公开(公告)号：CN1969534A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580005377.5

申请日：2005-02-16

Applicant: ST微电子公司 ,  ST微电子有限公司

Inventor： 皮耶尔·路易吉·加尔代拉 ,  马西米利亚诺·巴罗内 ,  加里·斯威特 ,  达尼洛·帕乌 ,  斯蒂芬·希尔 ,  西蒙·戈达

IPC: H04N1/41 ,  H04N1/64 ,  G06T3/40 ,  H04N7/26 ,  G09G5/02

CPC classification number: H04N19/00 ,  G09G3/2051 ,  G09G5/02 ,  H04N1/40087 ,  H04N19/42 ,  H04N19/90

Abstract: 应用顺序抖动方法，以降低由通道R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)表示的图像的彩色分辨率，因此提供第一与第二抖动矩阵，它们包括相同的门限值，但以不同的空间分布排列。第一抖动矩阵应用于R、B和A通道，而第二抖动矩阵应用于G通道。

公开(公告)号：CN1953307A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510116374.0

申请日：2005-10-21

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 克劳迪欧·阿德拉格纳 ,  莫罗·范纳尼 ,  朱塞皮·噶塔瓦里

IPC: H02M1/14 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M1/4225 ,  H02M2001/0022 ,  H02M2001/0025 ,  Y02B70/126

Abstract: 一种用于强制开关电源单元内功率因数校正的装置，包括转换器(20)和与转换器(20)连接的控制装置(100)以便输出从输入交流干线电压(Vin)获得稳定的直流电压(Vout)，转换器(20)包括功率晶体管(M)而控制装置(100)包括：差分放大器(3)，差分放大器(3)的反相输入端上输入与调节过的电压(Vout)成正比的第一信号(Vr)；同相输入端输入基准电压(Vref)；与差分放大器(3)的输出端连接的功率晶体管(M)的驱动电路(4－7，10)，控制装置(100)包括适于产生表示有效输入电压的电流信号(It)的装置(42，Cff，101，Rt，102)，电流信号(It)输入到差分放大器(3)反相输入端，以响应有效输入电压的变化来改变上述调节过的电压(Vout)。

公开(公告)号：CN1303673C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN02143331.3

申请日：2002-09-25

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕斯卡·迦德斯

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/404

Abstract: 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于：侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。

公开(公告)号：CN1279693C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN01819743.4

申请日：2001-11-30

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 法布里斯·居顿 ,  丘克里·卡鲁伊

IPC: H03H7/06

CPC classification number: H03H7/06 ,  H03H7/1758

Abstract: 本发明涉及一种滤波器，是用电阻性(R)和电容性(C11、C12、C13、C14、C21、C22、C23、C24)元件以集成电路形式制作的，并包括：芯片(69)中互相不直接连接而是设计成各自连接到外壳(70)的至少二个分立端子(71-78)、用于接地的至少二个分立焊接点。

公开(公告)号：CN1835585A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510121765.1

申请日：2005-12-21

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 菲利普·P.·党

IPC: H04N7/24 ,  H04N7/26 ,  G06T3/40

CPC classification number: H04N19/523 ,  H04N19/43 ,  H04N19/436

Abstract: 一种子像素内插器包括可存储由全像素形成的视频信息的输入存储器。该子像素内插器还包括至少一个可执行子像素内插以并行地产生半像素和四分之一像素的内插单元。多个半像素和多个四分之一像素在子像素内插期间同时产生。另外，该子像素内插器包括可存储全像素、半像素和四分之一像素中的至少一些的输出存储器。在一些实施方式中，至少一个内插单元包括水平半像素内插单元、两个垂直半像素内插单元和四分之一像素内插单元，所有这些单元可以并行地操作。在特定的实施方式中，该内插单元由加法器和移位器形成，而且不包括任何乘法器。

公开(公告)号：CN1822398A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510121579.8

申请日：2005-12-23

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 弗雷德里克·拉努瓦 ,  西尔万·尼佐

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。

公开(公告)号：CN1822136A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510121690.7

申请日：2005-12-02

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 锡德里克·博斯卢姆 ,  简-迈克尔·戈雷恩

IPC: G11B7/09 ,  G11B7/12 ,  G11B20/10

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B7/123 ,  G11B20/10 ,  G11B20/14

Abstract: 一种用于从和/或在一旋转盘上读和/或写的装置，该装置包括放置在盘上方的并且通过一组电线与一母板相连接的一可移动光－机电装置。该光－机电装置包括致动器，一激光二极管，光电检测器，和一电子电路，每个光电检测器向该电子电路提供与接收到的光信号成比例的一模拟电信号，该电子电路控制该二极管和致动器。该电子电路包括将来自该光电检测器的模拟电信号数字化并传送该数字信号到一数字处理单元的一模/数转换器，该数字处理单元提供光－机电装置对于盘的准直的数据和一参考时钟信号，该参考时钟信号的周期完全取决于该光－机电装置扫过盘的一二进制位的时间期间的多倍或几分之一。

公开(公告)号：CN1252722C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN99805467.4

申请日：1999-06-30

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 亚历山德罗·曼斯特雷特 ,  安德烈亚·皮耶里 ,  圭多·托雷利

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C5/143

Abstract: 一种用于电可编程存储单元器件的整体集成式选择器，可以在输出端(OUT)在高电压(HV)和低电压(LV)之间转换。它包括从输出端快速地放电(GND)的管脚(N2、N1)和通过相位发生器(PHG)驱动选择器转换的放电控制管脚(P1、N3、N4)。

公开(公告)号：CN1755938A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510096675.1

申请日：2005-08-31

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 丹尼洛·马斯科洛 ,  詹弗兰科·切罗福利尼 ,  詹圭多·里佐托

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/781

Abstract: 一种纳米组件的接纳结构，其有益地包括：基片(1)；所述基片(1)上的n个阵列层(20，30，40)，n≥2，其在增长且平行的平面上连续地布置，每个阵列层包括和多个绝缘间隔物(12，42)交替出现且基本上垂直于所述基片(1)的多个导电间隔物(11，41)，以在连续的导电间隔物(11，41)之间限定至少一个间隙(13)，连续的阵列层(20，30，40)的导电间隔物位于不同且平行的平面上，不同阵列层的所述间隙(13)至少部分地沿着基本上垂直于所述基片(1)的方向排列，以限定沿着所述方向延伸且适合于接纳至少一个纳米组件的多个横向接纳座(13a，130a)。同样说明了包含这样的接纳结构的纳米电子器件以及用于实现它的方法。

公开(公告)号：CN1755895A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510096677.0

申请日：2005-08-31

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 丹尼洛·马斯科洛 ,  詹弗兰科·切罗福利尼 ,  詹圭多·里佐托

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/701

Abstract: 一种用于实现纳米器件的接纳结构(A，B)的方法，所述方法包含以下步骤。在第一材料的基片(10)的上表面(12)上沉积具有至少一个侧壁(18)的块种晶(15)。在所述表面(12)的至少一个部分上和块种晶(15)上沉积第二材料的预定厚度的第一层(20)，随后选择性地和各向异性地蚀刻它，以实现和侧壁(18)相邻的间隔物种晶(22)。然后所述方法重复步骤n次，n＞＝2，所述步骤包含在基片(10)上沉积预定材料的层(20，30)，随后是该层的选择性的和各向异性的蚀刻，以实现至少一个相关的间隔物(25，35)。该预定的材料对每对连续的沉积是不同的。上述n个步骤规定了至少一个多层体(50，150，250)。然后所述方法提供以下的步骤：选择性地蚀刻多层体(50，150，250)，以去除一部分间隔物，以实现至少一组多个纳米接纳座(40)，剩余的一部分间隔物实现了用于所述接纳座(40)中接纳的多个分子晶体管的接触终端。