公开(公告)号：KR1020160018641A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020160012444

申请日：2016-02-01

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  배정운 ,  백주열 ,  최상대

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02

Abstract: 기재의증착대상면에박막을증착하는원통형스퍼터링캐소드장치및 이를이용한박막증착방법에관한것으로서, 외주면에타겟을가지고상호평행하게이격배치된적어도한 쌍의원통형타겟조립체; 상기각 타겟조립체내부에마련되며, 상기타겟조립체의축선을중심으로미리설정된회전각범위로회전가능한마그네트조립체; 상기타겟조립체를회전시키며, 상기마그네트조립체를회전및 회전위치유지시키는구동수단; 상기박막의증착과정에서증착두께별로미리설정된적어도 2단계의증착단계에따라상기마그네트조립체의회전각을미리설정된상기증착단계별회전각을갖도록상기구동수단의구동을제어하는제어부를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 기재의재질이한정되지않고, 기재및 초기증착층이플라즈마에의한데미지를입지않으면서고속으로안정적인박막증착이가능한원통형스퍼터링캐소드장치및 이를이용한박막증착방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在基材的沉积靶上沉积薄膜的圆柱形溅射阴极器件及其使用的溅射方法。 更具体地，圆柱形溅射阴极器件包括：至少一对圆柱形靶组件，其在其外圆周表面上具有靶并且彼此平行间隔开; 设置在每个目标组件内的磁体组件，其可以在基于目标组件的轴线的预定旋转角度的范围内旋转; 操作单元，其使目标组件旋转，旋转磁体组件并保持其旋转; 以及控制单元，其控制所述操作单元的操作，使得所述磁体组件在沉积薄膜的过程期间根据每个沉积厚度的至少两个预定沉积步骤具有每个沉积步骤的预定旋转角度。 因此，本发明提供了一种不限制基材种类的圆柱形溅射阴极器件，不会通过等离子体损坏基体材料和初始沉积层，并且可以高速稳定地沉积薄膜; 和使用其的溅射法。

公开(公告)号：KR101555244B1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：KR1020130106761

申请日：2013-09-05

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50

Abstract: 본발명은배치타입화학기상증착장치에관한것으로서, 진공공간을형성하는진공챔버; 상기진공챔버내부의진공도를조절하는진공조절부; 상기진공챔버내부에성막가스를공급하는가스공급부; 성막대상인기재를상기진공챔버내부에서공전및 자전가능하게거치시키는공자전거치유닛; 상기기재의공전및 자전영역인접하게배치되는중공관체의전극과, 상기전극내부에마련되어상기기재의공자전영역을향하는자기장을발생하는자기장발생부재를갖는적어도하나의전극유닛; 상기전극유닛으로전원을인가하는전원공급부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 플라즈마화학기상증착법을이용하여증착대상인기재의표면에효과적으로플라즈마를밀집시킴으로써, 증착품질및 증착속도를현격하게향상시킬수 있는배치타입화학기상증착장치가제공된다.

公开(公告)号：KR1020150092058A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：KR1020150104772

申请日：2015-07-24

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  배정운 ,  백주열 ,  최상대 ,  정성훈

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/673

Abstract: 본 발명은 스토커 및 스토커용 픽업유닛에 관한 것으로서, 기판들을 각각 적재하며 상호 평행하게 인접하거나 이격되는 복수의 트레이를 갖는 카세트유닛; 상기 카세트유닛에 대해 상대 이동하여 상기 트레이들 중 선택된 어느 하나의 트레이를 그 양측의 트레이에 대해 인접시키거나 이격시키는 픽업유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 기판 적재 간격을 최소화하여 다량의 기판들을 적재하면서 스토커의 부피를 최소화할 수 있는 스토커 및 스토커용 픽업유닛이 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于储料器的储料器和拾取单元。 储料器的特征在于包括一个盒单元，其中板被堆叠，包括彼此平行或彼此分开相邻形成的多个托盘; 以及拾取单元，通过相对于盒单元相对移动，将在盘中选择的一个托盘放置在与所选托盘的两侧相邻或与托盘分离的位置。 据此，通过使堆叠板的间隔最小化，能够通过堆叠多个板而能够减小储料器的体积的储料器和拾取单元。

公开(公告)号：KR1020150044218A

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：KR1020130123326

申请日：2013-10-16

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  배정운 ,  백주열 ,  최상대 ,  정성훈

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  Y10S414/137

Abstract: 본발명은스토커및 스토커용픽업유닛에관한것으로서, 기판들을각각적재하며상호평행하게인접하거나이격되는복수의트레이를갖는카세트유닛; 상기카세트유닛에대해상대이동하여상기트레이들중 선택된어느하나의트레이를그 양측의트레이에대해인접시키거나이격시키는픽업유닛을포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 기판적재간격을최소화하여다량의기판들을적재하면서스토커의부피를최소화할수 있는스토커및 스토커용픽업유닛이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种储盘器及其拾取单元，包括：一个盒单元，具有多个彼此相对平行设置的托盘，或以彼此分离的方式装载托盘; 以及拾取单元，其相对于盒单元移动并将托盘中的选定托盘朝向或远离所选托盘的任一侧移动。 因此，本发明提供了一种储存器及其拾取单元，其可以最小化托盘之间的间隙，加载多个托盘，并使贮存器的体积最小化。

公开(公告)号：KR1020150021252A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020130098374

申请日：2013-08-20

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/513

Abstract: 본발명은플라즈마화학기상장치및 플라즈마화학기상장치용전극유닛에관한것으로서, 전극유닛은축선방향으로볼 때원형단면을갖는중공관체로마련되며, 일정주기마다일정한회전각도만큼씩회전하여상기회전각도에대응하는외주면일부영역이기재를향하도록위치하는원형전극과, 상기원형전극을상기회전각도만큼씩회전시키는회전각설정수단을포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 원형전극의클리닝및 교체주기를증가시킬수 있고, 파티클발생및 이상아크발생을최소화하여원형전극의사용효율을향상시킬수 있는플라즈마화학기상장치및 플라즈마화학기상장치용전극유닛이제공된다.

Abstract translation: 等离子体化学气相装置及等离子体化学气相装置用电极装置技术领域本发明涉及等离子体化学气相装置及等离子体化学气相装置用电极单元。 电极单元设置为在轴线方向观察时具有圆形横截面的中空管状体，并且包括以预定旋转角度周期性旋转以具有与旋转角度相对应的外周表面的一部分的圆形电极 朝向基座构件定位; 旋转角度设定器使圆形电极周向旋转旋转角度。 因此，提供了等离子体化学气相装置和用于等离子体化学气相装置的电极单元，其能够延长用于清洁和替换圆形电极的循环，并且使颗粒产生和异常电弧产生最小化以提高使用效率。

公开(公告)号：KR1020150002434A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：KR1020140016468

申请日：2014-02-13

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321

Abstract: 본 발명은 플라즈마 화학기상 장치용 전극에 관한 것으로서, 중공체로 마련되는 내부관; 상기 내부관의 둘레를 열교환유체 수용공간을 두고 둘러싸는 외부관; 상기 내부관에 수용되는 적어도 하나의 자기장발생부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 자기장발생부재의 손상 및 기능적 특성 저하를 방지함과 동시에, 열교환유체 소모량을 줄일 수 있는 플라즈마 화학기상 장치용 전극이 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及等离子体化学气相装置用阴极。 阴极包括中空体的内管; 封闭内管的外管，具有用于接收内管和外管之间的热交换流体的空间; 以及容纳在内管中的至少一个磁场产生元件。 可以防止磁场产生场被损坏并且功能特征降低。 此外，可以减少热交换流体的消耗量。

公开(公告)号：KR1020140078522A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020130075409

申请日：2013-06-28

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus which carries out a series of plasma chemical vapor deposition processes on the surface of a substrate. The plasma CVD apparatus comprises: a chamber having a vacuum space; a vacuum regulating part to regulate the degree of vacuum for a vacuum space; a gas supplying part to supply gas for the corresponding process inside the vacuum space; a plurality of round electrodes which are arranged in intervals from one another to be able to rotate inside the vacuum space and on which the substrate is wound; a plurality of guide rolls which are arranged on one side of the round electrodes in intervals from one another to be able to rotate and on which the substrate is selectively wound around the guide rolls or not wound around the guide rolls when the process relative to the substrate is a process relative to one side of the substrate or relative to both sides of the substrate; a magnetic field generating member mounted inside the round electrode to be able to regulate a rotation angle in order to generate a magnetic field to form a plasma toward the substrate which is wound around the round electrode; and a power supply part to supply electric power to each round electrode. The plasma chemical vapor deposition apparatus can selectively carry out deposition, etching or surface treatment on one side or on both sides of the substrate and minimize the increase in size and manufacturing costs of the apparatus.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积（CVD）技术领域本发明涉及一种在衬底表面上执行一系列等离子体化学气相沉积工艺的等离子体化学气相沉积（CVD）装置。 等离子体CVD装置包括：具有真空空间的室; 用于调节真空空间的真空度的真空调节部件; 气体供给部，为真空空间内的相应工序供给气体; 多个圆形电极，它们彼此间隔设置成能够在真空空间内旋转并且其上缠绕有基板; 多个引导辊，其布置在圆形电极的一侧上，彼此间隔开以能够旋转，并且当相对于所述导向辊的过程相对于所述导向辊而言，所述基板选择性地缠绕在所述引导辊周围或不缠绕在所述引导辊周围 衬底是相对于衬底的一侧或相对于衬底的两侧的工艺; 安装在所述圆形电极内的磁场产生部件，以能够调节旋转角度，以产生磁场，以形成等离子体，所述等离子体卷绕在所述圆形电极上; 以及向每个圆形电极供电的供电部。 等离子体化学气相沉积装置可以选择性地在衬底的一侧或两侧进行沉积，蚀刻或表面处理，并最小化装置的尺寸和制造成本的增加。

公开(公告)号：KR1020140078145A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020120147168

申请日：2012-12-17

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/44

Abstract: The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition device and an in-situ cleaning method for a plasma chemical vapor deposition device. The plasma chemical vapor deposition device comprises a vacuum chamber; a vacuum adjustment part for adjusting the internal vacuum degree of the vacuum chamber with the vacuum degree of a deposition process and a cleaning process; a gas supply part for supplying film forming gas into the vacuum chamber in the deposition process and cleaning gas into the vacuum chamber in the cleaning process; a cylindrical plasma cathode for generating plasma to form a thin film on a base member positioned inside the vacuum chamber; and a power supply part for applying high frequency power to the cylindrical plasma cathode. Thus, the present invention can easily perform the in-situ cleaning process of the vacuum chamber using the cylindrical plasma cathode.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置和等离子体化学气相沉积装置的原位清洗方法技术领域 等离子体化学气相沉积装置包括真空室; 真空调节部件，用于以真空度进行沉积处理和清洁处理来调节真空室的内部真空度; 气体供给部，其用于在沉积工序中将成膜气体供给到真空室中，并且在清洗过程中将气体清洗成真空室; 用于产生等离子体以在位于所述真空室内部的基底构件上形成薄膜的圆柱形等离子体阴极; 以及用于向圆柱形等离子体阴极施加高频功率的电源部分。 因此，本发明可以容易地使用圆柱形等离子体阴极进行真空室的原位清洁处理。

公开(公告)号：KR1020140072781A

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020130075400

申请日：2013-06-28

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32669 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3277

Abstract: The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition apparatus which comprises a vacuum chamber; a vacuum adjusting unit for adjusting the degree of vacuum inside the vacuum chamber; a gas supply unit for supplying a process gas into the vacuum chamber; at least three film forming rolls which are adjacently arranged in the vacuum chamber to rotate and has outer circumferential sides around which a substrate is wound; a substrate transfer unit for transferring the substrate; a magnetic field generating member which is arranged in an inside of at least one film forming roll among the film forming rolls to generate a magnetic field for forming plasma on an area where the film forming rolls are close to each other; and a power supplying unit for supplying power to the film forming rolls. Accordingly, the plasma chemical vapor deposition device capable of forming a film at a high speed and minimizing the size of the device and the increase of manufacturing costs.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种包括真空室的等离子体化学气相沉积装置， 真空调节单元，用于调节真空室内的真空度; 用于将处理气体供给到真空室中的气体供给单元; 至少三个成膜辊相邻布置在真空室中以旋转，并具有围绕基材卷绕的外周侧; 用于转移衬底的衬底转移单元; 在所述成膜辊中的至少一个成膜辊的内侧配置的磁场产生部件，在所述成膜辊彼此靠近的区域产生用于形成等离子体的磁场; 以及用于向成膜辊供电的供电单元。 因此，能够高速地形成膜并使装置的尺寸最小化并且增加制造成本的等离子体化学气相沉积装置。

公开(公告)号：KR101366838B1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：KR1020110069398

申请日：2011-07-13

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  박강일 ,  서성만

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/203 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 인라인 스퍼터링 시스템에 관한 것으로, 로딩된 기판을 일정 온도로 가열하는 히팅 챔버, 가열된 기판에 제1 물질을 증착하여 기판 상에 제1 물질층을 형성하는 제1 증착 챔버, 제1 물질층을 건식 식각하는 텍스처링 챔버 및 건식 식각된 기판을 후처리하는 후공정 챔버를 포함하여 구성되어, 히팅 챔버로 이송된 기판이 제1 증착 챔버, 텍스처링 챔버, 제2 증착 챔버 및 후공정 챔버를 거치면서 스퍼터링 전 공정 완료 후 외부로 배출되는 효과를 얻을 수 있다.