公开(公告)号：KR101280567B1

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020117013086

申请日：2009-11-02

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마마사키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 처리 용기 내의 천장면에 인접하여 설치되고, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내로 방출하는 유전체판(305)과, 유전체판(305)의 플라즈마측의 면에서 유전체판(305)에 인접하여 설치되어, 주연부에서 유전체판(305)의 일부를 처리 용기 내에 노출시키는 마름모 형상의 금속 전극(310)을 가진다. 금속 전극(310)과 유전체판(305)은, 처리 용기(100)의 천장면을 구획하는 가상 영역이며 금속 전극(310)의 2 개의 대각선(D1, D2)에 각각 평행한 2 개씩의 직선으로 규정되고, 금속 전극(310)과 유전체판(305)을 포함하는 최소의 직사각형 영역을 셀 영역(Cel)으로 하며, 셀 영역(Cel)의 단변의 길이에 대한 장변의 길이의 비는 1.2 이하로 되어 있다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置10包括处理容器100，用于输出微波的微波源900，与处理容器内的天花板场景相邻配置的微波发生器900， 并且，在电介质板305的等离子体侧的面上，与电介质板305相邻地设置，且具有菱形的电介质板305 和金属电极310。 金属电极310和电介质板305，两个相应的直的平行的两个上的一个对角（D1，D2）的虚拟区域的线，和金属电极（310），其限定一个处理容器的顶面（100） 被定义，金属电极310和长边长度相对于电介质板305和在单元区（CEL）的最小矩形区域的短边的长度的比例，小区区域（CEL），其包括一个为1.2或更小 是的。

公开(公告)号：KR101229843B1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：KR1020107022951

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 특성 임피던스가 입력측과 출력측에서 상이한 동축관 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판을 플라즈마 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송시키는 제1 동축관(610)과, 처리 용기(100)의 내측에 면한 상태에서 제1 동축관(610)에 인접하여, 제1 동축관(610)을 전송한 마이크로파를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는 유전체판(305)을 구비한다. 제1 동축관(610)의 내부 도체(610a)와 외부 도체(610b)와의 두께의 비는 길이 방향을 따라서 일정하지 않은 구조를 갖고 있다.

公开(公告)号：KR1020110082193A

公开(公告)日：2011-07-18

申请号：KR1020117013086

申请日：2009-11-02

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마마사키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 처리 용기 내의 천장면에 인접하여 설치되고, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내로 방출하는 유전체판(305)과, 유전체판(305)의 플라즈마측의 면에서 유전체판(305)에 인접하여 설치되어, 주연부에서 유전체판(305)의 일부를 처리 용기 내에 노출시키는 마름모 형상의 금속 전극(310)을 가진다. 금속 전극(310)과 유전체판(305)은, 처리 용기(100)의 천장면을 구획하는 가상 영역이며 금속 전극(310)의 2 개의 대각선(D1, D2)에 각각 평행한 2 개씩의 직선으로 규정되고, 금속 전극(310)과 유전체판(305)을 포함하는 최소의 직사각형 영역을 셀 영역(Cel)으로 하며, 셀 영역(Cel)의 단변의 길이에 대한 장변의 길이의 비는 1.2 이하로 되어 있다.

公开(公告)号：KR101048942B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：KR1020090016233

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H05H1/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 과제는 가스의 공급 위치를 적정화하는 것이다. 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 플라즈마가 여기되는 용기(100)와, 용기내에 플라즈마를 여기하기 위한 마이크로파를 공급하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 공급된 마이크로파를 전파시키는 동축관(600, 315 등등)과, 용기(100)의 내측에 면한 상태에서 동축관(315)에 인접하고, 각 동축관을 전파한 마이크로파를 투과시켜서 용기(100)의 내부로 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 용기내에 플라즈마를 여기하기 위한 가스를 공급하는 가스 공급원(800)과, 복수의 유전체판(305)의 각각의 내부를 관통하고, 그 관통구인 가스 구멍(A)으로부터 가스를 용기내에 도입하는 가스 유로(810)를 갖는다. 금속 전극(310)을 관통한 가스 구멍(B)과 가스 구멍(A)은 등피치로 배치된다.

公开(公告)号：KR101016147B1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：KR1020080054759

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

Abstract: 플라즈마 처리 장치(10)는 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파를 전송시키는 동축관의 내부 도체(315a)와, 관통 구멍(305a)를 갖고, 내부 도체(315a)가 전송한 마이크로파를 투과시켜서 처리 용기(100)의 내부에 방출하는 유전체판(305)과, 관통 구멍(305a)을 거쳐서 내부 도체(315a)에 연결되고, 적어도 일부가 유전체판(305)의 기판 측의 면에 인접한 상태에서 유전체판(305)의 기판 측의 면으로부터 노출한 금속 전극(310)을 갖는다. 금속 전극(310)의 노출면 중 일면이 유전체 커버(320)로 덮여져 있다.

公开(公告)号：KR100984659B1

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020087004094

申请日：2006-08-04

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: 피처리 기판이 대면적화되어도 균일 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치는, 도파관 (102) 에 도입된 마이크로파를, 슬롯 (103) 을 통과시켜 유전체판 (104) 에 전파시키고, 진공 용기 (101) 중에 공급된 가스를 플라즈마화시켜 기판 (107) 표면에 플라즈마 처리를 실시하는 장치로서, 복수의 도파관 (102) 을 병렬로 배치하고, 각 도파관 (102) 마다 복수의 유전체판 (104) 을 형성하고, 인접하는 유전체판 (104) 사이에 도체로 이루어지고 접지된 칸막이 부재 (106) 를 배치한다. 플런저 (111) 를 상하로 움직여, 도파관 (102) 의 관내 파장을 최적값으로 조정한다. 또, 유전체판과 인접하는 부재의 간극에서 의도하지 않은 플라즈마가 발생하는 경우가 없어, 안정된 플라즈마를 효율적으로 발생시킬 수 있다. 결과적으로, 고속 그리고 균일한 에칭, 성막, 클리닝, 애싱 등의 처리를 가능하게한다.
마이크로파 공급 시스템, 도파로, 유전체판, 도파관

公开(公告)号：KR100942094B1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020070102596

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로 ,  기타무라마사유키 ,  무라타히토시

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30

Abstract: 본 발명은 원격 챔버나 전용 마이크로파원 등이 불필요한 간단한 구성으로, 처리실 내의 퇴적물을 클리닝할 수 있는 기술을 제공한다. 이를 위해, 도파관으로 전파되어, 처리실의 내면에 배치된 유전체에 전파시켜진 마이크로파에 의해, 처리실 내에 공급된 소정의 가스가 플라즈마화되어서, 처리실 내에 배치된 피처리체에 플라즈마 처리가 실시되는 플라즈마 처리 장치로서, 도파관 내에, 적어도 일부가 유전체 재료로 이루어지는 칸막이 벽으로 둘러싸인 공간부가 형성되고, 이 공간부를 통해서 처리실에 클리닝 가스를 공급시키는 클리닝 가스 유로가 마련되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080006650A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：KR1020080000677

申请日：2008-01-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 기타무라마사유키 ,  히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192

Abstract: A plasma processor and a plasma processing method are provided to effectively transfer a microwave along a surface of a dielectric material by arranging plural dielectric materials on at least two light waveguides. A microwave is introduced into a waveguide(25) and propagated along a dielectric material. A gas which is supplied to a process chamber(2), is converted into a plasma. A substrate is treated in a plasma atmosphere. Plural waveguides are aligned in the process chamber. Plural dielectric materials(22) are arranged in the respective waveguides. First and second slots(40) are implemented on the respective dielectric materials. The waveguide has a rectangular shape. The dielectric material has a rectangular planar shape. At least one gas spray hole is implemented to supply a predetermined gas into the process chamber.

Abstract translation: 提供等离子体处理器和等离子体处理方法，以通过在至少两个光波导上布置多个介电材料来有效地沿着电介质材料的表面传递微波。 将微波引入到波导（25）中并沿着介电材料传播。 供给到处理室（2）的气体被转换为等离子体。 在等离子体气氛中处理基板。 多个波导在处理室中对准。 多个电介质材料（22）布置在相应的波导中。 在相应的电介质材料上实现第一和第二槽（40）。 波导具有矩形形状。 电介质材料具有矩形平面形状。 实施至少一个气体喷射孔以将预定气体供应到处理室中。

公开(公告)号：KR101340337B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020117016530

申请日：2009-11-02

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판(G)을 플라즈마 처리하기 위한 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로와, 처리 용기(100)의 내면에 설치되어, 마이크로파를 처리 용기(100) 내로 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)으로 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로를 전송해 온 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 동축관 분배기(600)를 갖는다. 동축관 분배기(600)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과, 복수의 제1 동축관(610)에 연결되는 상이한 구성의 분기 구조(B1, B2)를 포함한다.

公开(公告)号：KR101046191B1

公开(公告)日：2011-07-04

申请号：KR1020090014135

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 홍고토시아키 ,  히라야마마사키 ,  오미타다히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 설치 상태 또는 치수 오차에 의한 슬롯 안테나에서의 전류 흐름의 불균일성을 배제하여, 균일한 플라즈마 생성을 가능하게 한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 금속으로 형성된 처리 용기의 일부를 이루는 플레이트 커버(14)의 상부 개구를 폐쇄하도록 유전체(4)를 배치하고, 유전체(4)의 상부에 플라즈마를 발생시키는 슬롯 안테나(5)를 배치하고, 슬롯 안테나(5)의 외연과 플레이트 커버(14)의 내벽부를 전체 둘레에 걸쳐, 탄성을 갖는 도전성 부재(20 또는 25)에 의하여 직접 접촉시키고, 슬롯 안테나(5)에 마이크로파를 공급한 때에, 플레이트 커버(14)와 슬롯 안테나(5)와의 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 전기적 접속을 확보할 수 있으므로, 플레이트 커버(14)의 내벽부와 슬롯 안테나(5)의 외연과의 사이의 전기 저항의 크기를 대략 동일하게 하여, 슬롯 안테나(5)에 흐르는 마이크로파 전류의 크기를 대략 동일하게 한다.

Abstract translation: 为了消除在根据安装条件或尺寸误差的缝隙天线的电流流动的非均匀性，并提供了一个使能均匀的等离子体处理装置，生成等离子体。 放置电介质（4），以关闭该治疗板盖14是由金属形成的容器的一部分的上部开口，并放置缝隙天线（5），用于在电介质4的上部分中产生等离子体，并且缝隙天线 当如图5所示，外边缘和在板盖14的内壁的整个周缘部，具有导电性构件的弹性（20或25）的直接接触，以及微波供给到缝隙天线（5），板盖（ 14）和缝隙天线5与板盖14，内壁部与缝隙天线（5），所述内壁部分和一个缝隙天线（5）的外边缘，板盖（14，能够确保与电连接）的 流过缝隙天线5的微波电流的大小彼此大致相等。