3/04 ,  C03C3/11 ,  C03C17/02 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C01B21/0821 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/60 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/31 ,  C03C3/045 ,  C03C3/111 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/31 ,  Y10T428/265

Abstract: A composition represented by the formula Si>1-x x 2(1-y) 1.33y DEG C to about 5.0 x 10 DEG C . The compositions also have inherently low hydrogen content, and a high hydrogen permeability which allows better hydrogen removal by thermal annealing to provide a material which exhibits low optical losses and better etching properties than alternative materials.

Abstract translation: 由式Si> 1-x Ge x2（1-y）N331表示的组合物，其中x为约0.05至约0.6，y为约0.14至约0.74的展品 特别适用于制造液晶光学器件的波导管。 特别地，组合物对于波长1550nm的光具有约1.6至约1.8的折射率，和/或约2.5×10 -6 -6℃的热膨胀系数 至约5.0×10 -6℃。 组合物还具有固有的低氢含量和高的氢渗透性，其允许通过热退火更好的氢去除以提供与替代材料相比表现出低的光损耗和更好的蚀刻性能的材料。

公开(公告)号：JP2016511735A

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：JP2015557469

申请日：2014-02-19

Applicant: ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  信越石英株式会社

Inventor： キューン、ボードー

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03B32/02 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/24 ,  C03C4/04 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2203/54 ,  C03C2204/00 ,  G02B1/00 ,  G02B1/02 ,  Y02P40/57

Abstract: 本発明は、適用波長が193nmであるArFエキシマレーザーリソグラフィプロセスに使用される合成石英ガラス製光学部品であって、酸素欠陥部位を実質的に含まないガラス構造、0.1×1016分子/cm3〜1.0×1018分子/cm3の範囲の水素含量、2×1017分子/cm3未満のSiH基含量及び0.1重量ppm〜100重量ppmの範囲のヒドロキシル基含量を備え、ガラス構造が1070℃未満の仮想温度を有する光学部品に関する。本発明の目的は、633nmの測定波長を用いた圧密挙動の測定に基づき適用波長にてUVレーザー放射を用いた場合の圧密挙動の信頼性のある予測を可能にすることである。これは、上記光学部品がパルス繰返し周波数2000Hzでの125nsのパルス幅及びパルスあたり500μJ/cm2のエネルギー密度による5×109パルスを用いる波長193nmの放射による照射に応じた、レーザーにより引き起こされる屈折率の変化を受ける光学部品の設計により達成され、該変化は193nmの適用波長を用いて測定したときに第1の測定値M193nmとなり、該変化は633nmの測定波長を用いて測定したときに第2の測定値M633nmとなり、M193nm/M633nm

Abstract translation: 本发明中，涂布的玻璃结构的波长是在ArF受激准分子激光光刻过程中使用的合成二氧化硅玻璃的光学部件为193nm，不含氧缺陷位点基本上，0.1×1016分子/cm3~1.0× 在1018分子/立方厘米的范围内的氢含量，并在2×1017小于分子/立方厘米和0.1质量ppm〜100质量ppm的SiH基含量范围内的羟基含量，光学玻璃结构具有低于1070℃的假想温度 零件上。 本发明的一个目的是基于使用的633nm的测量波长压实行为的测量在应用波长使用UV激光辐射时，以允许压实行为可靠的预测。 这是根据通过使用5×109个脉冲波长193纳米的辐射的照射的光学部件，由于在脉冲重复频率2000Hz的，折射率每125ns的的500μJ/ cm 2的脉冲宽度和脉冲的能量密度引起的激光 通过经历变化的光学元件的设计实现，该变化是第一测量值M193nm下使用的193纳米的波长施加测量时，所述变化当与测定波长633nm处的测量是一个第二 测量M633nm变为M193nm / M633nm <1.7。

公开(公告)号：JP4746236B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2001536481

申请日：2000-10-10

Applicant: コーニング インコーポレイテッド

Inventor： イケリオニュ エイ． アクワニ ,  トーマス ピー． グランディ ,  ポール エイ． サクニク ,  ロバート エイ． ベルマン

IPC: C03C3/11 ,  G02B6/12 ,  C01B21/082 ,  C03B19/14 ,  C03B32/00 ,  C03C3/04 ,  C03C17/02 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C01B21/0821 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/60 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/31 ,  C03C3/045 ,  C03C3/111 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/31 ,  Y10T428/265

公开(公告)号：JP2010503599A

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：JP2009527779

申请日：2007-09-04

Applicant: ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  信越石英株式会社

Inventor： ウェーバー，ユールゲン ,  ゲバウアー，クリスチャン ,  シュナイダー，ラルフ ,  ホフマン，アキム ,  龍弘 佐藤

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: 本発明は、半導体製造用石英ガラスの公知の組成物を出発点とし、該組成物は少なくとも近表層領域において第１ドーパントと第２酸化ドーパントとの共ドーピングを示し、前記第２ドーパントは一種類以上の希土類金属をそれぞれ（ＳｉＯ
2 及びドーパントの全質量に基づいて）０．１〜３％の濃度で含有する。 エッチング処理を使用する環境において半導体製造用石英ガラス組成物を供給することを出発点として、該組成物は高純度及び高いドライエッチング耐性により区別され、酸化アルミニウムとの共ドーピングにより引き起こされる公知の欠点を回避し、第１ドーパントが窒素であり、石英ガラス中の準安定ヒドロキシル基の平均含有量が３０質量ｐｐｍ未満とすることを本発明により提案するものである。
【選択図】 図１