公开(公告)号：KR1020060126250A

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：KR1020050047999

申请日：2005-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손중곤 ,  하경호 ,  유한열

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216

Abstract: A third to fifth group GaN-based compound semiconductor device is provided to reduce thermal loss and lengthen a lifetime by maintaining an optical confinement effect and reducing a resistance of a clad layer. An n-GaN lower contact layer(12), an n-clad layer(13), an n-optical waveguide layer(14), an active layer(15), a p-optical waveguide layer(16), and a p-clad layer(17) are sequentially laminated on a sapphire substrate(11). The p-clad layer is formed with a ridge structure. A p-contact layer(22) and a p-electrode(24) are sequentially formed on the ridge structure. An n-electrode(26) corresponding to the p-electrode is formed on an exposed surface of the lower contact layer. The p-clad layer has a super lattice structure.

Abstract translation: 提供第三至第五组GaN基化合物半导体器件，以通过保持光限制效应并降低覆层的电阻来减少热损失并延长寿命。 n-GaN下接触层（12），n包覆层（13），n光波导层（14），有源层（15），p光波导层（16）和p - 层（17）依次层压在蓝宝石基板（11）上。 p覆盖层形成有脊结构。 在脊结构上依次形成p接触层（22）和p电极（24）。 对应于p电极的n电极（26）形成在下接触层的暴露表面上。 p覆层具有超晶格结构。

公开(公告)号：KR1020060118099A

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020050040566

申请日：2005-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유한열 ,  하경호 ,  남옥현

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3202 ,  G01N2203/006 ,  H01S5/2205

Abstract: A nitride based semiconductor laser diode is provided to prevent the generation of crack and to reduce a far field vertical beam divergence angle, by increasing beam size of a near field. A nitride based semiconductor laser diode comprises a bottom clad layer, an active layer(130) and a top clad layer(140) stacked on a substrate(110) in sequence. In the nitride based semiconductor laser diode, the bottom clad layer comprises a plurality of layers(121a,121b) with different refractive indices, and a refractive index of a layer(121a) extremely adjacent to the active layer among the plurality of layers is the smallest. The bottom clad layer and the top clad layer are composed of an Al(x)Ga(1-x)N compound semiconductor respectively.

Abstract translation: 提供氮化物基半导体激光二极管，以通过增加近场的光束尺寸来防止裂纹的产生和减小远场垂直光束发散角。 氮化物基半导体激光二极管依次包括底部覆盖层，有源层（130）和堆叠在衬底（110）上的顶部覆盖层（140）。 在基于氮化物的半导体激光二极管中，底部包层具有折射率不同的多个层（121a，121b），并且与多个层中的有源层极相邻的层（121a）的折射率为 最小。 底部包层和顶部包层分别由Al（x）Ga（1-x）N化合物半导体构成。

公开(公告)号：KR100580623B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020030053889

申请日：2003-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이원석 ,  하경호 ,  곽준섭 ,  백호선 ,  이성남 ,  사공탄

IPC: H01S3/0941 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S2301/173

Abstract: 초격자 구조의 반도체층을 가지는 반도체 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 반도체 소자는 이종의 제1물질층과 제2물질층이 교번적으로 다중 적층되어 있는 초격자 구조의 반도체층을 포함하며, 초격자 구조를 이루는 상기 제1물질층과 제2물질층 각각에 다수의 홀이 형성되고, 해당 물질층의 각 홀에 인접한 다른 물질층의 물질이 채워져 있다. 본 발명에 따른 초격자 구조에서 주어진 광제한 특성을 유지하면서도 전하의 효율적인 이동을 나노-홀을 통해 허용함으로써 동작전압을 낮출 수 있게 된다.
반도체, LD, LED, 초격자, 홀, 채널

公开(公告)号：KR100144943B1

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：KR1019940024005

申请日：1994-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용희 ,  문종국 ,  이은경 ,  하경호

IPC: H01L31/12

Abstract: 수직 공동 면 발광 레이저(vertical cavity surface emitting laser:이하 VCSEL)를 이용한 광원과 광검출기 조합체가 개시되어 있다.
VCSEL 다이오드를 이용한 광원(22)의 출력 광량을 조절하기 위하여 이 광량의 일부를 수광하거나 이 출력광량과 비례하는 광량을 수광하여 전기신호로 변환한후 광원의 출력 제어용 전기 신호로 이용한다. 상기 VCSEL 다이오드 광원(22)의 측면으로 방향성이 없이 발산하는 자발광을 이용하여 모니터용 광량을 검출한다. 그 수단으로 상기 광원(22)의 둘레에 소정 간격 이격되게 모니터용 광검출기(24)를 마련하였다. 상기 광원(22)과 마주보는 면은 상기 자발광을 흡수하도록 원형으로 되어 있고, 그 외부면은 복수개의 모서리를 가지는 다각형으로 되어 있다. 그러므로, 이 광검출기(24)에 흡수된 자발광이 외부면을 통과하지 않고 내부로 전반사되어 흡수된 자발광의 광검출기 내의 경로가 늘어나게 되어 전기적 신호로 변환되는 광량이 증가된다.