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公开(公告)号：KR1020070035848A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020050090720
申请日：2005-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/06
Abstract: 위치 결정용 캡을 구비하는 현상 카트리지가 개시된다. 본 발명의 현상 카트리지에 따르면, 핸들을 밀면 화상형성장치 본체의 캡 구멍에 끼워지고 핸들을 당기면 캡 구멍에서 이탈되는 캡이 현상 카트리지의 양 측면에 구비되며, 캡과 캡 구멍의 체결에 의하여 화상형성장치 본체의 소정 위치에 현상 카트리지가 안정적으로 장착되고, 진동이나 충격시에 현상 카트리지의 유동이 방지되어 안정된 화상 품질을 유지할 수 있고, 핸들을 밀거나 당기는 간단한 조작에 의하여 현상 카트리지가 장착되거나 분리되며, 무리한 힘의 작용에 의한 화상형성장치의 파손이 방지된다.
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公开(公告)号：KR100604793B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1019990050900
申请日：1999-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039
Abstract: 감광성 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시된다. 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물은 건식식각 내성이 크고, 막질에 대한 접착력이 우수하며, 통상의 현상액(2.38 중량% TMAH 용액)을 이용하여 패터닝할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100604779B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1019990027891
申请日：1999-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 자기정렬 콘택을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 기판과 상기 기판 상에 형성된 게이트 적층물과 상기 게이트 적층물의 측면에 형성된 스페이서와 상기 게이트 적층물 및 상기 스페이서가 형성된 결과물 상에 형성되어 있되, 상기 스페이서 사이의 기판을 노출시키는 콘택홀을 포함하는 층간 절연막과 상기 층간 절연막과 그 하부막질 사이에 형성되어 있되, 상기 층간 절연막 및 스페이서보다 큰 식각선택비를 갖는 물질층 및 상기 콘택홀을 채운 도전층 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 콘택을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 물질층은 비정질 탄소층으로써 스토퍼층으로 사용된다. 상기 물질층으로 인해 고 종횡비를 갖는 콘택홀을 완전하게 형성하면서도 상기 게이트 적층물이 노출되거나 그 스페이서가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100585182B1
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020050087645
申请日：2005-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PAG (photoacid generator)와 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물에 대하여 개시한다. 상기 감광성 폴리머는 산에 의해 분해 가능한 치환기 또는 극성 작용기를 가지는 코모노머와, 알킬 비닐 에테르와 무수 말레인산과의 공중합체를 포함한다. 상기 공중합체는 다음 식으로 표시된다.
식중, k는 3 ∼ 8의 정수이고, X는 C
7 ∼ C
20 의 3차 환상 알콜이다.
알킬 비닐 에테르, 무수 말레인산, 3차 환상 알콜, 유리 전이 온도-
公开(公告)号：KR100568179B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020030065477
申请日：2003-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김현우
IPC: H04N5/04
CPC classification number: H04N5/04 , H04N5/4401 , H04N5/46 , H04N9/641 , H04N9/642 , H04N21/4122 , H04N21/440218 , H04N21/4621
Abstract: 본 발명은, 소정의 동기신호와 데이터 구간을 가지며 VESA 규격과 EIA/CEA 861B 규격 중 어느 하나인 제1영상신호규격으로 영상신호를 제공하는 영상신호제공부와, 상기 제1영상신호규격 및 상기 제1영상신호규격과 적어도 일부 상이한 동기신호와 동일한 데이터 구간을 가지며 VESA 규격과 EIA/CEA 861B 규격 중 나머지 다른 하나인 제2영상신호규격 중 어느 하나를 지원하며, 상기 영상신호제공부로부터의 영상신호를 출력하는 디스플레이장치를 갖는 디스플레이시스템에 있어서, 상기 제1영상신호규격과 상기 제2영상신호규격 중 어느 하나를 지원하는 디스플레이장치를 선택하기 위한 선택부와 상기 선택부를 통한 디스플레이장치 선택에 따라 상기 영상신호제공부로부터의 영상신호 중 동기신호를 제공받아 상기 제1영상신호규격의 동기신호규격과 상기 제2영상신호규격의 동기신호규격 중 선택된 디스플레이장치가 지원하는 영상신호규격의 동기신호로 변환하여 해당 디스플레이장치에 출력하도록 하는 동기신호변환부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사용자의 선택에 따라 각기 상이한 동기신호 규격을 가진 제1영상신호규격과 제2영상신호규격 중 어느 하나의 규격을 가진 영상신호를 선택적으로 출력할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100564590B1
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020030085830
申请日：2003-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/027
Abstract: 다중환 구조의 알케닐 에테르 모노머와 α-플루오르화 아크릴레이트 모노머와의 교호 공중합체 (alternating copolymer)로 이루어지는 감광성 폴리머 및 화학증폭형 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 구조의 제1 반복 단위를 포함하고 3,000 ∼ 100,000의 중량 평균 분자량을 가진다.
식중, R
1 및 R
2 는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, R
3 및 R
4 는 각각 수소 원자, 히드록시기, 또는 C
1 ∼ C
20 의 탄화수소 함유기이고, R
5 는 수소 원자 또는 C
1 ∼ C
20 의 탄화수소 함유기이다.
알케닐 에테르, 다중환, α-플루오르화 아크릴레이트, 교호 공중합체, 157nm-
公开(公告)号：KR100519768B1
公开(公告)日：2005-10-07
申请号：KR1020030023715
申请日：2003-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F17/30
Abstract: 반복매칭을 이용한 영상 검색방법 및 장치가 개시된다. 반복매칭을 이용한 영상 검색방법은 (a) 사용자가 선택한 질의영상과 영상 데이터베이스에 저장되어 있는 N개의 참조영상을 비교 검색하여 K개의 유사영상을 매칭순위대로 추출하는 단계; 및 (b) K개의 유사영상으로부터 선택된 매칭순위가 상위인 M개의 유사영상에 대하여 소정의 반복횟수만큼 반복매칭을 수행하여 상기 M개의 유사영상에 대하여 매칭순위를 재정렬하는 단계를 포함한다. 이에 따르면, 사용자가 선택한 질의영상으로 검색한 유사영상 중 상위에 랭크된 M개의 유사영상을 선택하고, M개 유사영상에 대하여 최상위 랭크 유사영상을 이용하여 반복을 수행하여 M개의 유사영상에 대하여 매칭순위를 재정렬하여 출력함으로써, 매칭의 정확도를 대폭 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 반복검색에 따른 검색엔진의 부하를 최소화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050078903A
公开(公告)日：2005-08-08
申请号：KR1020040006986
申请日：2004-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/32 , C11D1/28 , C11D1/72 , C11D3/2006 , C11D3/201 , C11D3/2017 , C11D3/202 , C11D11/0047 , G03F7/322 , G03F7/40 , H01L21/0273
Abstract: A cleaning solution for preventing the collapse of photoresist patterns and a method of cleaning a semiconductor device using the cleaning solution; the cleaning solution includes a solvent and a surfactant and has a dynamic surface tension of about 50 dyne/cm or less at about 6 bubbles/seconds when measured by a maximum bubble pressure method. The collapse of the photoresist pattern can be prevented using the cleaning solution when forming minute photoresist patterns having about 100 nm or less pattern width. The cleaning solution containing a surfactant in a high concentration also can be prepared to reduce distribution expenses.
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公开(公告)号：KR1020050077863A
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：KR1020040005460
申请日：2004-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김현우
IPC: G06T7/20
CPC classification number: G06T7/215 , G06T7/277 , G06T7/285 , G06T7/292 , G06T7/529 , G06T7/90 , G06T2207/10016 , G06T2207/10024
Abstract: 객체 추적 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 객체 추적 방법은 입력되는 영상으로부터 객체가 위치하는 지역을 분할하는 단계; 복수의 입자들에 대해 분할지역에 대한 소정 파라미터들을 예측하는 단계; 분할지역에 대한 비주얼 큐를 측정하는 단계; 및 측정된 비주얼 큐와 예측된 파라미터들을 이용하여 각 입자에 대해 파라미터들을 갱신하고, 갱신 결과들중 가장 큰 값을 갖는 입자의 파라미터들을 상기 객체의 파라미터들로 선택하는 단계를 포함함을 특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020050058916A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090941
申请日：2003-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/3146 , H01L21/32139 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/76838
Abstract: A pattern formation method comprises forming a material layer on a substrate, forming an amorphous carbon layer on the material layer, forming an anti-reflective layer on the amorphous carbon layer, forming a silicon photoresist layer on the anti-reflective layer, forming a silicon photoresist layer pattern by patterning the silicon photoresist layer, etching the anti-reflective layer and the amorphous carbon layer using the silicon photoresist layer pattern as an etch mask to form an amorphous carbon layer pattern, and etching the material layer using the amorphous carbon layer pattern as an etch mask to form a pattern in the material layer.
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