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公开(公告)号：KR100790859B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020020071041
申请日：2002-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L29/02 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/943
Abstract: 수직나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 개시된 메모리 소자는, 소스 영역이 형성된 기판과, 기판 상에 일단이 소스 영역과 연결되어 전자 이동 채널이 되는 수직 성장된 나노튜브 컬럼 어레이와, 나노튜브 컬럼의 측면에 증착되는 메모리셀과, 메모리셀의 측면에 형성되는 제어 게이트 및, 나노튜브 컬럼의 타단과 연결되는 드레인 영역을 포함한다. 이온 도핑이 필요없는 단순한 공정을 통해 초고집적 메모리를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100695169B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020060003119
申请日：2006-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/04
Abstract: A flat panel display device is provided to prevent the performance degradation such as generation of a dark spot and brightness degradation by sealing a light-emitting element inside of the display device. A flat panel display device includes a bank unit(131), light-emitting elements(120), a dummy bank unit(135), and a sealing protection layer(140). The bank is arranged in a predetermined pattern on a display region, and defines a plurality of apertures. The light-emitting elements are arranged on the apertures. The dummy bank unit is integrally formed with the bank unit on a non-display region. An organic film and an inorganic film are alternatively stacked on the sealing protection layer of a multi-layer structure. The sealing protection layer separates the light-emitting elements from an external device. The organic film is arranged on a border of the sealing protection layer which is contacted with the light-emitting elements. The sealing protection layer of the multi-layer is extended from the display region to the non-display region, and is arranged to an outermost circumference of the dummy bank unit.
Abstract translation: 提供平板显示装置以防止通过密封显示装置内部的发光元件而导致性能劣化，例如产生暗点和亮度劣化。 平板显示装置包括存储单元（131），发光元件（120），伪存储单元（135）和密封保护层（140）。 该库在显示区域上以预定图案排列，并且限定多个孔。 发光元件布置在孔上。 伪存储单元在非显示区域上与存储单元一体地形成。 有机膜和无机膜交替堆叠在多层结构的密封保护层上。 密封保护层将发光元件与外部装置分开。 有机膜布置在密封保护层的与发光元件接触的边界上。 多层的密封保护层从显示区域延伸到非显示区域，并且被布置到虚拟存储体单元的最外周。
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公开(公告)号：KR100667816B1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：KR1020050088690
申请日：2005-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N19/13
CPC classification number: H04N19/13 , H04N19/176
Abstract: A efficient context adaption method and an apparatus thereof in a CABAC(Context Adaptive Binary Arithmetic Coding) process are provided to improve efficiency when information previously processed for blocks surrounding the current block is used and reduce the number of memories and bus accesses required for storing the neighboring information. A context adaption method in a CABAC process includes a step of determining the type of the syntax element of a next macroblock for which context adaption is carried out using neighboring information of the current macroblock(S100), a step of determining the condition and neighboring information to be used for context adaptation of the next macroblock on the basis of the type of the syntax element of the next macroblock(S110), a step of applying the determined condition to the determined neighboring information to generate a condition result(S120), and a step of storing the generated condition result(S130).
Abstract translation: 提供了一种在CABAC（上下文自适应二进制算术编码）过程中的有效上下文适配方法及其装置，以便在使用先前针对当前块周围的块进行处理的信息时，提高效率，并减少存储 相邻信息。 CABAC过程中的上下文适应方法包括使用当前宏块的相邻信息来确定执行上下文适应的下一个宏块的语法元素的类型的步骤（S100），确定条件和相邻信息的步骤 根据下一个宏块的语法元素的类型，用于下一个宏块的上下文适应（S110）;将确定的条件应用于所确定的相邻信息以产生条件结果的步骤（S120），以及 存储所生成的条件结果的步骤（S130）。
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公开(公告)号：KR100660864B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050039727
申请日：2005-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/04 , G11C29/50 , G11C29/50004
Abstract: 소노스 메모리 소자의 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 기판에 이격되게 형성되어 있고 소정의 도전성 불순물이 도핑된 제1 및 제2 불순물 영역과, 상기 제1 및 제2 불순물 영역사이의 상기 기판 상에 형성된 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막 상에 형성된 제1 트랩층과, 상기 제1 트랩층 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 소노스 메모리 소자의 동작 방법에 있어서, 상기 제1 및 제2 불순물 영역은 각각 소오스 및 드레인 영역으로서, 상기 제1 불순물 영역에 4.7V를 인가하고, 상기 제2 불순물 영역에 인가하는 전압(V2)은 0보다 작고 -3V이상(0V>V2≥-3V)이며, 상기 게이트 전극에 4V를 인가하여 상기 소노스 메모리 소자에 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 소노스 메모리 소자의 동작 방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060114870A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：KR1020050037052
申请日：2005-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N9/3129
Abstract: An image distortion preventing device and method are provided to generate an image as if resonance frequency is not changed by reflecting unexpected variation of the resonance frequency due to inevitable temperature variation of an optic scanner, to an image signal or a driving signal in real time. An image distortion preventing device includes a signal insertion unit(230) for inserting a sensing signal into an image signal having information on an image and outputting the inserted result as a scanning signal; a scanning unit(240) generating the light in response to the scanning signal and operated according to a driving signal determining the scanning direction of the light to scan the light; a sensing unit(260) detecting the sensing signal by sensing the scanned light; and a sensing condition reflecting unit(270) for inspecting whether the sensing signal is detected correspondingly to a pre-set sensing condition or not and re-setting at least one of the image signal and the driving signal in response to the inspection result.
Abstract translation: 提供了一种图像失真防止装置和方法，用于通过将由于光学扫描仪的不可避免的温度变化引起的共振频率的意外变化实时地反映到图像信号或驱动信号来产生图像，如同谐振频率不改变。 图像失真防止装置包括：信号插入单元，用于将感测信号插入到具有关于图像的信息的图像信号中，并将插入的结果作为扫描信号输出; 扫描单元，响应于扫描信号产生光，并根据确定扫描光的扫描方向的驱动信号进行操作; 感测单元（260），通过感测所述扫描光来检测所述感测信号; 以及检测条件反映单元（270），用于检查对应于预设感测条件是否检测到感测信号，并响应于检查结果重新设置图像信号和驱动信号中的至少一个。
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公开(公告)号：KR1020060110701A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：KR1020050033199
申请日：2005-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5253
Abstract: An organic light-emitting device of an active matrix drive type and a method for manufacturing the same are provided to prevent deterioration of the device by forming an organic thin film transistor with low process temperature after forming the organic thin film diode with high process temperature. In an organic light-emitting device of an active matrix drive type, an organic light emitting diode(300) includes a transparent electrode(340), an organic light emitting layer(330), and a pixel electrode(310) laminated on an upper side of a transparent substrate(100) in sequence. A planarized layer(410) covers the organic light emitting diode(300). A pixel circuit drives the organic light emitting diode(300) by using an organic thin film transistor(200) arranged on an upper surface of the planarized layer(410).
Abstract translation: 提供一种有源矩阵驱动型有机发光器件及其制造方法，用于通过在形成具有高处理温度的有机薄膜二极管之后形成具有低工艺温度的有机薄膜晶体管来防止器件劣化。 在有源矩阵驱动型的有机发光装置中，有机发光二极管（300）包括透明电极（340），有机发光层（330）和层叠在上层的像素电极（310） 一侧的透明基板（100）。 平坦化层（410）覆盖有机发光二极管（300）。 像素电路通过使用布置在平坦化层（410）的上表面上的有机薄膜晶体管（200）驱动有机发光二极管（300）。
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公开(公告)号：KR1020060093383A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050014087
申请日：2005-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/792 , H01L29/788
Abstract: 반도체 기판 상에 형성되는 게이트 구조물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 게이트 구조물은, 반도체 기판 상의 제 1 절연막과, 제 1 절연막 상에 형성되고 전하 저장을 위한 스토리지 노드와, 스토리지 노드 상의 제 2 절연막과, 제 2 절연막 상의 제 3 절연막과, 제 3 절연막 상의 제어 게이트 전극을 포함한다. 또한, 제 2 절연막과 제 3 절연막 가운데 적어도 하나 이상의 유전 상수는 제 1 절연막의 유전 상수보다 크다.
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公开(公告)号：KR1020060052126A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050094516
申请日：2005-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/513 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 높은 일함수를 지닌 비휘발성 반도체 메모리 소자에 관한 것으로, 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역을 포함하는 반도체 기판, 상기 채널 영역 상에 순차적으로 형성된 터널링층, 전하 저장층, 블로칭 산화층 및 게이트 전극층 포함하는 게이트 구조체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 전극층은 4.4eV 이상의 일함수(work function)를 지닌 물질을 포함하여 형성된 비휘발성 반도체 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050102864A
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020040028165
申请日：2004-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28202 , G11C16/0466 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 다층의 유전체층을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 양측부에 형성된 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역, 상기 제 1불순물 영역 및 상기 제 2불순물 영역과 접촉하며 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는, 터널링 산화층; 상기 터널링 산화층 상에 형성된 전하 저장층; 상기 전하 저장층 상에 형성되며, 2 이상의 유전체층을 포함하는 절연층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 다층의 유전체층을 포함하는 메모리 소자를 제공하여, 동작 특성 및 리텐션 특성이 향상된 메모리 소자를 구현할 수 있다.
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