公开(公告)号：FR2987171A1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1251597

申请日：2012-02-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARTINEZ ALBERT ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L23/58 ,  H01G5/04

Abstract: Un ensemble thermiquement déformable (ENS1) est réalisé au sein d'un niveau de métallisation de circuit intégré, et on utilise le comportement physique du métal formant cet ensemble thermiquement déformable (ENS1) soumis à une variation de température provoqué par le passage d'un courant, de façon à venir placer cet ensemble en contact avec un corps formant butée (CPS1) sans qu'il y ait de retour naturel possible à la configuration initiale (dans laquelle l'ensemble est à distance du corps) et de pouvoir déterminer très simplement l'état ou la configuration dans laquelle se trouve l'ensemble par une lecture capacitive (DCP, CLC).

公开(公告)号：FR2981190A1

公开(公告)日：2013-04-12

申请号：FR1159025

申请日：2011-10-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  FORNARA PASCAL

IPC: G11C27/02 ,  H01L27/02

Abstract: L'invention concerne un circuit (C3') d'écoulement de charges pour une mesure temporelle, comprenant une pluralité d'éléments capacitifs élémentaires (C3 ') électriquement en série, chaque élément capacitif élémentaire présentant une fuite au travers de son espace diélectrique.

公开(公告)号：FR2980636A1

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：FR1158451

申请日：2011-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/306 ,  G06K19/073

Abstract: Le support semiconducteur pour circuit intégré du type silicium sur isolant, comprend une région isolante (4) disposée entre un premier substrat semiconducteur (2) destiné à recevoir le circuit intégré et un deuxième substrat semiconducteur (3) contenant au moins une couche enterrée (5) comportant au moins un siliciure de métal.

公开(公告)号：FR2951016B1

公开(公告)日：2012-07-13

申请号：FR0956920

申请日：2009-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L21/223 ,  G06K19/073 ,  H01L23/58

公开(公告)号：FR2968454A1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1060126

申请日：2010-12-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/08

Abstract: Procédé d'identification d'un circuit intégré comportant une zone métallique (ZM) formée lors de la fabrication du circuit intégré, le procédé comprenant une détermination (10) d'une empreinte représentative de la structure granulaire de ladite zone métallique, une élaboration (11) d'une information d'identification (Id) dudit circuit intégré à partir de ladite empreinte, et un stockage (12) de ladite information d'identification dans une mémoire non volatile (NVM) du circuit intégré.

公开(公告)号：AT515798T

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：AT09167014

申请日：2009-07-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L27/10 ,  G11C17/16

Abstract: The circuit (30) has a semiconductor material e.g. polycrystalline silicon, substrate (12) and pixels (Pix1, 1, Pix1, 2) constituting shinning or metallization level metallic portions. The shinning or metallization level metallic portion of one pixel is connected to the substrate. The shinning or metallization level metallic portion of the other pixel is separated from the substrate by an insulating partition (32). Capacitive coupling elements (CE1, 1, CE1, 2) e.g. metal oxide semiconductor transistor, connects the pixels to a selection element. An independent claim is also included for a method for storing an image in an integrated circuit.

公开(公告)号：FR2951016A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956920

申请日：2009-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: H01L21/223 ,  G06K19/073 ,  H01L23/58

Abstract: L'invention concerne un procédé de protection contre des attaques laser d'une puce de circuit intégré (21) formée dans et sur un substrat semiconducteur (3) et comprenant dans la partie supérieure du substrat une partie active (5) dans laquelle sont formés des composants, ce procédé comportant les étapes suivantes : former dans le substrat une zone (23) de piégeage d'impuretés s'étendant sous la partie active (5), la limite supérieure de ladite zone étant à une profondeur comprise entre 5 et 50 µm de la face supérieure du substrat ; et introduire dans le substrat des impuretés métalliques diffusantes.

公开(公告)号：FR3098914B1

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：FR1908238

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： VIDAL-DHO MATTHIAS ,  HUBERT QUENTIN ,  FORNARA PASCAL

IPC: G01N27/22 ,  G01R31/08

Abstract: Une détection d’humidité éventuelle dans un circuit intégré (CI) est effectuée de façon autonome par le circuit intégré lui-même. Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3091786B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：FR1900385

申请日：2019-01-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/12

Abstract: La diode (DD1) comprend un barreau de silicium polycristallin (PL2) comportant une première région dopée d’un premier type de conductivité (P+), une deuxième région dopée d’un deuxième type de conductivité (N+) et une région intrinsèque (INT), et comprend une couche conductrice (PL1) apte à être polarisée, parallèle au barreau de silicium polycristallin (PL2) et séparée dudit barreau par une couche diélectrique (CD). Figure de l’abrégé : figure 1

公开(公告)号：FR3099259A1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：FR1908376

申请日：2019-07-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G06F21/70 ,  H01L27/115

Abstract: Le circuit intégré comprend : - une mémoire (MEM) comportant au moins un transistor d’état (TE) comprenant une grille flottante (FG), stockant une donnée respective ; - un dispositif de protection des données stockées dans la mémoire (DIS) comprenant, pour chaque transistor d’état (TE), au moins une structure capacitive (SC) comprenant un premier corps électriquement conducteur (CC1) couplé à la grille flottante (FG) du transistor d’état (TE), un corps diélectrique (IMD), et un deuxième corps électriquement conducteur (CC2) couplé à une borne de masse (GND). Le corps diélectrique (IMD) est configuré pour coupler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) de façon à modifier la charge de la grille flottante (FG) et perdre la donnée correspondante si une solution aqueuse est mise en contact avec le corps diélectrique (IMD), et pour isoler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) sinon. Figure pour l’abrégé : Fig 1A