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公开(公告)号：CN1934283A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009042.0
申请日：2005-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C22C1/0441 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/005 , H01F1/057 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/1007 , B22F2201/02 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 一种R－Fe－B基稀土永磁体材料，其由重量百分比为25－45重量％的R、0.1－4.5重量％的Co、0.8－1.4重量％的B、0.05－3.0重量％的Al、0.02－0.5重量％的Cu、0.03－0.5重量％的M、0.01－0.5重量％的C、0.05－3.0重量％的O、0.002－0.1重量％的N、0.001－2.0重量％的F组成，其余是Fe和偶然杂质，其中R是选自Nd、Pr、Dy、Tb和Ho中的至少一种元素，并且M是选自Zr、Hf、Ti、Cr、Nb、Mo、Si、Sn、Zn、V、W和Cr中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1301513C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN99126171.2
申请日：1999-12-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01F1/053
Abstract: 公开了一种稀土/铁/硼基永磁体合金组合物，能够由粉末冶金工艺将其制成具有优异的矫顽力和剩余磁通密度及良好的磁滞回线矩形比的永磁体。该磁体合金组合物的组成是：(a)28-35wt%的稀土元素，选自钕、镨、镝、铽和钬；(b)0.1-3.6wt%的钴；(c)0.9-1.3wt%的硼；(d)0.05-1.0wt%的铝；(e)0.02-0.25wt%的铜；(f)0.02-0.3wt%的锆或铬；(g)0.03-0.1wt%的碳；(h)0.1-0.8wt%的氧；(i)0.002-0.2wt%的氮；和(j)满足100wt%的余量是铁和不可避免的杂质元素。
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公开(公告)号：CN1685451A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823303.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01F41/028 , H01F7/021 , H02K15/03
Abstract: 一种放射状各向异性环形磁铁，其具有良好的磁性特性，并且遍及整个磁铁具有其中心轴和放射状各向异性给予方向之间80～100°的角度，由压制操作制造。
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公开(公告)号：CN1106453C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00104690.X
申请日：2000-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 公开了一种新型的稀土/铁/硼基磁体合金薄带，是采用带铸法通过合金熔体快淬而制备的，采用粉末冶金法由此获得烧结永磁体。当作为其基体材料的合金薄带具有含1-10%体积的“四相区”的金相结构时，可以极大地改善烧结永磁体的磁性能，特别是剩余磁通密度，四相区的组成如下，(a)α-铁相，(b)富R相，R是选自镨、钕、铽和镝，(c)RxT4B4相，T是铁或铁和除铁及稀土元素之外的过渡金属的组合，x是随稀土元素含量变化的正数，(d)R2T14B相，其中R和T的定义均与上述相同，每种相以处于限制范围内的晶粒直径分散。
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公开(公告)号：CN1405954A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02131524.8
申请日：2002-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01F3/04 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/30 , H01F1/14775 , H04R9/00
Abstract: 一种具有0.1到5mm的量规和在0到10赫兹的带材内磁场强度发生变化的铁合金带材，该带材由铁合金构成，铁合金基本包括，以重量百分比表示，0.0001－0.02％的C，0.0001－5％的Si，0.001－0.2％的Mn，0.0001－0.05％的P，0.0001－0.05％的S，0.0001－5％的Al，0.001－0.1％的O，0.0001－0.03％的N，0－10％的Co，0－10％的Cr，占总量0.01－5％的Ti、Zr、Nb、Mo、V、Ni、W、Ta和/或B，和余量铁，和具有饱和磁通量密度为1.7－2.3特斯拉，最大相对磁导率为1200－22000和矫顽磁力为20－380A/m，适用作音圈电机磁路的磁轭。该铁合金带材具有很高的耐蚀性，并且不需要抗蚀性涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107849733B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201680042594.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C04B35/565 , C04B41/85 , C04B41/88 , C30B19/06
Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN115787083A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211092838.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法。通过以下生产SiC单晶：将硅与提高碳溶解度的金属性元素M的熔融合金浸入SiC烧结体中以形成SiC坩埚，将硅和M置于该坩埚中并加热该坩埚以熔化硅和M并形成Si‑C溶液，将硅和碳从与该溶液接触的该坩埚的表面溶解在该溶液中，使SiC籽晶与该溶液的顶部接触以通过溶液工艺在该SiC籽晶上生长第一SiC单晶，和通过升华或气体工艺在溶液生长的第一SiC单晶的面上大块生长第二SiC单晶。这个方法能够通过气相工艺生产低位错、高品质SiC单晶。
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公开(公告)号：CN104975333B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510159672.1
申请日：2015-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C25D21/18
Abstract: 在萃取槽中，用萃取剂在不溶于水的有机溶剂中的萃取溶液处理包含稀土金属离子的电镀溶液。萃取处理通过下列步骤进行：将萃取溶液通过下部喷嘴雾化入所述槽下部区域中的电镀溶液，和将电镀溶液通过上部喷嘴雾化入所述槽上部区域中的萃取溶液，由此使所述电镀溶液与所述萃取溶液接触，以便从电镀溶液中将稀土金属离子萃取至萃取剂中而除去。
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公开(公告)号：CN104885238B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201380068227.3
申请日：2013-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/616 , C09K11/02 , C09K11/617 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/507
Abstract: 波长转换部件,是包含以30质量%以下的含量分散复合氟化物荧光体的、选自聚烯烃、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、氟树脂、丙烯酸系树脂、尼龙、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氯乙烯树脂和聚醚树脂中的1种或2种以上的热塑性树脂的树脂成型体,该复合氟化物荧光体由A(MMn)F(式中,M为选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的1种或2种以上的4价元素,A为选自Li、Na、K、Rb和Cs并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属,x为0.001~0.3。)表示,粒度分布中的体积累计50%的粒径D50为2μm以上200μm以下。
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公开(公告)号：CN105773457A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610214798.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及外刃切割砂轮及其制造方法，该外刃切割砂轮，包含硬质合金的环形薄圆片基底，该环形薄圆片基底的外径为80?200mm，内径为30?80mm，厚度为0.1?1.0mm，及位于该基底的外周缘的刃部，刃部包含与杨氏模量为0.7?4.0×1011Pa的金属结合材料结合的金刚石磨粒和/或CBN磨粒，并且刃部的厚度比基底的厚度至少大0.01mm。所述外刃切割砂轮能够以高精度和低公差切割工件，改善了机加工成品率，并减少了机加工成本。
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