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公开(公告)号：KR1020170119022A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160046280
申请日：2016-04-15
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F9/00 , G03F7/0002 , G03F7/0037 , G03F7/70 , G03F9/7042
Abstract: 본발명은나노임프린트방식으로수 나노미터내지수십나노미터크기로패터닝된기능층을다수적층시킴으로써, 고강도이고, 초경량이며, 고기능성인 3차원구조체를쉽고용이하게형성할수 있는나노임프린트방식을이용한 3차원구조체의제조방법에관한것이다. 이를위해나노임프린트방식을이용한 3차원구조체의제조방법은요철부가가공된스탬프를준비하는스탬프준비단계와, 요철부를포함한스탬프에이형층을형성하는이형층형성단계와, 이형층형성단계를거친요철부에기능층을형성하기위해하나이상의재료를수십나노미터내지수백나노미터의크기로형성하는재료형성단계와, 기판상에요철부에형성된재료를적층하는재료적층단계및 재료에압력, 열과압력, 빛과압력중 어느하나를가하여재료를하단의재료에접합시키는기능층고정단계를포함하고, 상술한단계를순차적으로반복실시하여내부에다수의기공이형성되는 3차원구조체를제조할수 있다.
Abstract translation: 通过本发明的一些使用纳米压印法层压用的银纳米压印法图案化，几纳米到几十在尺寸，强度高，重量轻纳米的功能层，和所述三维结构，其能够容易地且容易地形成一个高性能的成人的三维结构 及其制造方法。 使用纳米压印方法来完成这一任务的三维结构的制造方法进行盖章准备阶段，释放层形成工序中，形成含有凹凸的部分的印模eyihyeong层的剥离层形成工序制备冲压凹凸部加工的凹凸 为了形成层叠形成于一种或多种材料数十个方纳米的凸部材料形成工序的材料在材料中，热和压力，光功能层材料层叠工序，和在基板至几百尺寸纳米，并且所述压力 并且它可通过上升到所述三维结构，其包括所述材料结合到底的材料中，通过重复序列中的压力的一个步骤的上述实施方式在其中形成的多个孔中的一个功能层设置步骤来制备。
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公开(公告)号：KR101703952B1
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020140119083
申请日：2014-09-05
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 금속나노패턴제조방법에서기판의상면에금속층을형성한다. 개구부가형성된템플릿(template)을상기기판상에고온, 고압으로합착시킨다. 상기템플릿이상기기판의금속층에고온, 고압으로합착함에따라, 상기금속층의금속을클러스터링(clustering)시킨다. 상기개구부에대응되는위치의금속이클러스터링되며상기기판상에잔류하여, 금속패턴을형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及金属纳米图案的制造方法。 金属层形成在基板的上表面上; 具有形成在其上的开口部的模板在高温高压下紧固在基板上; 允许金属层的金属聚集，同时模板在高温高压下紧固在基板的金属层上; 并且在与开口部分对应的位置处的金属聚集并保留在基板上以形成金属图案。 根据本发明的一个实施例，模板的开口部分可以以各种方式布置，从而容易地形成金属图案的布置和点结构。
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公开(公告)号：KR1020160099995A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022402
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국기계연구원
IPC: G01J1/42
Abstract: 본발명의한 실시예에따른자외선검출기는자외선이입사되는광 필터부, 광필터부를통과한자외선을가시광으로변환시키는파장변환부, 가시광의광량을측정하기위한광전변환부를포함하고, 광필터부는복수의나노홀을가지는금속층으로이루어진다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，一种紫外线检测器包括：照射紫外线的滤光单元; 波长转换单元，其将通过所述滤光单元的紫外线转换为可见光; 以及光电转换单元，其测量可见光的辐射强度。 滤光单元由具有多个纳米孔的金属层构成。 因此，本发明能够提高紫外线测定的分辨率，能够定量地测定紫外线。
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公开(公告)号：KR1020150014755A
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130090395
申请日：2013-07-30
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은심리스롤마스터제작방법에관한것이며, 본발명의심리스롤마스터제작방법은, 롤형태의기판외주면에박막층을형성하는박막층형성단계와, 박막층의자기조립(self assembly)을유도하는자기조립유도단계와, 박막층을현상하여제1패턴을형성하는제1패턴형성단계를포함하고, 박막층형성단계는, 박막층의소재가되는코팅액이수용된코팅액수용조에기판을담근상태에서기판을회전시키며, 박막층의두께가조절되도록기판을제1 속도범위에서회전시키는제1 두께조절단계를구비하는제1처리단계와, 기판을코팅액수용조로부터이탈시킨상태에서기판을회전시키며, 제1 두께조절단계에서조절된박막층의두께가재조절되도록기판을제2 속도범위에서회전시키는제2 두께조절단계를구비하는제2처리단계를포함하며, 제2 속도범위에서의기판의회전속도는제1 속도범위에서의기판의회전속도보다크며, 코팅액은, 은나노입자현탁액(suspensions) 또는은 이온용액(solution)으로이루어진다.
Abstract translation: 本发明涉及一种无缝辊母机的制造方法。 本发明的无缝辊轧机的制造方法包括：在辊状基板的外周面上沉积薄膜的沉积步骤; 诱导薄膜自组装的自组装感应步骤; 以及通过显影薄膜层来形成第一图案的第一图案形成步骤。 因此，根据本发明，提供了一种通过使用自组装感应能够容易地制造无缝辊母版的无缝辊母版的制造方法。
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公开(公告)号：KR101486888B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130056696
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법에 관한 것으로서, 경화시간을 단축시키고 임프린트를 가능하게 하는 최적의 코팅제를 사용하는 것으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 지르코닐 2-에틸헥사노에이트(Zirconyl 2-ethylhexanoate) 및 지르코늄 카복시 에틸 아크릴레이트 (Zirconium carboxyethyl acrylate)로 이루어진 산화지르코늄 전구체, 개시제, 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화박막 패턴형성용 코팅제 및 이를 이용한 나노 임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성 방법이 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101471089B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120137154
申请日：2012-11-29
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광소자제조방법은, 기판상에나노구조물패턴의광결정구조를갖는제1 광결정층을형성하는단계와, 상기제1 광결정층상에나노구조물패턴의광결정구조를갖는제2 광결정층을형성하는단계, 및상기제2 광결정층상에제1 전극층, 발광층, 제2 전극층을순차적으로형성하는단계를포함한다.
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87.发明公开
公开(公告)号：KR1020140115070A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029674
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: Provided are a method for fabricating a high crystalline nanostructure using nanoimprint lithography and a transistor and a sensor using the nanostructure fabricated thereby. The method for fabricating a high crystalline nanostructure using nanoimprint lithography comprises a preparation step of preparing a substrate; a thin film formation step of forming a thin film on the substrate; an imprinting step of forming a nanostructure by imprinting a patterned stamp on the thin film; a residues removal step of removing residues remaining on the nanostructure to improve growth of crystals in the nanostructure; and a growth step of growing the nanostructure from which the residues have been removed through a hydrothermal process. According to the present invention, since the nanostructure is grown in a non-vacuum low-temperature state, the costs can be saved. Also, the growth of the crystals in the nanostructure can be improved by removing the residues in the nanostructure.
Abstract translation: 提供了使用纳米压印光刻制造高结晶纳米结构的方法，以及使用由其制造的纳米结构的晶体管和传感器。 使用纳米压印光刻制造高结晶纳米结构的方法包括制备基底的制备步骤; 在所述基板上形成薄膜的薄膜形成步骤; 通过在薄膜上压印图案化的印模来形成纳米结构的压印步骤; 去除残留在纳米结构上的残留物以改善纳米结构晶体生长的残余物去除步骤; 以及生长步骤，其中通过水热法除去残余物的纳米结构。 根据本发明，由于纳米结构在非真空低温状态下生长，因此可以节省成本。 此外，通过去除纳米结构中的残余物，可以改善纳米结构中晶体的生长。
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公开(公告)号：KR101425192B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020120090231
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명의 태양 전지는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있으며 돌출부를 포함하는 금속산화층, 금속산화층 위에 형성되어 있는 활성층, 활성층 위에 형성되어 있는 완충층, 완충층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140065098A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020120132182
申请日：2012-11-21
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00 , G03F7/161
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a substrate with a nanopattern. The method for manufacturing a substrate with a nanopattern according to the present invention comprises: a sacrificial layer laminating step of laminating a sacrificial layer on a substrate; a pattern layer laminating step of laminating a pattern layer on the sacrificial layer; a protrusion pattern forming step of forming a protrusion pattern which is formed to protrude while neighboring on the pattern layer; a flat layer laminating step of laminating a flat layer between the protrusion pattern and protrusion pattern neighboring; an etching step of etching the sacrificial layer and protrusion pattern located on the lower side of the flat layer and protrusion pattern; a material layer laminating step of laminating a material layer on the exposed substrate and flat layer; and a nanopattern forming step of forming a nanopattern protruding from the exposed substrate and neighboring on the exposed substrate. Accordingly, the present invention provides the method for manufacturing a substrate with a nanopattern which improves the efficiency of a device since the upper side of a nanostructure finally formed is formed in order to be flat by forming a reverse slope in which the length of the upper side is longer than the length of the lower side when the pattern layer is etched.
Abstract translation: 本发明涉及一种用纳米图案制造基片的方法。 根据本发明的具有纳米图案的基板的制造方法包括：在基板上层叠牺牲层的牺牲层层压步骤; 图案层层叠步骤，在牺牲层上层叠图案层; 突起图案形成步骤，形成突起图案，所述突起图案形成为在所述图案层上相邻地突出; 平坦层层压步骤，在相邻的突起图案和突起图案之间层叠平坦层; 蚀刻步骤，蚀刻位于所述平坦层的下侧的所述牺牲层和突出图案以及突出图案; 在暴露的基板和平坦层上层叠材料层的材料层层压步骤; 以及纳米图案形成步骤，形成从暴露的基板突出并与暴露的基板相邻的纳米图案。 因此，本发明提供了一种用于制造具有纳米图案的基板的方法，其中由于形成最终形成的纳米结构的上侧以形成平坦的方式，从而提高了器件的效率，因此通过形成其中上部 当图案层被蚀刻时，该边比下侧的长度长。
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公开(公告)号：KR101398623B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120061067
申请日：2012-06-07
IPC: H01L21/027
Abstract: 코어-쉘 나노와이어가 제공된다.
본 발명에 따른 코어-쉘 나노와이어 어레이는, 기판과 평행한 형태의 나노와이어; 및 상기 나노와이어 상부에 코팅된 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 포토 리쏘그래피(Photo lithography)와 임프린트(imprint) 등과 같이, 기존의 모든 나노 스케일이 가능한 리쏘그래피(Lithography)를 이용하여 나노와이어 어레이 구조를 형성한 후 코어-쉘 나노와이어 어레이 구조를 형성할 수 있다.
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