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公开(公告)号：KR1019970009732B1
公开(公告)日：1997-06-17
申请号：KR1019940014062
申请日：1994-06-21
IPC: H01L31/00
Abstract: A method of fabricating a planar optical detector includes the steps of growing an epitaxial layer including a surface layer 42 that is In having a predetermined thickness on an n-type InP substrate 37, diffusing a first impurity into a predetermined region of the epitaxial layer using a first mask having a predetermined pattern to form a p-type region 44, selectively removing the surface layer 42 using the first mask, defining an optical absorption region and electrode region using a second mask having a predetermined pattern through CVD and selectively removing the surface layer 42 corresponding to the electrode region, respectively forming a p-type metal electrode 46p and n-type metal electrode 46b on the optical absorption region and electrode region, selectively etching the exposed portion of InGaAs layer 41p in the optical absorption region, depositing a third silicon nitride layer 47 on the optical absorption region for anti-reflection coating and passivation for flip chip bonding, and selectively etching a portion of the silicon nitride layer 47, in which a solder for bonding flip chip is formed.
Abstract translation: 一种制造平面光学检测器的方法包括以下步骤：在n型InP衬底37上生长包括具有预定厚度的表面层42的外延层，将第一杂质扩散到外延层的预定区域中，使用 具有预定图案以形成p型区域44的第一掩模，使用第一掩模选择性地去除表面层42，使用通过CVD的具有预定图案的第二掩模限定光吸收区域和电极区域，并选择性地去除表面 对应于在光吸收区域和电极区域上分别形成p型金属电极46p和n型金属电极46b的电极区域的层42，选择性地蚀刻光吸收区域中的InGaAs层41p的暴露部分， 用于防反射涂层的光吸收区上的第三氮化硅层47和倒装芯片的钝化 并且选择性地蚀刻形成用于接合倒装芯片的焊料的氮化硅层47的一部分。
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公开(公告)号：KR1019970007469B1
公开(公告)日：1997-05-09
申请号：KR1019930027022
申请日：1993-12-09
IPC: H01L23/48
Abstract: A laser packaging method of a semiconductor device is described that can produce an optical transmitting module of a semiconductor laser at a low price. The method includes a first step of depositing a metal pad 2 for detecting light on a silicon substrate 1, a second step of forming the V-groove 3 for fixing an optical fiber and U-groove 4 for setting reflection surface, a third step of fixing a semiconductor laser 5 at the flip chip bonding so that an axis of the laser 5 can be aligned with that of the V-groove 3 and output light applied into the U-groove 4, and fixing a photo detector 6 onto the metal pad 2 so that a region 7 of the photo detector 6 can cover some of the U-groove 4 and receive the light reflected by the U-groove 4, and a fourth step of inserting an optical fiber 10 into the V-groove 3 and then fixing it. Thereby, it is possible to attach the photo detector 6 onto the silicon substrate 1 with a high yield.
Abstract translation: 描述了半导体器件的激光封装方法，其可以以低价格产生半导体激光器的光发射模块。 该方法包括：沉积用于在硅衬底1上检测光的金属焊盘2的第一步骤，形成用于固定光纤的V形槽3和用于设置反射表面的U形槽4的第二步骤，第三步骤 将半导体激光器5固定在倒装芯片接合处，使得激光器5的轴线可以与V形槽3的轴线对准，并且输出施加到U形槽4中的光，并将光电检测器6固定到金属焊盘 2，使得光电检测器6的区域7可以覆盖U形槽4中的一些并且接收由U形槽4反射的光，以及将光纤10插入到V形槽3中的第四步骤 修复它 由此，可以以高产率将光检测器6安装到硅基板1上。
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公开(公告)号：KR1019970006607B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027341
申请日：1993-12-11
Abstract: A method for fabricating an optical switch is described that provides a structure which can improve the operation speed of the optical switch. The method includes the steps of forming an n--InGaAs light guiding path layer 2 and n--InP layer 3, selectively removing the n--InP layer 3 and light guiding path layer 2, forming an n+-InGaAs light guiding path layer 4, an n--InP clad layer 5, n--InP blocking layer 6, n--InGaAs capping layer 7 and p--InGaAs capping layer 8 in sequence, selectively etching the parts which refect the light, diffusing Zn at the parts, selectively etching the p--InGaAs capping layer 8, n--InGaAs capping layer 7, n--InP blocking layer 6 and n--InP clad layer 5, depositing a SiNx insulating layer 9, and selectively etching the insulating layer 9, forming a p-type electrode 11 prior to deposition of an n-type electrode. Thereby, it is possible to improve the operation speed of the optical switch and thus increase the amount of data exchanged.
Abstract translation: 描述了一种用于制造光开关的方法，其提供了可以提高光开关的操作速度的结构。 该方法包括以下步骤：形成n-InGaAs导光路径层2和n-InP层3，选择性地去除n-InP层3和导光路径层2，形成n + -InGaAs光导路径层 如图4所示，n-InP包层5，n-InP阻挡层6，n-InGaAs覆盖层7和p-InGaAs覆盖层8依次，选择性地蚀刻反射光的部分，在 选择性蚀刻p-InGaAs覆盖层8，n-InGaAs覆盖层7，n-InP阻挡层6和n-InP覆盖层5，沉积SiNx绝缘层9，并且选择性地蚀刻绝缘层 如图9所示，在n型电极沉积之前形成p型电极11。 由此，能够提高光开关的动作速度，能够增加数据交换量。
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公开(公告)号：KR1019970005679B1
公开(公告)日：1997-04-18
申请号：KR1019930029350
申请日：1993-12-23
IPC: H01L21/205
Abstract: There is provided a reactor structure of a vertical typed metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) used in crystal growth of a compound semiconductor. The reactor includes: an outlet tube(3) disposed at both directions of an outlet part of a vertical typed MOCVD mount(10) in order to enhance a dispersion degree of a fluid; and a mash band(6) inserted in an inner side of the mount(10) in a cylindrical type.
Abstract translation: 提供了用于化合物半导体的晶体生长中的垂直型金属有机化学气相沉积（MOCVD）的反应器结构。 该反应器包括：排出管（3），其设置在垂直型MOCVD安装件（10）的出口部分的两个方向上，以便提高流体的分散度; 以及以圆柱形的方式插入所述支架（10）的内侧的泥浆带（6）。
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公开(公告)号：KR1019970004489B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018146
申请日：1993-09-09
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: This invention is about a manufacturing method of an internal total reflection type semiconductor optical switch using refraction ratio change of an optical wave guide by injection current. The method includes the steps of: raising an InGaAsP optical wave guide layer(2) not doped by epitaxy method and an InP clad layer(3) by order on the 1st-type InP substrate(1); etching a certain region of the clad layer(3) on which an optical detector is to be formed; forming the 2nd-type diffusion region by raising an InGaAsP cap layer(4) not doped by epitaxy method and diffusing dopant on a certain region of the cap layer(4); forming a pn junction of an optical switch and an optical detector and forming an optical wave guide by etching the cap layer(4) and the clad layer(3); and forming the 1st-type electrode(5) and the 2nd-type electrode(13).
Abstract translation: 本发明涉及一种使用注射电流的光波导折射率变化的内部全反射型半导体光开关的制造方法。 该方法包括以下步骤：在第1型InP衬底（1）上按顺序升高不掺杂外延法的InGaAsP光波导层（2）和InP包层（3）; 蚀刻要在其上形成光学检测器的包层（3）的某个区域; 通过在盖层（4）的特定区域上升出不掺杂外延法的InGaAsP覆盖层（4）和扩散掺杂剂来形成第二扩散区域; 通过蚀刻覆盖层（4）和覆盖层（3）形成光开关和光检测器的pn结并形成光波导; 并形成第1型电极（5）和第2型电极（13）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960024483A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940032829
申请日：1994-12-05
IPC: G02B6/24
Abstract: 본 발명은 V-홈을 이용하는 광섬유-광소자 결합장치와 페룰을 제조함에 있어서, V-홈이 형성된 두개의 기판을 고온 열처리하여 직접 접착시켜 두 V-홈에 의해 형성되는 구멍을 통하여 광섬유를 삽입, 고정하는 장치로서 광섬유와 접착제의 직접적인 사용에 오는 단점을 해소하는데 그 목적이 있는 것으로, 기판과 뚜껑 사이에 에폭시 등의 접착제를 사용하지 않고 두개의 V-홈을 서로 직접 접착하여 형성되는 구멍을 통하여 광섬유를 삽입하여 고정시킴으로써 접착제를 사용하여 광섬유를 고정시킬 경우에 발생하는 접착 후 정렬의 흐트러짐과 신뢰성의 정하 등을 방지할 수 있고, 광섬유를 V-홈에 먼저 고정시킨 경우에 최종 패키지의제작시까지 광섬유를 부착한 상태로 조립 공정을 수행할 때 따르는 공정상의 어려움을 극복할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960019810A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032106
申请日：1994-11-30
IPC: H01L31/02
Abstract: 본 발명은 실리콘 V-홈과 플립칩 본딩을 이용하는 광섬유-광소자간의 광결합장치를 제조하는 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 레이저 다이오드나 포토 다이오드 같은 광소자를 플립칩 본딩하여 V-홈에 실장되는 광섬유와 결합시킬때 광소자가 실장될 플립칩 본딩 패드의 위치를 V-홈에 대해 재정렬할 필요가 없도록 하기 위한 자기정렬된 광섬유-광소자 결합장치의 제조방법에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 실리콘 기판위에 실리콘 질화막 혹은 실리콘 산화막 등의 절연막을 형성하는 제1공정과, 상기 제1공정에 의해 형성된 절연막 위에 증착 금속층을 사진 전사공정과 리프트-오프 공정으로 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에 의해 형성된 실리콘 기판 전면에 플라즈마 보강 화학 기상 증착법(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의한 실리콘 질화막 혹은 저온방식에 의한 실리콘 질화막을 형성시키는 제3공정과, 상기 제3공정에 의해 형성된 실리콘 기판에 사진전사 공정과 실리콘 질화막 혹은 실리콘 산화막의 식각작업에 의해 실리콘 V-홈 식각창과 솔더댐을 동시에 형성하는 제4공정과, 상기 제4공정에 의해 형성된 기판위에 이방성 실리콘 식각용액으로 실리콘 V-홈을 형성하고 솔더를 증착금속층 패턴위에 증착함으로써 V-홈과 더범프를 가진 광섬유-광소자 결합장치를 위한 실리콘 기판을 완성하는 제5공정으로 이루어짐에 있다.-
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公开(公告)号：KR1019950021453A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027022
申请日：1993-12-09
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 V-글로브(V-groove)에칭 및 플립칩 본딩(flip chip bonding)기술을 이용한 저가격 및 대량생산에 적합한 반도체 레이저 패키징 방법에 관한 것으로 모니터용 광검출기에서 광흡수율을 높이기 위해 칩을 실리콘 기판위에 세워 놓을 경우 전기적 연결을 위한 와이어 본딩이 불가능하여지고, 광검출기칩을 실리콘 기판위에 눕혀 놓는 경우에는 반도체 레이저에서 나오는 빛이 광검출기의 흡수영역으로 들어갈 수 없게 되는 문제점을 개선하기 위하여 반도체 공정을 이용하여 실리콘 기판위에 수행하므로써 저가격의 반도체 레이저 광송신 모듈을 대량생산이 가능하고 특히, 실리콘 기관을 이용한 반도체 레이저 패키징 기술중 종래의 가장 큰 문제점이 되어 온 모니터용 광검출기를 부착하는데 있어서, 기존의 V-groove에칭 및 flip chip공정 이 별도 공정의 추가없이 손쉽게 모니터용 검출기를 높은 흡수율을 갖도록 실리콘 기판 위에 부착하는 기술이다.
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公开(公告)号：KR1019950010143A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930018145
申请日：1993-09-09
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
Abstract: 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈모양의 선택식각, Zn확산, 전극증착 등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈모양의 식각과 InP와 InGaA의 확산계수의 차이에 의하여 Zn확산이 상대적으로 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어지구 홈의 양 옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어진다.
즉, p형 옴접촉 면적은 도파로폭 전체에 형성되어져 옴저항은 줄어들고 전류주입은 반사면이 형성된 홈 식각부분으로만 주입된다.
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