公开(公告)号：KR20210033344A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190114960A

申请日：2019-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동수 ,  방준석 ,  백지선 ,  정명호

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/21 ,  H04B1/04

CPC classification number: H03F1/0227 ,  H03F3/245 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H04B1/04 ,  H04B1/1607 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/324 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/504 ,  H03F2200/507 ,  H04B2001/0408

Abstract: 스위칭 회로를 포함하는 전원 변조 회로 및 이를 포함하는 무선 통신 장치가 개시된다. 본 개시에 따른 통신 회로는 제1 공급 전압을 제공하는 제1 전원 변조기, 상기 제1 공급 전압을 이용하여 제1 입력 신호를 증폭시킴으로써 제1 출력 신호를 생성하는 제1 전력 증폭기, 상기 제1 공급 전압을 이용하여 제2 입력 신호를 증폭시킴으로써 제2 출력 신호를 생성하는 제2 전력 증폭기 및 제1 스위칭 신호에 대응하여 상기 제1 전원 변조기로부터 제공되는 상기 제1 공급 전압을 상기 제2 전력 증폭기에 공급하는 스위칭 회로를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR100725372B1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020060010714

申请日：2006-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤제범 ,  고차원 ,  정명호 ,  여기성 ,  김상진

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1020060081561A

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：KR1020050002051

申请日：2005-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤세라 ,  홍창기 ,  이재동 ,  구주선 ,  배근희 ,  박정헌 ,  정명호 ,  박준상 ,  김영옥

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897

Abstract: 반도체 기판상의 자기정렬 콘택 형성 예정 영역에 보호막 패턴을 형성하고, 자기정렬 콘택 플러그를 형성하지 않는 나머지 영역에만 층간절연막을 형성함으로써 콘택 플러그 형성 예정 영역에서의 층간절연막 에칭 공정이 생략된 반도체 소자의 자기정렬 콘택 플러그 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 자기정렬 콘택 플러그 형성 방법에서는 콘택 플러그 형성 예정 영역인 제1 영역과 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비한다. 상기 반도체 기판상에 에칭 장벽층에 의하여 그 상면 및 측벽이 덮인 제1 도전층을 형성한다. 상기 반도체 기판상의 상기 제1 영역 위에만 상기 에칭 장벽층 및 상기 반도체 기판의 표면을 덮는 보호막 패턴을 형성한다. 상기 반도체 기판의 제2 영역 위에만 선택적으로 평탄화된 층간절연막을 형성한다. 상기 보호막 패턴을 제거하여 상기 제1 영역에서 상기 제1 도전층 및 에칭 장벽층 사이로 반도체 기판의 표면을 노출시킨다. 상기 제1 영역에서 노출된 반도체 기판의 표면 위에 상기 제1 도전층 및 에칭 장벽층에 의하여 자기정렬되는 콘택 플러그를 형성한다.
자기정렬 콘택, 희생막, PAE, CMP

公开(公告)号：KR100510558B1

公开(公告)日：2005-08-26

申请号：KR1020030090941

申请日：2003-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍진 ,  김현우 ,  정명호 ,  민경진

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76838

Abstract: 비정질 탄소막 및 실리콘 포토레지스트막을 이용한 패턴 형성 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 기판 상의 재료층 상에 비정질 탄소막, 반사 방지막 및 실리콘 포토레지스트막을 순차 형성하는 단계와, 상기 실리콘 포토레지스트막을 패터닝하여 실리콘 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 반사 방지막 및 비정질 탄소막을 선택적으로 식각함으로써 비정질 탄소막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 비정질 탄소막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판 상의 재료층을 선택적으로 식각함으로써 상기 기판 상의 재료층에 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100500453B1

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：KR1020030040773

申请日：2003-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  홍진 ,  정명호 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/095 ,  G03F7/091

Abstract: 이중층 레지스트의 하부 레지스트 층의 형성방법을 제공한다. 상기 형성방법에 있어서는 방향족기를 갖는 중합체와 메타크릴레이트 중합체를 혼합하고, 상기 혼합된 재료를 기판상에 도포하고, 상기 도포된 재료에 빔을 조사한다. 상기 방향족기를 갖는 중합체는 노볼락 중합체이거나 나프탈렌 중합체일 수 있다. 상기 방향족기를 갖는 중합체와 상기 메타크릴레이트 중합체를 혼합함으로써 하부 레지스트 층에 있어서 적정 흡광계수(k)를 확보할 수 있다. 또한, 상기 혼합된 재료에 빔을 조사함으로써 건식식각 내성을 증가시킬 수 있다. 결과적으로 적정 흡광계수(k)와 건식식각 내성이 증가된 하부 레지스트 층을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030087190A

公开(公告)日：2003-11-14

申请号：KR1020020025137

申请日：2002-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  우상균 ,  정명호

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: PURPOSE: A photosensitive polymer having homogeneously distributed hydrophobic units and hydrophilic units is provided to obtain a resist composition having excellent adhesion and resolution, and to reduce the bridging defects, peeling and swelling in a photolithographic process. CONSTITUTION: The photosensitive polymer comprises the structure of the following formula, wherein each of R1 and R2 is hydrogen atom or methyl group, R3 is an acid-liable hydrocarbon radical, R4 is a hydrophilic group, a/(a+b+c+d+e) is 0.01-0.6, b/(a+b+c+d+e) is 0.05-0.7, c/(a+b+c+d+e) is 0.01-0.6, d/(a+b+c+d+e) is 0.1-0.5 and e/(a+b+c+d+e) is 0.01-0.5. The photosensitive polymer has the weight average molecular weight of 3000-100,000. In particular, the R4 group is selected from the group consisting of hydroxyl, carboxyl, ether, lactone and hyperlactone.

Abstract translation: 目的：提供具有均匀分布的疏水单元和亲水单元的光敏聚合物，以获得具有优异的粘附性和分辨率的抗蚀剂组合物，并减少光刻工艺中的桥接缺陷，剥离和溶胀。 构成：感光性高分子包含下式的结构，其中R1和R2各自为氢原子或甲基，R3为酸性烃基，R4为亲水基团，a /（a + b + c + d + e）为0.01-0.6，b /（a + b + c + d + e）为0.05-0.7，c /（a + b + c + d + e）为0.01-0.6，d /（a + b + c + d + e）为0.1-0.5，e /（a + b + c + d + e）为0.01-0.5。 光敏聚合物的重均分子量为3000-100,000。 特别地，R 4基团选自羟基，羧基，醚，内酯和高内酯。

公开(公告)号：KR100598105B1

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020040045052

申请日：2004-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍진 ,  정명호 ,  김현우

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 무기 하드마스크막, 유기 마스크막, 반사방지막 및 실리콘함유 포토레지스트막이 적층된 다층의 마스크층을 형성하고, O
2 플라즈마로 상기 반사방지막 및 유기 마스크막을 건식식각하여 패턴을 형성함으로써 무기 하드마스크막의 손상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100558943B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040002657

申请日：2004-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재완 ,  전형조 ,  김용식 ,  심화섭 ,  안형민 ,  최호석 ,  정명호 ,  홍민 ,  김정학 ,  유영수 ,  김성채 ,  변승건 ,  유석인 ,  최규남 ,  이재영

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G09G3/006 ,  G06T7/0004 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  Y10S345/904

Abstract: 본 발명은 평판 디스플레이(FPD) 검사방법에 관한 것으로서, 평판 디스플레이에 영상신호를 인가하고 촬영 장치를 통해 상기 평판 디스플레이의 영상을 획득하는 단계와, 획득된 상기 평판 디스플레이의 영상으로부터 위치별 원본밝기정보를 산출하는 단계와, 상기 원본밝기정보를 기초로 곡선접합(curve fitting)에 따라 위치별 접합밝기정보를 산출하는 단계와, 상기 원본밝기정보와 상기 접합밝기정보의 밝기차를 위치별로 산출하는 단계와, 기설정된 허용범위 이상의 상기 원본밝기정보와 상기 접합밝기정보의 밝기차를 갖는 얼룩위치를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 평판 디스플레이의 영역형 얼룩을 신속하고 정밀하게 검사할 수 있다.
영역형 얼룩

公开(公告)号：KR1020050116281A

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020040041436

申请日：2004-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  우상균 ,  여기성 ,  정명호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/2022

Abstract: 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막(first organic polymer layer)을 형성하고, 상기 제 1 유기 폴리머막 상에 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 가지는 제 2 유기 폴리머막(second organic polymer layer)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막(silicon containing polymer layer)을 형성한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막은 상기 제 2 유기 폴리머막보다 얇은 두께로 도포할 수도 있고, 두꺼운 실리콘 함유 폴리머막을 도포한 후 에치백할 수도 있다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 산화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하여 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050052658A

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020030085829

申请日：2003-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  홍진 ,  정명호

IPC: H01L21/027

Abstract: BLR 공정에 의한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. BLR공정에 의하여 미세 패턴을 형성하는 데 있어서 하부막에서 언더컷 프로파일이 형성되는 것을 방지하기 위하여 마스크로 사용될 하부막을 염기성 물질로 처리한 후 그 위에 마스크용 상부막을 형성한다. 본 발명의 방법에서는 반도체 기판상에 피식각막을 형성한다. 피식각막 위에 제1 마스크층을 형성한다. 제1 마스크층을 염기성 물질로 처리한다. 제1 마스크층 위에 실리콘(Si)을 함유하는 포토레지스트 조성물로 이루어지는 제2 마스크층을 형성한다. 제2 마스크층을 포토리소그래피 공정에 의해 패터닝하여 제2 마스크 패턴을 형성한다. 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 제1 마스크층을 식각하여 상기 피식각막을 일부 노출시키는 제1 마스크 패턴을 형성한다. 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 피식각막을 건식 식각한다.