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公开(公告)号：KR1020020096528A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035088
申请日：2001-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having a side interface is provided to utilize efficiently an installation area by installing a side interface between a stepper and a spinner on a working area. CONSTITUTION: A plurality of transfer portions(110,180) transfer a wafer. A spinner(120) is installed on a working area side in order to perform a coating process and a developing process on a wafer. A stepper(140) is installed at a predetermined interval from the spinner(120) on the working area. A side interface(130) is located between the spinner(120) and the stepper(140) in order to transfer the wafer between the spinner(120) and the stepper(140). A loader(170) is used for loading the wafer. A robot arm(180) is used unloading the wafer from a loader(170). A WEE(Wide Expose Edge) is installed in the inside of the side interface(130).
Abstract translation: 目的：提供一种具有侧面接口的半导体制造装置，通过在工作区域上安装步进器和旋转器之间的侧面接口来有效地利用安装区域。 构成：多个传送部分（110,180）传送晶片。 旋转器（120）安装在工作区域侧，以便在晶片上进行涂覆处理和显影处理。 在工作区域上的旋转器（120）以预定间隔安装步进器（140）。 为了将晶片转移到旋转器（120）和步进器（140）之间，侧面界面（130）位于旋转器（120）和步进器（140）之间。 装载机（170）用于装载晶片。 使用机器人臂（180）从装载机（170）卸载晶片。 在侧面接口（130）的内部安装有WEE（宽敞边缘）。
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公开(公告)号：KR1019990081332A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980015200
申请日：1998-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 반도체 장치를 제조하는 설비를 운용하면서 입력단에 따로 연결하여 보다 편리한 조건에서 설비의 상태를 점검하고, 설비의 이상 발생시 이에 대한 원인을 파악하기 위한 시스템을 설비 점검시에 적용하도록 하는 반도체 장치 제조설비의 진단 시스템과 이를 이용한 식각설비 및 노광설비에 관한 것으로서, 반도체 장치 제조공정이 수행되며, 제조공정 및 설비의 상태신호를 출력하는 제조설비, 상기 제조설비로부터 인터페이스를 위한 전송선로를 통해 연결되고 상기 제조설비를 제어하는 설비제어 시스템 및 상기 전송선로에 형성된 소정 연결부에 별도로 탈착 자재하게 연결되어서 상기 제조설비로부터 인가되는 각종 동작신호를 분석하여 상기 제조설비를 진단하는 진단 시스템을 구비하여 상기 제조설비의 상태를 모니터링하고, 상기 제조설비를 제어하도록 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1019980068068A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004500
申请日：1997-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은, 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 패턴을 형성시키기 위한 반도체장치의 제조방법에 있어서, (1) 상기 패턴 형성 영역의 설정을 위한 기준점으로 이용되는 정렬 마크가 형성된 영역을 포함하는 상기 반도체 기판 상에 소정의 막을 적층시키는 적층단계; (2) 상기 소정의 막 상에 포토레지스트를 도포시킨 후 상기 패턴 형성을 위한 영역 및 상기 정렬 마크가 형성된 영역 상의 상기 포토레지스트가 제거되도록 공정을 수행하는 포토공정단계; (3) 상기 포토레지스트의 제거로 오픈(Open)되는 상기 소정의 막을 제거하기 위하여 공정을 수행하는 식각공정단계; 및 (4) 상기 식각공정 수행 후 상기 포토레지스트를 완전히 제거시키기 위한 스트립단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 정렬 마크의 미스리딩으로 인한 불량을 방지할 수 있어 반도체장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980067129A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003002
申请日：1997-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 불량발생을 개선시킨 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 소정의 패턴을 형성시키기 위하여 반도체 기판 상에 산화막, 폴리막 및 질화막을 순차적으로 적층형성시키는 단계를 포함하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 포토공정수행시 상기 질화막의 난반사로 인하여 발생되는 푸팅현상을 방지하기 위하여 상기 질화막 상에 SiON막을 적층형성시키는 단계 및 상기 SiON막 상에 포토레지스트를 도포적층시켜 상기 포토공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행시 불량방지 및 안정적인 공정수행으로 제조수율 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970002477A
公开(公告)日：1997-01-24
申请号：KR1019950016257
申请日：1995-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 변형노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서, 사점조명계와 고리 조명계를 결합한 상태의 조명계에 관한 것이다. 본 발명의 변형노광장치는 광원부, 상기 광원부에서 발산하는 빛을 제한하는 조절부, 상기 조절부에서 나온 빛을 굴절 및 회절시키는 굴절 및 회절부, 상기 굴절 및 회절부에서 나오는 빛을 웨이퍼 상에 집광시키는 집광부로 구비되는 변형노광장치에 있어서, 상기 조절부가 8개의 노광구를 갖는 필터(구경스톱:AS)로 구비된다.
본 발명에 의하면 해상도를 종래의 변형노광 이상으로 유지하면서 상 형성면(또는 웨이퍼) 상에 광에너지의 세기분포를 균일하게 형성된다. 또한 마스크패턴을 통과하는 빛의 이미지 형성정보를 균일하게 하므로서, 양호한 콘택패턴을 얻을수 있고 프락시머티 효과(proximity effect)도 줄일 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100517547B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020010036931
申请日：2001-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , H01L21/312 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 등의 막 두께가 불균일하게 나타나는 단점을 개선할 수 있는 도포 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 포토 레지스트 도포 방법은 다음과 같은 순서로 진행된다. 솔벤트를 웨이퍼 상에 분사하는 단계, 그리고 상기 웨이퍼 상에 포로 레지스트를 분사하는 단계, 그리고 일정한 속도로 웨이퍼를 회전시키는 단계를 구비한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 포토 레지스트를 분사하기 전에 웨이퍼 표면상에 솔벤트를 분사하였으므로, 표면 장력 및 레지스트의 점성을 낮추어서 웨이퍼상에 유기 용제인 포토 레지스트가 상기 웨이퍼 표면상에 골고루 도포된다.
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公开(公告)号：KR1019990070449A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980005301
申请日：1998-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 의한 위상반전마스크는 기판의 코아부와 페리퍼럴부의 소정 패턴이 모두 제 1 도전층인 Mo층으로 이루어져 있고, 에지부만이 Mo층과 제 2 도전층인 Cr층의 적층구조로 이루어져 있다.
따라서, 본 발명은 포토공정에서 코아부(33)의 가장자리에 눈썹현상과 같은 감광막의 불량현상 발생하던 것을 방지하여 상기 코아부(33)의 중앙지점이나 가장자리에 관계없이 미세패턴의 분해능을 향상하고 그 결과로 집적회로의 집적도를 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020010002448A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990022261
申请日：1999-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method of deciding a critical flatness of a semiconductor wafer is provided to decide the critical flatness without exerting an influence on a semiconductor fabricating process. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: preparing a number of groups having a difference flatness each other and substrates having the same flatness for each group; performing one process for fabricating a semiconductor with respect to the substrates; measuring each flatness of the substrates; measuring a level of performing a leveling operation about the substrate in a photo stepper; calculating a correlation between the flatness of each substrate and the level of performing the leveling operation, and then repeating the above processes; and deciding the critical flatness from the correlation. In the method, the leveling operation is to compensate FPD(focal point deviation) generated by a nonuniform of the flatness of each substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种确定半导体晶片的临界平坦度的方法，以决定临界平坦度，而不会对半导体制造工艺产生影响。 构成：该方法包括以下步骤：制备具有彼此不同的平坦度的多个组和每个组具有相同平面度的衬底; 执行相对于衬底制造半导体的一个工艺; 测量基板的每个平面度; 测量在照相步进机中执行关于基板的调平操作的水平; 计算每个基板的平坦度与执行调平操作的水平之间的相关性，然后重复上述处理; 并从相关性中确定临界平坦度。 在该方法中，调平操作是补偿由每个基板的平坦度不均匀产生的FPD（焦点偏差）。
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9.发明授权반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 失效深色紫外线光敏树脂及其制造方法及其具有的光电组合物
公开(公告)号：KR100252217B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970017186
申请日：1997-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
Abstract: PURPOSE: A structural resin for producing photoresist used in far-UV exposure process of semiconductor production and photoresist composition containing the resin are provided to having sufficient transmissivity at relatively high 193nm in far-UV, good anti-etching property and clear contrast of patterns at the development of the semiconductor and are exposed by far-UV as light source of photolithography process. CONSTITUTION: The structural resin for producing photoresist used in far-UV exposure process comprises poly(di-t-butyl-norbornene-dicarboxylate) of formula 1 as a main chain (wherein R is hydrogen, alkyl groups having C1-C10 such as methyl, ethyl and the like, carbonyl, carboester groups; and n is natural number ranged from 1,000 to 1,000,000). The compound of formula 1 is obtained by reacting cyclopentane and acrylate, blending the resultant material with t-butylester, adding a catalyst having hydroxyl group, heating it to produce a di-t-butyl-norbornene-decarboxylate monomer and polymerizing the monomer. The resin can be exposed at the photolithography process by using far-UV as light source and is useful to produce semiconductor apparatus having a special transparent structure around 193nm wavelength of light source.
Abstract translation: 目的：提供用于半导体生产的远紫外线曝光工艺中使用的光致抗蚀剂用结构树脂和含有该树脂的光致抗蚀剂组合物，其在远紫外线下具有相当高的193nm的透光率，良好的抗蚀刻性能和图案清晰的对比度 半导体的发展并被远紫外线曝光作为光刻工艺的光源。 构成：用于生产用于远紫外线曝光工艺的光致抗蚀剂的结构树脂包括作为主链的式1的聚（二叔丁基 - 降冰片烯 - 二羧酸酯）（其中R是氢，具有C1-C10的烷基，例如甲基 ，乙基等，羰基，羰基等; n为自然数，范围为1,000〜1,000,000）。 式1的化合物通过环戊烷和丙烯酸酯反应获得，将所得物质与叔丁基酯共混，加入具有羟基的催化剂，加热以产生二叔丁基 - 降冰片烯 - 脱羧酸酯单体并使单体聚合。 可以通过使用远紫外线作为光源在光刻工艺中曝光树脂，并且可用于制造具有围绕193nm波长的光源的特殊透明结构的半导体器件。
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公开(公告)号：KR1019990069176A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980003254
申请日：1998-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 사진식각공정을 수행하는 제조시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 일련의 사진식각공정을 수행할 수 있도록 포토레지스트를 도포시키는 도포부, 상기 포토레지스트를 노광시키는 노광부 및 상기 포토레지스트를 현상시키는 현상부 등이 구비되는 반도체소자의 사진식각공정을 수행하는 제조시스템에 있어서, 상기 도포부, 노광부 및 현상부의 각각에 반송물을 이송시킬 수 있는 이송부; 및 상기 제조시스템이 구비되는 제조라인의 소정의 영역에 상기 반송물을 임시로 보관할 수 있는 임시보관부가 구비되어 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 제조시스템이 구비되는 제조라인에 임시보관부를 구비시킴으로써 하나의 제조장치의 가동이 중단되더라도 계속적인 공정을 수행할 수 있기 때문에 제조시스템의 가동효율을 극대화시킴으로써 반도체소자의 제조시 생산성이 향상되는 효과가 있다.
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