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公开(公告)号：KR1020030042875A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020010073685
申请日：2001-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A wafer edge exposure apparatus is provided to perform continuously a process by using a couple of light sources, alternately. CONSTITUTION: A couple of lamp modules(10) includes a UV lamp(11) for exposing an edge of a wafer. A switch(20) is connected with the lamp modules by an optical fiber(40). The switch is used for switching the power supplied to the lamp modules. A controller(30) is used for checking the illumination intensity of the UV lamp mounted in the inside of the lamp modules. The controller checks the illumination intensity of the UV lamp by using sensors(12) installed at the lamp modules. The controller is connected with an alarm portion(50) in order to generate an alarm sound when the checked value of the illumination intensity of the UV lamp corresponds to a predetermined value of the illumination intensity.
Abstract translation: 目的：提供晶片边缘曝光装置，以交替地使用一对光源连续地执行处理。 构成：几个灯模块（10）包括用于暴露晶片边缘的UV灯（11）。 开关（20）通过光纤（40）与灯模块连接。 该开关用于切换提供给灯泡模块的电源。 控制器（30）用于检查安装在灯模块内部的UV灯的照明强度。 控制器通过使用安装在灯泡模块上的传感器（12）来检查UV灯的照明强度。 当UV灯的照明强度的检查值对应于照明强度的预定值时，控制器与报警部分（50）连接以产生报警声。
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公开(公告)号：KR1020030030631A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020010062854
申请日：2001-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A laser marking apparatus for a semiconductor wafer is provided to effectively remove particles from a semiconductor wafer by enlarging the spray hole of the air nozzle. CONSTITUTION: A laser marking apparatus has a laser source(120) inscribed with an indicator for discriminating a semiconductor wafer(100). An air nozzle(130) is placed over the semiconductor wafer(100) to remove particles(150) generated from the semiconductor wafer(100) during the inscription process by way of the laser source(120). An absorption member(140) prevents the particles(150) detached by way of the air nozzle(130) from being reattached to the semiconductor wafer(100). The diameter of the spray hole of the air nozzle(130) is larger than the diameter of the wafer discrimination indicator. The spray hole of the air nozzle(130) has a diameter ranged from 1cm¬2 to 3cm¬2. The spray hole of the air nozzle(130) and the absorption hole of the absorption member(140) are placed at the same rectilinear line.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体晶片的激光打标设备，用于通过扩大空气喷嘴的喷孔来有效地从半导体晶片去除颗粒。 构成：激光打标装置具有内接有用于识别半导体晶片（100）的指示器的激光源（120）。 空气喷嘴（130）被放置在半导体晶片（100）上，以通过激光源（120）在刻印过程期间除去由半导体晶片（100）产生的颗粒（150）。 吸收构件（140）防止通过空气喷嘴（130）分离的颗粒（150）重新连接到半导体晶片（100）。 空气喷嘴（130）的喷孔的直径大于晶片鉴别指示器的直径。 空气喷嘴（130）的喷孔的直径范围为1cm〜2cm 2。 空气喷嘴（130）的喷射孔和吸收构件（140）的吸收孔被放置在相同的直线上。
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公开(公告)号：KR1019990050795A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069979
申请日：1997-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박영호
IPC: H04N7/167
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
텔레비전의 시청 채널 제한 기술
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
어린이나 청소년 등과 같은 미성년자들이 방송 프로그램의 무분별한 시청을 방지한다.
다. 그 발명의 해결방법의 요지
텔레비전에 있어서, 미리 특정 채널을 암호화하는 과정과, 이후 동작시 상기 암호화한 채널에서 동작시에서는 먼저 상기 암호화 과정에서 설정된 암호의 확인입력을 받는 과정과, 상기 암호의 입력이 있을 시에 이후 상기 암호화한 채널에서 동작하는 과정을 수행한다.
라. 발명의 중요한 용도:
텔레비전의 시청 채널 제한에 적용된다.-
公开(公告)号：KR1019990010197A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970032895
申请日：1997-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박영호
IPC: H01L27/06
Abstract: 장벽층(barrier layer)을 이용한 반도체 장치의 커패시터(capacitor) 형성 방법을 개시한다. 본 발명은, 반도체 기판 상에 콘택홀(contact hole)을 가지는 절연층 패턴을 형성하고, 콘택홀을 매몰하며 반도체 기판에 연결되고 콘택홀을 채우는 부분의 표면 높이가 절연층 패턴의 표면 높이 보다 낮은 장벽층을 형성한다. 이후에 장벽층 상에 콘택홀을 채우는 제1하부 전극층을 형성한다. 연후에 제1하부 전극층 및 장벽층을 패터닝하여 콘택홀 내에 한정되는 제1하부 전극 및 장벽층 패턴을 형성하고 절연층 패턴 및 제1하부 전극 상에 제2하부 전극을 형성한다. 이와 같이 하여 제1하부 전극 및 제2하부 전극으로 이루어지는 하부 전극을 설정한다. 다음에 하부 전극 상에 유전층을 형성하고 유전층 상에 상부 전극을 형성한다.
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公开(公告)号：KR2019980067735U
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR2019970012340
申请日：1997-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박영호
Abstract: 본 고안은 티브이 셋트에 관한 것으로서, 특히 PC로부터 출력되는 신호가 티브이에 내장된 VGA 모듈(Video Graphics Array Module)로 입력되어 영상처리된 후 휘도 및 색도신호로 출력하는 데, 상기 VGA 모듈에서 출력되는 신호를 검출하여 동기신호의 유무를 판단하고, 상기 판단에서 동기신호가 없거나 異常 주파수일 경우에는 상기 VGA 모듈에서 출력되는 신호를 차단하여 비디오 뮤트와 경고 메시지를 티브이 화면상에 디스플레이하므로써 셋트의 현재 상태를 시청자에게 알리는 VGA 모듈이 내장된 티브이의 제어 장치에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR2019980029096U
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR2019960042150
申请日：1996-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박영호
IPC: H05F1/00
CPC classification number: H05K9/0067 , H05K1/0259
Abstract: 본고안은전자제품의정전기보호회로에관한것으로서, 특히외부접속단자가설치되는기판상에형성된제 1 접지패턴; 내부회로가설치되는기판상에형성된제 2 접지패턴; 및상기제 1 및제 2 접지패턴사이에연결된적어도하나이상의순방향및 역방향다이오드쌍을구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本文涉及的静电保护电路的电子产品的内部，在形成于基板上的特定的第一接地图案在其上外部连接端子安装; 在基板上形成的第二接地图案上，其中内部电路安装; 并且其特征在于它包括第一mitje至少连接在所述第二接地图案之间的正向和反向二极管对中的一个。
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公开(公告)号：KR1019970054306A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950065859
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박영호
IPC: H01L27/148
Abstract: 본 발명은 동일 조도 하에서 균일한 CCD(Charge Coupled Device) 출력을 얻을 수 있도록 한 고체 촬상 소자의 전극 구조에 관한 것으로서, 광전 소자; 상기 공전 소자의 전하를 전송 받아 전하를 축적하는 수직 CCD의 제1 및 제2전극; 및 상기 광전 소자에서 수직 CCD로 전하를 전송하는 전송 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하여 구성된 고체 촬상 소자의 전극 구조에 있어서, 상기 광전 소자와 제1 및 제2전극 사이에 배치되는 전송 트랜지스터의 게이트 전극이 광전 소자의 일측 전면에 배치되도록 한 데에 특징이 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970023631A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950035596
申请日：1995-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조기술중 포토마스킹기술에 의해 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 스텝퍼의 주제어부와 챔버사이의 인터페이스장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 챔버유니트의 제1단자(T1)와 제2단자(T2) 사이에 접속되어서 상기 인터페이스장치에서 사용되는 소정의 정전압을 발생하는 전원공급부와; 상기 챔버유니트 제3단자(73)와 제4단자(74)로부터 제공되는 신호를 입력하여 상기 챔버유니트의 작동정지상태 또는 챔버내의 제한온도범위의 초과상태를 검출하여 이상상태신호를 출력하는 이상상태검출부와; 상기 이상상태검출부의 출력에 따라 이상상태표시용 램프를 온/오프를제어하고 그리고 상기 스텝퍼본체유니트의 주제어부로 상기 이상상태검출신호를 제공하는 스위칭부를 포함한다. 따라서,상기 인터페이스장치에 의하면, 스텝퍼시스템이 스텝퍼본체와 챔버유니트를 별도로 제조하여 조립된 것이라 하더라도, 챔버유니트의 이상상태(챔버의 제한온도가 벗어난 경우, 챔버의 작동이 정지된 경우 또는 전원공급이 차단된 경우)가 검출되면 그 챔버유니트의 작동을 정지시킬 수 있어서, 웨이퍼의 불량발생을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970018046A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031029
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 알루미늄 금속을 배선하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 BPSG막, 순수산화막(3) 및 콘택홀(4)이 형성된 반도체 장치의 메탈 콘택홀에 알루미늄 금속을 배선하는 방법에 있어서, 메탈 콘택홀의 측벽에 형성된 움푹파인 순수 산화막의 턱을 제거하는 단계; 상기 움푹파인 턱이 제거된 메탈 콘택홀 측벽에 확산방지금속층을 형성하는 단계; 및 상기 확산방지금속층이 형성된 메탈 콘택홀에 빈틈없이 알루미늄 금속을 주입하는 단계를 포함한다.
따라서 본 발명에 의하면, 콘택홀의 측벽에 돌출된(positive)턱을 형성시키지 않으므로써, 알루미늄 금속의 공동이 발생하지 않아 메탈 콘택홀 내의 저항을 감소시키는 효과를 갖는다.
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