公开(公告)号：CN101233265B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680027936.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

公开(公告)号：CN101466878B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN102084040A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125962.7

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。

公开(公告)号：CN102084039A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN101473075A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780023255.8

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供了AlxGa1－xN晶体生长方法以及AlxGa1－xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1－xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1－xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1－xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1－xN晶体10，以减少AlxGa1－xN晶体10中的位错。