公开(公告)号：KR1020060054514A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020040093575

申请日：2004-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  정지심

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67069

Abstract: 건식 식각 장치가 개시된다.
개시되는 건식 식각 장치는 플렉서블(flexible) 기판이 내부에 수용되는 반응실; 상기 반응실의 상부에 설치되는 상부 전극; 상기 반응실의 하부에 설치되는 하부 전극; 상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 소정 전원을 공급하는 전원장치; 상기 플렉서블 기판에 반응가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 플렉서블 기판에 흡입력을 가하여 상기 플렉서블 기판을 편평하게 유지하는 흡입부;를 구비한다. 또한, 상기 건식 식각 장치는 플라스마에 바이어스(bias)를 가하여 상기 플라스마 내의 이온을 가속시키는 바이어스부를 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 건식 식각 장치에 의하면, 흡입홀이 구비되어 식각 공정 중에 상기 플렉서블 기판이 편평하게 유지될 뿐만 아니라, 바이어스 전극이 마련되어 플렉서블 기판에 대한 이온 등의 충돌이 증진된다. 따라서, 상기 플렉서블 기판이 균일하고 효율적으로 식각될 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020060008521A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020040056815

申请日：2004-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/31

Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은:
게이트 위에 게이트 절연물질층과 비정질 실리콘층을 ICP-CVD(Incuctively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition )에 의해 연속 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명은 하나의 챔버 내에서 게이트 절연층과 실리콘층이 연속 증착되기 때문에 게이트 절연층과 실리콘 층간의 계면 특성의 악화를 방지할 수 있다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT