Abstract:
자동결함분류방법은적어도하나이상의단위공정이수행된기판으로부터결함부들을검출하는결함검출단계및 결함부들각각의결함종류를분류하는결함분류단계를포함하고, 결함분류단계는결함부들각각의 SEM 이미지들을획득하는이미지획득단계와, SEM 이미지들각각에대응되는 GDS 이미지들에기판의정보를등록하는기판정보등록단계와, 결함부들의결함을유형화한복수의 DOI 들을정의하는 DOI 정의단계와, 결함부들각각의결함이 DOI 들중 어떤 DOI에해당하는지를판단하는기준인 DOI 룰을정의하는 DOI 룰정의단계와, DOI 룰에따라결함부들각각의결함이 DOI 들중 어떤 DOI에해당하는지를분류하는이미지분석단계를포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for inspecting defect of a semiconductor device are provided to generate a new pattern image by calculating a plurality of pattern images. CONSTITUTION: A detection unit(110) is collided with a semiconductor substrate to extract a secondary electron. A transform unit(120) changes a signal of the secondary electron into an electric signal. An amplifier(130) amplifies the electric signal of the secondary electron. An image processing unit converts the amplified electrical signal into a digital signal. The digital signal is displayed on a monitor(140) as a pattern image.
Abstract:
A method for inspecting a surface of wafer and an apparatus for performing the same are provided to improve sensitivity of inspecting a defect on the wafer by scanning in both X and Y directions once, thereby reducing a scanning time and increasing a throughput. A method for inspecting a surface of wafer includes the steps of: emitting a laser light(S100); dividing the laser beam into lights with a plurality of optical axes and irradiating the lights on a target inspecting face in a plurality of directions(S200); detecting the laser lights irradiated and reflected on the target inspecting face(S300); and determining a defect from information of the detected laser lights(S400). In the step of irradiating the laser lights, a first light as a part of the laser lights is reflected and irradiated on a surface of the target inspecting face in a first direction and a second light as the other part of the laser lights is irradiated in a second direction.
Abstract:
A method for setting an inspection area is provided to reduce time required for setting the inspection area by setting automatically the inspection area using correlation coefficients of image information. Reference image information is obtained from a reference inspection area of a substrate(S10). An objective measure image having a larger area than the inspection area is obtained from a surface of the substrate(S20). Compare image information is obtained from a preliminary inspection area stored in the objective measure image(S30). By comparing the compare image information and reference image information, correlation coefficients of the compare image information and reference image information are calculated(S40-S50). When the correlation coefficients is in a range, the preliminary inspection area is set as an inspection area(S60-S70).
Abstract:
미세 구조물의 임계 치수를 정확하게 측정할 수 있는 측정 방법에 따르면, ⅰ)기판 상에 형성된 미세 구조물의 이미지에서 미세 구조물의 제1측 둘레를 커버하는 제1 측정 박스 및 제1 측정 박스에 대하여 선대칭 관계를 가지며 미세 구조물의 제2측 둘레를 커버하는 제2 측정 박스를 포함하는 측정 세트를 설정하고, ⅱ)제1 측정 박스 내의 제1측 둘레를 따라서 복수개의 제1 측정 지점들을 설정한다. ⅲ)제2 측정 박스 내의 제2측 둘레를 따라서 복수개의 제2 측정 지점들을 설정하고, ⅳ)제1 측정 지점들 간의 거리를 합산하여 제1 소계값을 획득한다. ⅴ)제2 측정 지점들 간의 거리를 합산하여 제2 소계값을 획득하고, ⅵ)제1 소계값과 제2 소계값을 합산하여 총계값을 획득한다. ⅶ)미세 구조물에 대한 측정 세트의 위치를 변경시켜가며 ⅱ) 및 ⅵ)를 반복적으로 수행하여 총계값들을 획득하는 하고, ⅷ)총계값들 중에서 최소 값이 획득된 측정 세트의 위치에서 미세 구조물의 임계 치수를 측정한다.
Abstract:
웨이퍼의 에칭 상태 계측방법에 관해 개시된다. 웨이퍼 에칭 상태 계측방법은: 플라즈마 오버 에칭 공정을 거친 웨이퍼에 소정 파장 대역의 광을 조사하는 단계; 상기 웨이퍼에서 반사된 광에 대응하는 전기적 신호로부터 소정의 광학적 임피던스 1과 2를 얻는 단계; 상기 광학적 임피던스 1을 기 설정된 기준 임피던스 1과 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계; 오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계; 오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 광학적 임피던스 2를 기 설정된 기준 임피던스 2와 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계;오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 미완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;를 포함한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, 오버 에칭 완료 여부와 그 정도를 보다 정밀하고 확실하게 측정할 수 있고, 측정 오류에 따른 공정 사고를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 오버에칭 완료 여부를 보다 확실히 측정함으로써 반도체 수율을 제고할 수 있고, 오버에칭이 진행된 웨이퍼에 대해 오버에칭 정도를 모니터링할 수 있게 한다.
Abstract:
PURPOSE: A spinner equipment is provided to be capable of automatically cleaning a wafer transfer arm by using a cleaning part installed in the spinner equipment. CONSTITUTION: A spinner equipment is provided with a coating part for coating photoresist on the surface of a wafer, a developing part for developing an exposed wafer, a wafer transfer apparatus(150) installed at the coating part and the developing part for transferring the wafer to a predetermined position, and a cleaning module(160) for automatically cleaning the wafer transfer apparatus. Preferably, the cleaning module includes a cleaning chamber(161) for loading a transfer arm(151) of the wafer transfer apparatus, a jet part(164) installed at the inner upper portion of the cleaning chamber for jetting a cleaning solution and dry gas onto the transfer arm, and a drain bath(165) installed at the inner lower portion of the cleaning chamber for draining the cleaning solution.
Abstract:
본 발명은 6자유도 운동을 측정하는 장치에 있어서, 삼면반사체를 이용하여 측정대상물의 6자유도 변위를 쉽고 정밀하게 측정할 수 있고 고속운동을 하는 작은 측정대상물의 변위를 용이하게 측정할 수 있으며, 측정정밀도가 우수한 6자유도 운동측정장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 레이저 광원(130)으로부터 진행하는 레이저광선을 이용하여 측정대상물(1)의 6자유도 운동을 측정하는 장치에 있어서, 상기 측정대상물(1)에 고정되며, 상기 레이저광선을 3방향으로 반사시키는 삼각뿔 형상의 삼면반사체(110)와, 상기 삼면반사체(110)로부터 반사되는 레이저광선을 수광하는 3개의 위치검출기(121, 122, 123)와, 상기 3개의 위치검출기(121, 122, 123)에서 검출된 레이저광선의 강도분포의 무게중심을 이용하여 상기 삼면반사체(110)의 6자유도를 분석하는 제어부(138)를 포함하는 6자유도 운동측정장치가 제공된다.
Abstract:
본 발명은 엑스선을 적어도 하나 이상의 방향과 위치에서 피측정체에 투사하여 획득한 복수의 엑스선 투시상을 계조 가시상으로 변환하여 가시 영상면에 투영하는 영상 인텐시파이어를 포함한 엑스선 검사 시스템에 있어서, 상기 영상 인텐시파이어의 가시 영상면에 대해 각각 수평 방향 및 수직 방향으로 형성된 회전축을 구비한 각각의 갈바노미터로 구현된 제 1 회전체 및 제 2 회전체와, 상기 제 1 회전체 및 제 2 회전체가 회전함에 따라 각각 상기 가시 영상면의 종단 방향 및 횡단 방향에 대해 선택적으로 반사각을 형성하기 위해 상기 제 1 회전체 및 제 2 회전체의 회전축 선단에 상기 제 1 회전체의 회전축 및 제 2 회전체의 회전축과 평행한 방향으로 각각 고정된 제 1 거울 및 제 2 거울과, 상기 제 1 거울의 대향면 및 상기 제 2 거울의 대향면의 조합 에 의해 형성된 광학적인 반사 경로를 통해 상기 가시 영상면의 임의의 위치에 투영된 계조 가시상을 선택적으로 관측하기 위해 상기 제 1 회전체의 회전각 및 상기 제 2 회전체의 회전각을 제어하는 회전체 제어부를 포함하는 엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 기술에 의한 엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치의 경우에는 원주 상의 계조 가시상에 대한 선택만이 가능하던 것을 임의의 평면상에서도 원하는 계조 가시상을 신속 정확하게 선택할 수 있는 이점이 있다.