라인 프로파일 측정 장치 및 방법
    1.
    发明公开
    라인 프로파일 측정 장치 및 방법 有权
    线型测量装置和方法

    公开(公告)号:KR1020080079943A

    公开(公告)日:2008-09-02

    申请号:KR1020070020600

    申请日:2007-02-28

    Abstract: An apparatus and a method for measuring a line profile are provided to reduce the tact time and maintain the measurement accuracy by using an imaging spectrograph having an ICCD sensor. An apparatus for measuring a line profile comprises a light source part(1) outputting a white light source, a beam splitter(4), and an imaging spectrograph(14). The beam splitter, to which an object beam reflected from a sample and a reference beam reflected from a reference mirror are projected, outputs the white light source output from the light source to the reference mirror and the sample. The imaging spectrograph measures line profile of three-dimensional shapes formed on the sample at a high speed after generating an image spectrum by collecting an interference pattern from the reference beam and the object beam. The imaging spectrograph also includes an ICCD(Intensified CCD) sensor(15) generating the image spectrum.

    Abstract translation: 提供一种用于测量线轮廓的装置和方法,以通过使用具有ICCD传感器的成像光谱仪来减少节拍时间并保持测量精度。 用于测量线轮廓的装置包括输出白光源的光源部分(1),分束器(4)和成像光谱仪(14)。 将从样本反射的物体光束和从参考反射镜反射的参考光束投影到其上的分束器将从光源输出的白色光源输出到参考反射镜和样品。 成像光谱仪通过从参考光束和物体光束收集干涉图案来产生图像光谱之后,高速地测量样品上形成的三维形状的线轮廓。 成像光谱仪还包括产生图像光谱的ICCD(强化CCD)传感器(15)。

    액정표시소자의 잉크두께검사 측정장치
    2.
    发明公开
    액정표시소자의 잉크두께검사 측정장치 无效
    INK厚度公共检测仪测量液晶显示设备

    公开(公告)号:KR1020060091495A

    公开(公告)日:2006-08-21

    申请号:KR1020050012400

    申请日:2005-02-15

    CPC classification number: G02F1/1309 G01N21/95 G01N2021/9513

    Abstract: 본 발명은 액정표시소자의 잉크두께검사 측정장치에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 잉크젯 프린트 기술을 이용하여 개발된 LCD 컬러필터의 품질검사를 위하여 각 셀 속에 차 있는 잉크의 두께를 빠른 속도로 검사할 수 있는 액정표시소자의 잉크두께검사 측정장치를 제공함에 있다.
    또한 LCD 컬러필터의 두께측정에 있어서 전체면을 짧은 시간 안에 검사할 수 있고, 내부구조가 간단하며, 제작비용이 저렴한 액정표시소자의 잉크두께검사 측정장치를 제공함에 있다.
    이를 위해 본 발명은 광원과, 상기 광원에서 나온 빛을 원하는 파장으로 분리하여 주는 파장변환장치와, 상기 파장변환장치에서 나온 빛을 평행광으로 만들고 대상물로 입사 시키는 조명장치와, 상기 대상물에서 반사된 빛을 반사 시키는 반사장치와, 상기 반사장치에서 나온 빛을 검출하여 전기적 신호로 변환하여 주는 광 검출장치를 포함한다.

    빔의 위치 측정 장치 및 방법
    3.
    发明公开
    빔의 위치 측정 장치 및 방법 无效
    光束位置测量装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020110072630A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:KR1020090129642

    申请日:2009-12-23

    CPC classification number: G03F7/7085 G03F7/70291 G03F7/2051 G03F7/70383

    Abstract: PURPOSE: A beam location measuring apparatus using a beam extension device, and a method thereof are provided to maintain intervals among each beam for increasing the number of beams to be measured. CONSTITUTION: A beam location measuring method comprises the following steps: passing a beam generated from a beam generator through a beam extension device for radiating the beam with the extended area to a bean measuring sensor(200,202); measuring the intensity of the beam radiated to each pixel of the bean measuring sensor(204); and calculating the central location of the beam(206). A beam location measuring apparatus includes the beam generator, the bean measuring sensor, and the beam extension device.

    Abstract translation: 目的:提供使用光束延伸装置的光束位置测量装置及其方法,以保持每个光束之间的间隔,以增加待测光束的数量。 构成:光束位置测量方法包括以下步骤:将由光束发生器产生的光束通过光束延伸装置传送,以将具有延伸区域的光束辐射到豆类测量传感器(200,202); 测量辐射到豆测量传感器(204)的每个像素的光束的强度; 并计算光束(206)的中心位置。 光束位置测量装置包括光束发生器,豆测量传感器和光束延伸装置。

    패턴 균일도 검사장치
    4.
    发明公开
    패턴 균일도 검사장치 有权
    检查图案均匀性的装置

    公开(公告)号:KR1020080094291A

    公开(公告)日:2008-10-23

    申请号:KR1020070038519

    申请日:2007-04-19

    Abstract: An apparatus for inspecting the uniformity of pattern is provided to inspect the CD uniformity of periodical patterns and the phase defect information. An apparatus for inspecting the uniformity of pattern comprises a sample(10) having periodical patterns, a light source, a detector(40), an amplifier(50), and an inspection part(80). The light source irradiates laser beam having short wavelength to the sample. The detector detects the frequency of beam reflected from the sample. The amplifier measures amplitude of the laser reflected from the sample and a phase signal by comparing the frequency of the reflected beam detected by the detector and the frequency of a reference beam emitted from the light source. The inspection part inspects the CD uniformity of the sample pattern and phase defect information by analyzing the amplitude of the laser measured by the amplifier and the phase signal.

    Abstract translation: 提供了一种用于检查图案均匀性的装置,用于检查周期图案的CD均匀性和相缺陷信息。 用于检查图案均匀性的装置包括具有周期图案的样品(10),光源,检测器(40),放大器(50)和检查部分(80)。 光源向样品照射具有短波长的激光束。 检测器检测从样品反射的光束的频率。 放大器通过比较由检测器检测的反射光束的频率和从光源发射的参考光束的频率,来测量从样本反射的激光的振幅和相位信号。 检查部分通过分析由放大器测量的激光的振幅和相位信号来检查样品图案的CD均匀性和相缺陷信息。

    광학 현미경의 포커스 맞춤 장치 및 포커스 맞춤 방법
    5.
    发明公开
    광학 현미경의 포커스 맞춤 장치 및 포커스 맞춤 방법 无效
    光学自动聚焦装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020110042970A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:KR1020090099859

    申请日:2009-10-20

    Abstract: PURPOSE: An optical auto-focusing apparatus and a method thereof are provided to measure the amount of a reflected light from a target using a rotary wedge mirror. CONSTITUTION: In an optical auto-focusing apparatus and a method thereof, a light source(20) generating a light. An objective lens(180) measures a sample to be tested. A rotary wedge mirror(60) is arranged between the light source and the objective lens and includes the rotary wedge mirror for reflecting the light from the light source to the objective lens.

    Abstract translation: 目的:提供一种光学自动对焦装置及其方法,用于使用旋转楔形镜测量来自目标的反射光的量。 构成:在光学自动对焦装置及其方法中,产生光的光源(20)。 物镜(180)测量要测试的样品。 旋转楔形镜(60)布置在光源和物镜之间,并且包括用于将来自光源的光反射到物镜的旋转楔形镜。

    라인 프로파일 측정 장치 및 방법
    6.
    发明授权
    라인 프로파일 측정 장치 및 방법 有权
    线型测量装置及方法

    公开(公告)号:KR100863250B1

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:KR1020070020600

    申请日:2007-02-28

    Abstract: 본 발명은 라인 프로파일 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 영상 분광기(Imaging spectrograph)와 해상도가 증강된(Intensified) ICCD를 이용하여 평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display) 등과 같은 대면적 시료에 존재하는 다수의 미세패턴 프로파일 정보를 고속으로 측정함으로써 측정 정확도는 그대로 유지하면서, 기존 방식 대비해 택트 타임(Tact time)을 줄일 수 있는 고속 형상 라인 프로파일 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 백색광원을 출력하는 광원부; 상기 광원부에서 출력된 백색광원을 기준미러 및 시료로 출력하고, 상기 기준미러에서 반사된 기준광 및 시료에서 반사된 물체광이 입사되는 광분리기; 및 상기 기준광 및 물체광으로부터 간섭 무늬를 집광하여 이미지 스펙트럼을 생성한 후 상기 시료에 형성된 다수의 3차원 형상의 라인 프로 파일 정보를 고속으로 측정 이미지 분광기;를 포함한다.

    다층 구조체 검사장치 및 이를 구비하는 다층 구조 반도체제조 재료 검사장치
    7.
    发明授权
    다층 구조체 검사장치 및 이를 구비하는 다층 구조 반도체제조 재료 검사장치 失效
    用于检查具有相同功能的多层和半导体制造装置的装置

    公开(公告)号:KR100839076B1

    公开(公告)日:2008-06-19

    申请号:KR1020070012386

    申请日:2007-02-06

    Abstract: An apparatus for inspecting a multilayer structure, and an apparatus for inspecting materials used in fabricating multilayer semiconductor using the same are provided to accurately locate defect positions within the multilayer structure by detecting diffraction of X-rays from the multilayer structure. An apparatus for inspecting a multilayer structure comprises a multilayer structure, an X-ray generator, and a detection unit. The multilayer structure makes an electromagnetic wave having a wavelength smaller than at least extreme ultraviolet band reflected. The X-ray generator allows X-rays with uniformed wavelength at an angle of incidence where reflection occurs in the multilayer structure, comprising a monochromator. The detection unit comprising a plurality of detection cells that are aligned inline with one another or in matrix, locates a defect position in the multilayer structure by detecting if the X-rays are reflected from the multilayer structure.

    Abstract translation: 提供一种用于检查多层结构的装置和用于检查使用其的制造多层半导体的材料的装置,以通过检测来自多层结构的X射线的衍射来精确地定位多层结构内的缺陷位置。 用于检查多层结构的装置包括多层结构,X射线发生器和检测单元。 多层结构使得具有比至少极端的紫外线带反射的波长小的电磁波。 X射线发生器允许具有均匀波长的X射线以入射角在多层结构中发生反射,包括单色仪。 检测单元包括彼此对齐或矩阵排列的多个检测单元,通过检测X射线是否从多层结构反射来定位多层结构中的缺陷位置。

    공정 챔버 모니터링 장치
    8.
    发明公开
    공정 챔버 모니터링 장치 审中-实审
    过程室监测装置

    公开(公告)号:KR1020170089546A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:KR1020160009899

    申请日:2016-01-27

    CPC classification number: H01J37/32935 H01J37/32715 H01J37/32972 H04N5/2252

    Abstract: 공정챔버모니터링장치가제공된다. 상기공정챔버모니터링장치는, 챔버바디에형성된뷰 포트(view port)를포함하는공정챔버, 상기뷰 포트의단부에대응하여배치되고, 상기공정챔버의중심방향으로제1 두께를갖고, 핀홀(pin hole)이형성된커버부, 및상기뷰 포트내로삽입되어배치되고, 상기핀홀을통해상기공정챔버내부를모니터링하는센싱부를포함하고, 상기센싱부의센싱영역은상기커버부의상기제1 두께값에따라결정된다.

    Abstract translation: 提供了一种处理室监测装置。 所述处理室监视装置包括:处理室,所述处理室包括形成在室本体中的观察口;第二室,所述第二室对应于所述观察口的端部设置,在所述处理室的中心的方向上具有第一厚度, 以及一感测单元,插设于该观察口并通过该针孔来监测该处理室的内部,其中该感测单元的该感测区域是根据该罩盖单元的该第一厚度值而决定, 是的。

    플라즈마 진단 장치 및 방법
    9.
    发明公开
    플라즈마 진단 장치 및 방법 无效
    等离子体诊断设备和方法

    公开(公告)号:KR1020130062791A

    公开(公告)日:2013-06-13

    申请号:KR1020110129237

    申请日:2011-12-05

    CPC classification number: G01J3/443 G01N21/68

    Abstract: PURPOSE: A plasma diagnosis unit and a method thereof are provided to monitor a plasma process by increasing sensitivity. CONSTITUTION: A plasma diagnosis unit includes a vacuum chamber(401), a bias power unit(402), a spectrum unit(405), an optical detection unit(406) and a control unit(407). The vacuum chamber unit includes at least one electrode and generates plasma inside. The bias power unit is located inside of the vacuum chamber unit and applies high frequency voltage to an electrode supporting a wafer. The optical detection unit detects the demultiplexed light according to the wavelength. The control unit controls turn-on and turn-off of the optical detection unit according to a high frequency voltage wave form. [Reference numerals] (403) Matching unit; (404) Light receiving unit; (405) Optical demultiplexer unit; (406) Optical detection unit; (407) Control unit

    Abstract translation: 目的:提供等离子体诊断单元及其方法,以通过增加灵敏度来监测等离子体处理。 构成:等离子体诊断单元包括真空室(401),偏置功率单元(402),光谱单元(405),光学检测单元(406)和控制单元(407)。 真空室单元包括至少一个电极并在其内产生等离子体。 偏置功率单元位于真空室单元的内部,并且对支撑晶片的电极施加高频电压。 光检测单元根据波长检测解复用的光。 控制单元根据高频电压波形来控制光学检测单元的接通和关断。 (附图标记)(403)匹配单元; (404)光接收单元; (405)光解复用器单元; (406)光检测单元; (407)控制单元

    패턴 균일도 검사장치
    10.
    发明授权
    패턴 균일도 검사장치 有权
    检查图案均匀性的装置

    公开(公告)号:KR101136865B1

    公开(公告)日:2012-04-20

    申请号:KR1020070038519

    申请日:2007-04-19

    Abstract: 본 발명은 주기가 있는 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 불균일 정보를 높은 정밀도를 유지하면서 고속으로 검사할 수 있는 패턴 균일도 검사장치에 관한 것이다.
    이를 위해 본 발명은, 주기적인 패턴을 갖는 시료에 광원을 통해 단파장의 레이저 빔을 조사하고, 상기 시료에 조사된 후 마스크의 형상정보와 위상결함 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔의 주파수를 검출기를 통해 검출하여, 검출한 반사 빔의 주파수와 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 로크인 증폭기를 통해 비교한 후 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하여 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호 분석으로 상기 시료 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 정보를 검사하는 것이다.

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