公开(公告)号：CN104681117A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410705167.8

申请日：2014-11-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手岛隆行

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/207

CPC classification number: G01N23/20075 ,  A61B6/4035 ,  A61B6/484 ,  B32B1/00 ,  B32B3/30 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/306 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1866 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2037/243 ,  B32B2307/728 ,  B32B2307/73 ,  B32B2309/105 ,  B32B2311/04 ,  B32B2457/00 ,  B32B2551/00 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D7/123 ,  G21K1/067 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/067 ,  G21K2207/005 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24545

Abstract: 本发明公开了结构体和包含结构体的X射线Talbot干涉计。该结构体依次包括：具有曲面的树脂层；含有水溶性聚合物的第一结合层；具有氢结合表面的第二结合层；以及金层，第一结合层处于树脂层的曲面与第二结合层的氢结合表面之间，并且与树脂层的曲面和第二结合层的氢结合表面接触。

公开(公告)号：CN102159997B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN200980136718.0

申请日：2009-08-22

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 吉塞拉·冯布兰肯哈根

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0875 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70941 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 为了制造工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻的应力降低反射光学元件(1)，提出：利用能量为40eV或更优选为90eV以上的层形成粒子，在基板(2)与多层系统(4)之间施加应力降低多层系统(6)，其中多层系统(4)为了获得在工作波长的高反射率而被优化。所得到的反射光学元件(1)的突出之处在于：低的表面粗糙度、应力降低多层系统中低的周期数以及应力降低多层系统中高的Γ值。

公开(公告)号：CN102472976B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080030955.1

申请日：2010-06-01

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H-J.保罗 ,  G.布朗 ,  S.米古拉 ,  A.多多克 ,  C.扎克泽克

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70941 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’)，每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。

公开(公告)号：CN102047183B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980120621.0

申请日：2009-05-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·格卢什科夫 ,  V·巴内尼 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  L·A·斯基梅诺克 ,  N·N·塞拉斯申科

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种多层反射镜被构造且被布置以反射具有在2-8nm范围内的波长的辐射。所述多层反射镜具有从由Cr和Sc层，Cr和C层，C和B4C层，U和B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，以及Th和B层构成的组中选出的交替层。

公开(公告)号：CN102187441B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980142397.5

申请日：2009-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-H·杨 ,  T·A·恩古耶 ,  S·巴录佳 ,  A·卡祖巴 ,  J·C·罗查 ,  T·诺瓦克 ,  D·W·何

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。

公开(公告)号：CN102981201A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210518419.7

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN102741709A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007870.6

申请日：2011-03-18

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 金子泰久

IPC: G01T7/00 ,  A61B6/06 ,  G21K1/02

CPC classification number: G21K1/06 ,  A61B6/4092 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/484 ,  C25D3/00 ,  G21K1/02 ,  G21K1/025 ,  G21K2201/06 ,  G21K2201/067 ,  G21K2207/005

Abstract: 本发明公开了一种用于放射线成像的格栅和制造该格栅的方法。导电基板(18)和蚀刻基板(20)相互结合。蚀刻掩模(25)使用光刻技术形成在蚀刻基板(20)上，沟槽(20a)和X射线透射部分(14b)通过干蚀刻使用博施法形成。沟槽(20a)通过电镀方法使用导电基板(18)作为电极填充有Au(27)。因此，X射线吸收部分(14a)形成。

公开(公告)号：CN102576196A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043761.5

申请日：2010-09-17

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  A.多科纳尔 ,  G.冯布兰肯哈根

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0825 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70941 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067

Abstract: 为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。

公开(公告)号：CN102576142A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038441.0

申请日：2010-08-27

Applicant: 欧洲空间局

Inventor： 马科斯·巴维达斯

IPC: G02B7/182

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067 ,  Y10T156/1002

Abstract: 本发明涉及用于装配包含多个镜板10和基板13的镜板叠层30的方法，其中所述多个镜板堆叠于所述基板上。而且，本发明涉及将两个或多个镜板叠层装配成刚性单元的方法。为了提高所述镜板的装配精确度，建议所述方法包括以下步骤：提供基板13，且第一镜板安装至所述基板；提供具有第二镜板的搬运工具；将间隔装置提供至所述第二镜板的第一表面；定位所述包含第二镜板的搬运工具以将所述第二镜板与所述第一镜板对准，所述第二镜板有间隔装置，其中所述第二镜板被相对于所述第一镜板基于所述第一镜板的测量的位置和形状对准，以补偿所述第一镜板的测量的位置和形状自所述第一镜板的预定的位置和形状的偏差；通过将所述间隔装置结合至所述第一镜板将所述第二镜板连接到所述第一镜板，其中所述间隔装置决定了第一镜板和第二镜板之间的预定的距离；通过自所述连接的第二镜板移走所述搬运工具暴露所述第二镜板的第二表面；和在所述第二表面已经被暴露后测量所述连接的第二镜板的位置和形状。

公开(公告)号：CN101836163B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780101177.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 丹尼·陈 ,  汉斯-于尔根·曼 ,  萨斯查·米古拉

IPC: G03F7/20 ,  G02B17/06 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70308 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B13/143 ,  G02B17/0663 ,  G03F7/70233 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光学系统包括所布置的用以将波长λ的辐射从物面中的物场成像到像面中的像场的多个元件。所述多个元件包括布置在辐射路径中的多个镜元件，镜元件具有由反射涂层形成的反射表面。至少一个镜元件具有在一个或多个位置从最佳拟合旋转对称反射表面偏离约λ以上的非旋转反射表面。该元件包括切趾校正元件，相对于不具有切趾校正元件的光学系统，该切趾校正元件有效地校正光学系统的出瞳中的空间强度分布。优选地，相对于不具有切趾校正元件的光学系统，该切趾校正元件有效地增加出瞳中的空间强度分布的对称性。