회전각 정렬 마크, 및 상기 회전각 정렬 마크를 이용한 회전각 측정 방법 및 좌표 추적 방법
    1.
    发明公开
    회전각 정렬 마크, 및 상기 회전각 정렬 마크를 이용한 회전각 측정 방법 및 좌표 추적 방법 审中-实审
    旋转角度对准标记,使用旋转角度对准标记测量旋转角度的方法以及坐标追踪方法

    公开(公告)号:KR1020170058681A

    公开(公告)日:2017-05-29

    申请号:KR1020150162574

    申请日:2015-11-19

    Inventor: 윤도영 조형석

    CPC classification number: G01B11/272 G01B11/26 G06T7/73 G06T2207/30148

    Abstract: 십자형오리진정렬마크및 방사형회전각측정마크를포함하는정렬키 패턴이설명된다. 상기회전각측정마크는수평으로연장하되서로이격된적어도두 개의수평바들, 상기수평바들과직각을갖되상기수평바들과이격된수직바, 및상기수평바들및 상기수직바와제1 각도를갖되상기수평바들및 상기수직바와이격된사선바들을포함한다.

    Abstract translation: 描述包括十字形原点对准标记和径向旋转角度测量标记的分选键模式。 其中旋转角度测量标记包括至少两个水平延伸并彼此间隔开的水平条,垂直条与水平条垂直并与水平条间隔开, 酒吧和对角线酒吧与垂直酒吧分开。

    자동 결함 분류 방법
    2.
    发明公开
    자동 결함 분류 방법 审中-实审
    自动缺陷分类方法

    公开(公告)号:KR1020160076310A

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:KR1020140186370

    申请日:2014-12-22

    Abstract: 자동결함분류방법은적어도하나이상의단위공정이수행된기판으로부터결함부들을검출하는결함검출단계및 결함부들각각의결함종류를분류하는결함분류단계를포함하고, 결함분류단계는결함부들각각의 SEM 이미지들을획득하는이미지획득단계와, SEM 이미지들각각에대응되는 GDS 이미지들에기판의정보를등록하는기판정보등록단계와, 결함부들의결함을유형화한복수의 DOI 들을정의하는 DOI 정의단계와, 결함부들각각의결함이 DOI 들중 어떤 DOI에해당하는지를판단하는기준인 DOI 룰을정의하는 DOI 룰정의단계와, DOI 룰에따라결함부들각각의결함이 DOI 들중 어떤 DOI에해당하는지를분류하는이미지분석단계를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于自动分类缺陷的方法,其可能在高度集成的基板上发生,具有高可靠性。 所述自动缺陷分类方法包括:缺陷检测步骤,从执行至少一个单元处理的基板检测有缺陷的部分; 以及对每个缺陷部分的缺陷类型进行分类的缺陷分类步骤。 缺陷分类步骤包括:图像获取步骤,获得每个缺陷部分的扫描电子显微镜(SEM)图像; 衬底信息登记步骤,用于在与每个SEM图像相对应的图形数据系统(GDS)图像中登记关于衬底的信息; DOI定义步骤,定义分类各个缺陷部分的缺陷的多个感兴趣缺陷(DOI); DOI规则定义了定义DOI规则的步骤,DOI规则是用于确定DOI的哪个DOI对应于各个缺陷部分的缺陷的标准; 以及图像分析步骤,根据DOI规则,将各个缺陷部分的缺陷分别对应于DOI中的DOI。

    다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법
    3.
    发明公开
    다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법 无效
    用于通过计算多个电子束导电多次扫描来检测半导体发现缺陷的方法和方法来创建迭代图案

    公开(公告)号:KR1020100061018A

    公开(公告)日:2010-06-07

    申请号:KR1020080119887

    申请日:2008-11-28

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for inspecting defect of a semiconductor device are provided to generate a new pattern image by calculating a plurality of pattern images. CONSTITUTION: A detection unit(110) is collided with a semiconductor substrate to extract a secondary electron. A transform unit(120) changes a signal of the secondary electron into an electric signal. An amplifier(130) amplifies the electric signal of the secondary electron. An image processing unit converts the amplified electrical signal into a digital signal. The digital signal is displayed on a monitor(140) as a pattern image.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于检查半导体器件的缺陷的方法和装置,以通过计算多个图案图像来生成新的图案图像。 构成:检测单元(110)与半导体衬底相撞以提取二次电子。 变换单元(120)将二次电子的信号改变为电信号。 放大器(130)放大二次电子的电信号。 图像处理单元将放大的电信号转换为数字信号。 数字信号作为图案图像显示在监视器(140)上。

    웨이퍼 표면 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
    4.
    发明公开
    웨이퍼 표면 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 无效
    检查水表面的方法及其实施方法

    公开(公告)号:KR1020080006327A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:KR1020060065379

    申请日:2006-07-12

    CPC classification number: G01N21/9501 G01N21/8806

    Abstract: A method for inspecting a surface of wafer and an apparatus for performing the same are provided to improve sensitivity of inspecting a defect on the wafer by scanning in both X and Y directions once, thereby reducing a scanning time and increasing a throughput. A method for inspecting a surface of wafer includes the steps of: emitting a laser light(S100); dividing the laser beam into lights with a plurality of optical axes and irradiating the lights on a target inspecting face in a plurality of directions(S200); detecting the laser lights irradiated and reflected on the target inspecting face(S300); and determining a defect from information of the detected laser lights(S400). In the step of irradiating the laser lights, a first light as a part of the laser lights is reflected and irradiated on a surface of the target inspecting face in a first direction and a second light as the other part of the laser lights is irradiated in a second direction.

    Abstract translation: 提供了用于检查晶片表面的方法和用于执行晶片表面的装置,以通过在X和Y方向上扫描一次来提高检查晶片缺陷的灵敏度,从而减少扫描时间并提高生产量。 用于检查晶片表面的方法包括以下步骤:发射激光(S100); 将激光束分成具有多个光轴的光,并在多个方向上照射目标检查面上的光(S200); 检测在目标检查面上照射和反射的激光(S300)。 以及从所检测的激光的信息确定缺陷(S400)。 在照射激光的步骤中,作为激光的一部分的第一光被照射在第一方向的目标检查面的表面上,并且作为激光的另一部分照射第二光 第二个方向。

    검사 영역 설정 방법
    5.
    发明公开
    검사 영역 설정 방법 无效
    设置检查区域的方法

    公开(公告)号:KR1020080002044A

    公开(公告)日:2008-01-04

    申请号:KR1020060060601

    申请日:2006-06-30

    Abstract: A method for setting an inspection area is provided to reduce time required for setting the inspection area by setting automatically the inspection area using correlation coefficients of image information. Reference image information is obtained from a reference inspection area of a substrate(S10). An objective measure image having a larger area than the inspection area is obtained from a surface of the substrate(S20). Compare image information is obtained from a preliminary inspection area stored in the objective measure image(S30). By comparing the compare image information and reference image information, correlation coefficients of the compare image information and reference image information are calculated(S40-S50). When the correlation coefficients is in a range, the preliminary inspection area is set as an inspection area(S60-S70).

    Abstract translation: 提供了一种设置检查区域的方法,以通过使用图像信息的相关系数自动设置检查区域来减少设置检查区域所需的时间。 参考图像信息从基板的参考检查区域获得(S10)。 从基板的表面获得具有比检查区域大的面积的客观测量图像(S20)。 从存储在客观测量图像中的初步检查区域获得比较图像信息(S30)。 通过比较比较图像信息和参考图像信息,计算比较图像信息和参考图像信息的相关系数(S40-S50)。 当相关系数在一个范围内时,将初步检查区域设定为检查区域(S60-S70)。

    미세 구조물의 치수 측정 방법
    6.
    发明公开
    미세 구조물의 치수 측정 방법 无效
    测量一分钟结构尺寸的方法

    公开(公告)号:KR1020070031514A

    公开(公告)日:2007-03-20

    申请号:KR1020050085991

    申请日:2005-09-15

    CPC classification number: H01L22/12 G01N21/956 G03F7/70625

    Abstract: 미세 구조물의 임계 치수를 정확하게 측정할 수 있는 측정 방법에 따르면, ⅰ)기판 상에 형성된 미세 구조물의 이미지에서 미세 구조물의 제1측 둘레를 커버하는 제1 측정 박스 및 제1 측정 박스에 대하여 선대칭 관계를 가지며 미세 구조물의 제2측 둘레를 커버하는 제2 측정 박스를 포함하는 측정 세트를 설정하고, ⅱ)제1 측정 박스 내의 제1측 둘레를 따라서 복수개의 제1 측정 지점들을 설정한다. ⅲ)제2 측정 박스 내의 제2측 둘레를 따라서 복수개의 제2 측정 지점들을 설정하고, ⅳ)제1 측정 지점들 간의 거리를 합산하여 제1 소계값을 획득한다. ⅴ)제2 측정 지점들 간의 거리를 합산하여 제2 소계값을 획득하고, ⅵ)제1 소계값과 제2 소계값을 합산하여 총계값을 획득한다. ⅶ)미세 구조물에 대한 측정 세트의 위치를 변경시켜가며 ⅱ) 및 ⅵ)를 반복적으로 수행하여 총계값들을 획득하는 하고, ⅷ)총계값들 중에서 최소 값이 획득된 측정 세트의 위치에서 미세 구조물의 임계 치수를 측정한다.

    반도체 웨이퍼 에칭 상태 계측방법
    7.
    发明授权
    반도체 웨이퍼 에칭 상태 계측방법 失效
    半导体晶片的蚀刻状态的测量方法

    公开(公告)号:KR100688478B1

    公开(公告)日:2007-03-08

    申请号:KR1020000041921

    申请日:2000-07-21

    Abstract: 웨이퍼의 에칭 상태 계측방법에 관해 개시된다. 웨이퍼 에칭 상태 계측방법은: 플라즈마 오버 에칭 공정을 거친 웨이퍼에 소정 파장 대역의 광을 조사하는 단계; 상기 웨이퍼에서 반사된 광에 대응하는 전기적 신호로부터 소정의 광학적 임피던스 1과 2를 얻는 단계; 상기 광학적 임피던스 1을 기 설정된 기준 임피던스 1과 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계; 오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계; 오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 광학적 임피던스 2를 기 설정된 기준 임피던스 2와 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계;오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 미완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;를 포함한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, 오버 에칭 완료 여부와 그 정도를 보다 정밀하고 확실하게 측정할 수 있고, 측정 오류에 따른 공정 사고를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 오버에칭 완료 여부를 보다 확실히 측정함으로써 반도체 수율을 제고할 수 있고, 오버에칭이 진행된 웨이퍼에 대해 오버에칭 정도를 모니터링할 수 있게 한다.

    웨이퍼 반송암 클리닝장치를 구비한 스피너설비
    8.
    发明公开
    웨이퍼 반송암 클리닝장치를 구비한 스피너설비 无效
    具有清洁WAFER传输ARM的装置的旋转器设备

    公开(公告)号:KR1020030079080A

    公开(公告)日:2003-10-10

    申请号:KR1020020017848

    申请日:2002-04-01

    Abstract: PURPOSE: A spinner equipment is provided to be capable of automatically cleaning a wafer transfer arm by using a cleaning part installed in the spinner equipment. CONSTITUTION: A spinner equipment is provided with a coating part for coating photoresist on the surface of a wafer, a developing part for developing an exposed wafer, a wafer transfer apparatus(150) installed at the coating part and the developing part for transferring the wafer to a predetermined position, and a cleaning module(160) for automatically cleaning the wafer transfer apparatus. Preferably, the cleaning module includes a cleaning chamber(161) for loading a transfer arm(151) of the wafer transfer apparatus, a jet part(164) installed at the inner upper portion of the cleaning chamber for jetting a cleaning solution and dry gas onto the transfer arm, and a drain bath(165) installed at the inner lower portion of the cleaning chamber for draining the cleaning solution.

    Abstract translation: 目的:提供一种旋转器设备,能够通过使用安装在旋转器设备中的清洁部件来自动清洁晶片传送臂。 构成:旋转器设备设置有用于在晶片表面上涂覆光致抗蚀剂的涂层部分,用于显影曝光晶片的显影部分,安装在涂覆部分处的晶片转移装置(150)和用于转印晶片的显影部分 以及用于自动清洁晶片传送装置的清洁模块(160)。 优选地,清洁模块包括用于装载晶片传送装置的传送臂(151)的清洁室(161),安装在清洁室的内部上部的喷射部分(164),用于喷射清洁溶液和干燥气体 以及安装在清洁室的内部下部以排出清洁溶液的排水槽(165)。

    삼면반사체를 이용한 6자유도 운동측정장치
    9.
    发明授权
    삼면반사체를 이용한 6자유도 운동측정장치 失效
    6自由度运动测量装置采用三面反射器

    公开(公告)号:KR100381816B1

    公开(公告)日:2003-04-26

    申请号:KR1020000024653

    申请日:2000-05-09

    Abstract: 본 발명은 6자유도 운동을 측정하는 장치에 있어서, 삼면반사체를 이용하여 측정대상물의 6자유도 변위를 쉽고 정밀하게 측정할 수 있고 고속운동을 하는 작은 측정대상물의 변위를 용이하게 측정할 수 있으며, 측정정밀도가 우수한 6자유도 운동측정장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
    본 발명에 따르면, 레이저 광원(130)으로부터 진행하는 레이저광선을 이용하여 측정대상물(1)의 6자유도 운동을 측정하는 장치에 있어서, 상기 측정대상물(1)에 고정되며, 상기 레이저광선을 3방향으로 반사시키는 삼각뿔 형상의 삼면반사체(110)와, 상기 삼면반사체(110)로부터 반사되는 레이저광선을 수광하는 3개의 위치검출기(121, 122, 123)와, 상기 3개의 위치검출기(121, 122, 123)에서 검출된 레이저광선의 강도분포의 무게중심을 이용하여 상기 삼면반사체(110)의 6자유도를 분석하는 제어부(138)를 포함하는 6자유도 운동측정장치가 제공된다.

    엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치
    10.
    发明授权
    엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치 失效
    查看X射线检测系统的选择器

    公开(公告)号:KR100213906B1

    公开(公告)日:1999-08-02

    申请号:KR1019970048497

    申请日:1997-09-24

    CPC classification number: G01N23/04

    Abstract: 본 발명은 엑스선을 적어도 하나 이상의 방향과 위치에서 피측정체에 투사하여 획득한 복수의 엑스선 투시상을 계조 가시상으로 변환하여 가시 영상면에 투영하는 영상 인텐시파이어를 포함한 엑스선 검사 시스템에 있어서, 상기 영상 인텐시파이어의 가시 영상면에 대해 각각 수평 방향 및 수직 방향으로 형성된 회전축을 구비한 각각의 갈바노미터로 구현된 제 1 회전체 및 제 2 회전체와, 상기 제 1 회전체 및 제 2 회전체가 회전함에 따라 각각 상기 가시 영상면의 종단 방향 및 횡단 방향에 대해 선택적으로 반사각을 형성하기 위해 상기 제 1 회전체 및 제 2 회전체의 회전축 선단에 상기 제 1 회전체의 회전축 및 제 2 회전체의 회전축과 평행한 방향으로 각각 고정된 제 1 거울 및 제 2 거울과, 상기 제 1 거울의 대향면 및 상기 제 2 거울의 대향면의 조합 에 의해 형성된 광학적인 반사 경로를 통해 상기 가시 영상면의 임의의 위치에 투영된 계조 가시상을 선택적으로 관측하기 위해 상기 제 1 회전체의 회전각 및 상기 제 2 회전체의 회전각을 제어하는 회전체 제어부를 포함하는 엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 종래 기술에 의한 엑스선 검사 시스템의 영상 선택 장치의 경우에는 원주 상의 계조 가시상에 대한 선택만이 가능하던 것을 임의의 평면상에서도 원하는 계조 가시상을 신속 정확하게 선택할 수 있는 이점이 있다.

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