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公开(公告)号：KR1020090053490A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070120355
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/56 , G01R31/2889 , G01R31/31905 , G11C2029/5602
Abstract: Example embodiments provide a probe card having an optical transmitting unit and a memory tester having the probe card. The probe card may include a plurality of needles connected to test terminals formed in a memory, a plurality of first terminals connected to the needles, a plurality of second terminals connected to the outside and corresponding to the first terminals, and an optical transmitting unit. The optical transmitting unit may connect the first terminals and the second terminals.
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公开(公告)号：KR1020080035217A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060101579
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/02
CPC classification number: H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/321 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/34333
Abstract: A semiconductor opto-electronic device is provided to improve inner quantum efficiency by effectively increasing optical confinement effect and by reducing internal loss. An active layer is composed of a quantum well and a barrier layer. Upper and lower wave guide layers are formed on and under the active layer. Upper and lower clad layers are formed on and under the upper and lower wave guide layers. The stacked layers are supported by a substrate. Upper and lower optical confinement layers are formed between the active layer and the upper and lower wave guide layers. The upper optical confinement layer has a small energy gap as compared with the upper wave guide layer and an energy gap not smaller than that of the barrier layer. The lower optical confinement layer has a small energy gap as compared with the lower wave guide layer and an energy gap not greater than that of the barrier layer. An electron blocking layer can be interposed between the upper wave guide layer and the upper optical confinement layer positioned under the upper wave guide layer.
Abstract translation: 提供了一种半导体光电器件，通过有效增加光限制效应和减少内部损耗来提高内量子效率。 有源层由量子阱和阻挡层组成。 上下波导层形成在有源层上和下方。 上和下包层形成在上下波导层上和下。 堆叠的层由衬底支撑。 在有源层和上下波导层之间形成上和下光限制层。 上光限制层与上波导层相比具有小的能隙，能隙不小于阻挡层的能隙。 下部光学限制层与下部波导层相比具有小的能隙，能隙不大于阻挡层的能隙。 电子阻挡层可以位于上波导层和位于上波导层下方的上光限制层之间。
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公开(公告)号：KR1020070000290A
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050055902
申请日：2005-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22
Abstract: A semiconductor laser diode with an asymmetric waveguide layer is provided to reduce a threshold current and to improve light extraction efficiency by preventing light loss owing to a p-type impurity. A semiconductor laser diode includes an n-bottom clad layer(21), an n-waveguide layer(22), an active layer(23), a p-waveguide layer(24) and a p-top clad layer(26) formed on a substrate(20). The n-waveguide layer is thicker than the p-waveguide layer. The thickness of the n-waveguide is 50nm-1000nm. The p-waveguide layer is formed with one layer or multi layer structure using a material including In(x)Ga(1-x)N where x is equal to or larger than 0 and is equal to or smaller than 0.2. The p-top clad layer has a mesa structure whose center is projected, and a p-electrode(27) is formed on the p-top clad layer.
Abstract translation: 提供具有不对称波导层的半导体激光二极管以减少阈值电流并且通过防止由p型杂质引起的光损失来提高光提取效率。 半导体激光二极管包括n形底层包层（21），n波导层（22），有源层（23），p波导层（24）和形成的p顶覆盖层（26） 在衬底（20）上。 n波导层比p波导层厚。 n波导的厚度为50nm-1000nm。 使用包括In（x）Ga（1-x）N的材料，其中x等于或大于0并且等于或小于0.2的材料，使用一层或多层结构形成p波导层。 p型顶覆层具有中心突出的台面结构，在p顶包层上形成p电极（27）。
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公开(公告)号：KR101430168B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020080002639
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B10/2504
Abstract: 3단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치가 개시된다. 개시된 3단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치는, 2단계 신호를 송수신하는 제1 및 제2 광송수신 장치: 및 상기 광 송수신 장치들로부터의 신호를 병합하여 하나의 3단계 신호로 출력하는 병합기;를 구비한다. 본 발명의 광 송수신 장치는 2단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치를 사용하면서도 3단계 전기적 신호를 송수신 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100837404B1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020060101579
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/02
CPC classification number: H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/321 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/34333
Abstract: 고효율의 반도체 광전소자에 관해 개시된다.
개시된 반도체 광전소자는: 양자우물과 장벽 층으로 이루어진 활성 층과; 상기 활성 층 상하에 형성된 상부 및 하부 웨이브가이드 층; 상기 상부 및 하부 웨이브가이드 층 위 아래에 각각 형성된 상부 및 하부크래드 층; 및 상기 적 층을 지지하는 기판을 구비하고, 상기 활성 층 및 상하부 웨이브가이드 층 사이에 마련되는 것으로 상부 웨이브가이드 층에 비해 에너지 갭이 작고 상기 장벽 층에 비해서는 같거나 큰 에너지 갭을 가지는 상부 광제한 층(optical confinement layer, OCL); 및 하부 웨이브가이드 층에 비해 에너지 갭이 작고 상기 장벽 층에 비해서는 같거나 작은 에너지 갭을 가지는 하부 광제한 층이 마련되어 있는 구조를 가진다. 이러한 본 발명에 따르면, 내부손실이 감소하고 광제한 인자가 증가하여 문턱 이득 값을 크게 감소시킬 수 있다. 또한 파장변화(Blue shift)가 적은 양질의 장파장 LD를 얻을 수 있다.
광제한 층, 광제한팩터, 반도체, 광전소자-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100738110B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060032746
申请日：2006-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
Abstract: A semiconductor laser diode array is provided to improve the yield by vertically bonding a semiconductor laser diode chip of a dual ridge structure. A semiconductor laser diode array includes a lower semiconductor laser diode chip(100), an upper semiconductor laser diode chip(200), and an electrode unit. The lower semiconductor laser diode chip(100) of a dual structure has a lower substrate, a first oscillation unit(120) which is mounted on the lower substrate, and a second oscillation unit(140) which is mounted to be apart from the first oscillation unit(120). The upper semiconductor laser diode chip(200) of a dual structure has an upper substrate, a third oscillation unit(220) which is mounted on the upper substrate, and a fourth oscillation unit(240) which is mounted to be apart from the third oscillation unit(220). The electrode unit connects electrically the first to fourth oscillation units(120,140,220,240) with the outside. The first oscillation unit(120) and the third oscillation unit(220) are vertically bonded, and the second oscillation unit(140) and the fourth oscillation unit(240) are vertically bonded so that first to fourth light emitting points which emit laser light of the first to fourth oscillation units(120,140,220,240) are arrayed two-dimensionally.
Abstract translation: 提供半导体激光二极管阵列以通过垂直结合双脊结构的半导体激光二极管芯片来提高成品率。 半导体激光二极管阵列包括下半导体激光二极管芯片（100），上半导体激光二极管芯片（200）和电极单元。 双重结构的下半导体激光二极管芯片（100）具有下基板，安装在下基板上的第一振荡单元（120）和安装为与第一振荡单元（120）分开的第二振荡单元 振荡单元（120）。 双重结构的上半导体激光二极管芯片（200）具有上基板，安装在上基板上的第三振荡单元（220）和安装成与第三振荡单元 振荡单元（220）。 电极单元将第一至第四振荡单元（120,140,220,240）与外部电连接。 第一振荡单元（120）和第三振荡单元（220）垂直结合，第二振荡单元（140）和第四振荡单元（240）垂直结合，使得发射激光的第一至第四发光点 第一至第四振荡单元（120,140,220,240）的二维排列。
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公开(公告)号：KR1020070043279A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050099355
申请日：2005-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/2214 , H01L21/761 , H01L29/0646 , H01S5/18333
Abstract: 본 발명은 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다. 기판 상에 순차적으로 형성된 n-반도체층, 활성층 및 p-반도체층을 포함하는 측면 발광형 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 p-반도체층은 리지 구조를 지니며, 상기 리지 구조의 하부는 상부 비해 1.2배 이상의 폭을 지닌 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. 따라서, 리지 하부의 폭을 리지 상부의 폭에 비해 약 1.2배 이상의 크기로 형성함으로써 단일 횡모드 동작이 용이한 반도체 레이저 다이오드를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060126250A
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：KR1020050047999
申请日：2005-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0213 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: A third to fifth group GaN-based compound semiconductor device is provided to reduce thermal loss and lengthen a lifetime by maintaining an optical confinement effect and reducing a resistance of a clad layer. An n-GaN lower contact layer(12), an n-clad layer(13), an n-optical waveguide layer(14), an active layer(15), a p-optical waveguide layer(16), and a p-clad layer(17) are sequentially laminated on a sapphire substrate(11). The p-clad layer is formed with a ridge structure. A p-contact layer(22) and a p-electrode(24) are sequentially formed on the ridge structure. An n-electrode(26) corresponding to the p-electrode is formed on an exposed surface of the lower contact layer. The p-clad layer has a super lattice structure.
Abstract translation: 提供第三至第五组GaN基化合物半导体器件，以通过保持光限制效应并降低覆层的电阻来减少热损失并延长寿命。 n-GaN下接触层（12），n包覆层（13），n光波导层（14），有源层（15），p光波导层（16）和p - 层（17）依次层压在蓝宝石基板（11）上。 p覆盖层形成有脊结构。 在脊结构上依次形成p接触层（22）和p电极（24）。 对应于p电极的n电极（26）形成在下接触层的暴露表面上。 p覆层具有超晶格结构。
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公开(公告)号：KR1020060118099A
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050040566
申请日：2005-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3202 , G01N2203/006 , H01S5/2205
Abstract: A nitride based semiconductor laser diode is provided to prevent the generation of crack and to reduce a far field vertical beam divergence angle, by increasing beam size of a near field. A nitride based semiconductor laser diode comprises a bottom clad layer, an active layer(130) and a top clad layer(140) stacked on a substrate(110) in sequence. In the nitride based semiconductor laser diode, the bottom clad layer comprises a plurality of layers(121a,121b) with different refractive indices, and a refractive index of a layer(121a) extremely adjacent to the active layer among the plurality of layers is the smallest. The bottom clad layer and the top clad layer are composed of an Al(x)Ga(1-x)N compound semiconductor respectively.
Abstract translation: 提供氮化物基半导体激光二极管，以通过增加近场的光束尺寸来防止裂纹的产生和减小远场垂直光束发散角。 氮化物基半导体激光二极管依次包括底部覆盖层，有源层（130）和堆叠在衬底（110）上的顶部覆盖层（140）。 在基于氮化物的半导体激光二极管中，底部包层具有折射率不同的多个层（121a，121b），并且与多个层中的有源层极相邻的层（121a）的折射率为 最小。 底部包层和顶部包层分别由Al（x）Ga（1-x）N化合物半导体构成。
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公开(公告)号：KR101426285B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020080002640
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L31/125 , H01L24/14 , H01L31/0203 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/184 , H01L2224/16225 , H01L2924/12043 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/0262 , H01S5/18305 , H01S2301/176 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 광 송수신 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시된다. 개시된 광송수신 소자는, 기판 상에 형성된 레이저 다이오드; 상기 레이저 다이오드 상에 형성되며 상기 레이저 다이오드로부터의 광의 출구인 애퍼처가 형성된 포토 다이오드; 및 상기 기판 상에서, 상기 레이저 다이오드 및 상기 포토 다이오드를 위한 전극과 연결된 복수의 전극 패드들;을 구비한다. 상기 레이저 다이오드의 광 출력방향과, 상기 레이저 다이오드 및 상기 기판의 본딩 방향이 서로 다르다.
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