Abstract:
The present invention relates to a method of forming the hole patterns of a semiconductor device. According to an embodiment of the present invention, a method of forming the hole patterns of a semiconductor device includes: a step of forming an inner spacer which exposes a part of the upper surface of an upper buffer mask layer; a step of selectively exposing the first part of a lower patterning mask pattern; a step of exposing the second part of the lower patterning mask pattern; a step of removing a core insulating pattern, the inner spacer, and a patterning barrier pattern.
Abstract:
본 발명은 주기가 있는 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 불균일 정보를 높은 정밀도를 유지하면서 고속으로 검사할 수 있는 패턴 균일도 검사장치에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은, 주기적인 패턴을 갖는 시료에 광원을 통해 단파장의 레이저 빔을 조사하고, 상기 시료에 조사된 후 마스크의 형상정보와 위상결함 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔의 주파수를 검출기를 통해 검출하여, 검출한 반사 빔의 주파수와 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 로크인 증폭기를 통해 비교한 후 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하여 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호 분석으로 상기 시료 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 정보를 검사하는 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A color filter, an apparatus for manufacturing the same and a method for manufacturing the same are provided to easily form a black matrix through a implanting and printing on an organic film. CONSTITUTION: An organic film is coated on a substrate(1). A patterning process unit(10) pressures an organic film to form a plurality of barrier rips on the organic film. The patterning process unit is comprised of a plurality of convex and concave parts. A plurality of barrier rips forms a black matrix pattern by corresponding to the shape of a concavo-convex sheet. Ink processing unit(20,30) coats ink on the plural barrier rips to form the black matrix pattern.
Abstract:
PURPOSE: A nano-imprint lithography process is provided to remove an error of patterns on a substrate by using a mod having smaller size than a substrate area. CONSTITUTION: In a nano-imprint lithography process, after forming a first resin pattern, resin coated on a part of multiple area on an etch layer is etched by using the first resin pattern as a mask(110). After forming a second resin pattern, resin coated on the other part of multiple area on an etch layer is etched by using the second resin pattern as a mask(120).
Abstract:
An imprinting method, a method of manufacturing a thin film transistor substrate by using the imprinting method and a method of manufacturing a color filter substrate by using the imprint method are provided to increase the efficiency of manufacturing process by preventing the misalignment between a substrate and a mold. An imprinting method comprises a coating stage of resin(20), an arrangement step of mold(30), a performing step of queue, a performing step of the first hardening, a performing step of the pressurization, and a performing step of the second hardening, and a performing step of the separation. The resin is coated on a substrate(10). The mold is arranged on the resin. The substrate and the mold are arranged through the performing step of queue. The resin is hardened through the performing step of the first hardening in edge.
Abstract:
A mask mold and a manufacturing method, and a large area micro-pattern molding method using the same are provided to apply the fine patterns of nano-scale or complicated three dimensional shapes with the simple method and the cheap cost. A mask mold manufacturing method comprises the following steps: the step for coating the resist onto a plurality of miniature molds in which a mask or a micro-pattern is imprinted(110); the step for imprinting the micro-pattern on the resist by pressurizing a plurality of miniature molds(150); the step for solidifying the resist(160); the step for separating the resist from the plurality of molds(170).
Abstract:
A display device is provided to maximize a continuous area of a receiving chassis by forming a connection protrusion in a receiving chassis and engaging the connection protrusion with an outer case. A display device includes a display module, a mold frame(300), a receiving chassis(400), and an outer case(510). The display module displays images. The mold frame wraps a periphery of the display module. The receiving chassis has a chassis bottom portion(410) and a chassis side portion(420). The display module is disposed on the chassis bottom portion. The chassis side portion extends from an edge of the chassis bottom portion to enclose an outer side of the mold frame. A connection protrusion is formed in the chassis side portion. The outer case covers an outer side of the receiving chassis. The connection protrusion is inserted in an engagement groove(511), which is formed in the outer case.
Abstract:
본 발명은 이동통신단말기에 있어서, 자외선을 감지하고 감지된 자외선량에 비례하는 전기 신호를 발생시키는 자외선 센서와, 자외선 지수에 따른 자외선 정보를 저장하는 메모리와, 상기 자외선 센서로부터 제공된 전기 신호로부터 자외선 지수를 검출하고 상기 검출된 자외선 지수에 대응한 자외선 정보를 메모리로부터 독출하여 사용자에게 알리는 제어부를 포함한다. 이동통신단말기, 자외선 지수
Abstract:
본 발명은 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 열매개물질 (TIM)과 금속 리드(Metal lid)를 이용한 플립 칩 패키지(Flip chip package)에서 금속 리드와 기판 사이의 거리를 일정하게 조절함으로써 반도체 칩과 금속 리드 사이에 개재되는 열매개물질의 두께를 정확하게 조절할 수 있는 플립 칩 패키지의 구조 개선에 관한 것이며, 이를 위하여 기판과 플립 본딩된 반도체 칩과 반도체 칩 위로 형성된 열매개물질 및 이들을 외부로부터 밀봉하는 금속 리드를 포함하는 플립 칩 패키지의 구조와, 이에 더하여 네 면의 측벽 하면을 따라 형성된 내부 접착부와 내부 접착부의 일 지점에서 측벽의 상부면까지 관통되어 형성된 적어도 하나의 홀이 구비된 금속 리드의 구조를 개시하고, 이러한 구조적 특징을 통하여 금속 리드의 덮개와 기판 사이의 거리가 일정하게 형성될 수 있으며, 결국 반도체 칩과 금속 리드 사이에 개재되어 있는 열매개물질의 두께를 정확하게 조절할 수 있다. 접착부(Sealing area), 금속 리드(Metal lid), 기판(Substrate), 열매개물질 (TIM), 접착제(Sealant)
Abstract:
본 발명은 휴대통신모듈과 개인정보모듈을 구비하는 복합단말기의 방전 특성을 변경한 배터리 장치에 관한 것으로, 전압이 급감하는 저전압 지점의 배터리 방전곡선의 기울기를 완만히 조절하여 배터리를 포함하여, 상기 휴대통신모듈의 전원이 꺼진 후, 상기 개인정보 모듈의 사용시간을 늘릴 수 있는 이점이 있다. 복합단말, 배터리, 배터리 방전 특성, 백업 배터리