公开(公告)号：CN103545460A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310285678.4

申请日：2013-07-09

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李秀奂 ,  成沄澈 ,  金彩雄 ,  崔永默

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  B05D1/60 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/56 ,  H01L27/32 ,  H01L27/326 ,  H01L51/0008 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种有机层沉积设备，有机发光显示设备及其制造方法。该有机层沉积设备包括：包括第一运送单元和第二运送单元的运送单元、加载单元和卸载单元以及沉积单元。转移单元在第一运送单元与第二运送单元之间移动，并且附接到转移单元的基板在由第一运送单元转移时与沉积单元的多个有机层沉积组件隔开。有机层沉积组件包括公共层沉积组件和图案层沉积组件。

公开(公告)号：CN103518146A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022430.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 加藤亮祐 ,  宫村贤郎 ,  森本保

IPC: G02B1/10 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/448 ,  B05D1/60 ,  B05D5/083 ,  B05D2203/35 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/75 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45561

Abstract: 本发明的目的在于提供可制造高耐久性的含氟有机硅化合物薄膜并能够连续进行成膜工序的制造方法及制造装置。本发明提供含氟有机硅化合物薄膜的制造方法及可很好地用于所述制造方法的制造装置，其特征在于，依次包括以下的(a)～(c)的工序：(a)将加热容器内的含氟有机硅化合物升温至蒸镀开始温度的升温工序；(b)达到蒸镀开始温度后，对来自所述含氟有机硅化合物的蒸气进行排气的预处理工序；(c)向真空室内的基板上供给实施了所述预处理工序的含氟有机硅化合物的蒸气而形成含氟有机硅化合物薄膜的成膜工序。

公开(公告)号：CN102239275B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201080003478.X

申请日：2010-02-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 根岸敏夫 ,  平岩秀行

IPC: C23C14/24 ,  C23C16/448 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/243 ,  B05D1/60 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种在发生槽内产生的有机化合物蒸汽不会倒流到将有机化合物向发生槽供给的内侧连接管中的技术。在具有配置有机材料的储存槽（31）、将有机材料加热而产生有机材料的蒸汽的发生槽（33）、和将储存槽（31）内的有机材料向发生槽（33）供给的输送装置（32）的有机薄膜制造装置（1）中，输送装置（32）设有：外侧连接管（37），将储存槽（31）的内部环境与发生槽（33）的内部环境气密地连接；气体导入口（42），将气体导入到配置在外侧连接管（37）的内部中而使有机材料从储存槽（31）内部移动到发生槽（33）内部的由石英构成的内侧连接管（38）的内部中。

公开(公告)号：CN101573468B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200780048826.3

申请日：2007-12-28

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 史蒂芬·P·马基 ,  克里斯托弗·S·莱昂斯 ,  艾伦·K·纳赫蒂加尔 ,  克拉克·I·布莱特 ,  马里亚·L·泽林斯基 ,  朱迪思·M·因维埃 ,  安德鲁·D·迪布内 ,  马克·J·佩莱里特 ,  托马斯·E·伍德 ,  肯顿·D·巴德

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/505 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  B05D3/04 ,  B05D3/10 ,  B05D3/14 ,  B05D7/24

CPC classification number: C23C16/455 ,  B05D1/34 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/107 ,  B05D7/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/31786

Abstract: 本发明公开了一种在基底上形成无机或有机/无机混合层的方法，所述方法包括蒸发金属烷氧化物，冷凝所述金属烷氧化物在所述基底上形成层，以及使所述冷凝的金属烷氧化物层与水接触以固化所述层。

公开(公告)号：CN103303016A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310079479.8

申请日：2013-03-13

Applicant: 环球展览公司

Inventor： 西达尔塔·哈里克思希纳·莫汉 ,  保罗·E·伯罗斯

IPC: B41M5/00 ,  B41J2/01 ,  B41J3/00

CPC classification number: B05B1/34 ,  B05D1/60 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种用于通过喷嘴沉积有机材料的方法和所述方法中使用的装置。所述方法包含将包括所述有机材料的蒸气经由入口引入喷嘴中，将所述蒸气从所述喷嘴远端的出口喷出，所述出口具有横截面积A1；所述喷出之后，将所述有机材料沉积于衬底上，其中所述蒸气穿过在所述入口与所述出口之间在离所述出口轴向距离L1处的所述喷嘴的一部分，所述喷嘴的所述部分具有横截面积A2，其中A1/A2为约16或16以上。使用所述喷嘴的所述方法有效降低或避免接近所述衬底的所述喷嘴末端的压力突然下降。

公开(公告)号：CN101946562B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980105786.0

申请日：2009-02-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 根岸敏夫

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/12 ,  B05D1/60 ,  C23C14/243 ,  H01L51/001

Abstract: 形成膜质良好的有机薄膜。本发明的蒸气产生装置(20)具有蒸发室(21)、吐出头(35)、箱(31)。蒸镀材料(39)为液状，容纳在箱(31)中，从箱(31)将蒸镀材料(39)向吐出头(35)供给。吐出头(35)将供给至内部的蒸镀材料(39)从吐出口(38)吐出，配置在蒸发室(21)内部的加热部件(25)。吐出头(35)正确地供给必要量的蒸镀材料(39)。由于仅加热必要量的蒸镀材料(39)，因而蒸镀材料(39)不劣化，形成膜质良好的有机薄膜。

公开(公告)号：CN103119745A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201080069179.6

申请日：2010-09-29

Applicant: SNU精密股份有限公司

Inventor： 尹亨硕 ,  南宫晟泰 ,  李泰成 ,  朴一濬

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/12 ,  B05D1/60 ,  C23C14/564

Abstract: 提供一种单体沉积设备，所述单体沉积设备在将单体沉积在基板上时最小化单体在基板周围的构件上的沉积。为此，所述单体沉积设备包括：限定有处理空间的腔室，基板在所述处理空间中被处理；以及沉积单元，该沉积单元的至少一部分被收纳在所述腔室中，且所述沉积单元与所述基板隔开预定距离以将单体排放到基板上。所述单体沉积设备还包括冷却板，该冷却板邻近于所述沉积单元的外周设置而不与单体的排放干涉，所述冷却板与基板隔开预定距离以冷却未被沉积在基板上的单体。因此，由于未被沉积在基板上的单体被冷却板冷却，因此可以使单体蒸气在基板周围的构件上的沉积最小化。因此，由于可延长日常维护周期，从而特别地可提高生产率且可降低制造成本。

公开(公告)号：CN103097394A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180041532.4

申请日：2011-08-25

Applicant: 辛格玛艾瑞契有限责任公司

Inventor： 彼得·尼古拉·海斯 ,  拉杰什·奥德德拉 ,  萨拉赫·路易斯·欣德利

IPC: C07F11/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: B05D1/60 ,  C07F11/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525

Abstract: 本文揭示钼(IV)酰胺络合物，其结构对应于式(I)：其中L为--NR1R2；R1和R2为C1-C6烷基或氢；R为C1-C6烷基；且n为0、1、2或3。此外，本文揭示采用式(I)络合物和Mo[N(Me)(Et)]4通过原子层沉积(ALD)来形成MoO2膜的方法。

公开(公告)号：CN102985255A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180031896.4

申请日：2011-06-29

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 马克·A·勒里希 ,  艾伦·K·纳赫蒂加尔 ,  马克·D·韦格尔

IPC: B32B27/06 ,  C08J5/18 ,  B32B9/00

CPC classification number: C23C14/081 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D7/04 ,  B05D7/586 ,  B05D2252/02 ,  C08J7/045 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L51/5256 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种阻挡膜，其具有：基底，涂覆到所述基底的基础聚合物层，涂覆到所述基础聚合物层的氧化物层，以及涂覆到所述氧化物层的顶涂层聚合物层。可选的无机层可涂覆在所述顶涂层聚合物层的上方。顶涂层聚合物包括共同沉积以形成顶涂层的硅烷和丙烯酸酯。将硅烷和丙烯酸酯共同沉积来形成所述阻挡膜的所述顶涂层，更能抵抗湿气并提高所述顶涂层对底层阻挡叠堆层的剥离强度附着。

公开(公告)号：CN102925860A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210468257.0

申请日：2011-10-23

Applicant: 常州碳元科技发展有限公司

Inventor： 马宇尘

IPC: C23C14/12

CPC classification number: B05D1/60 ,  C01B32/05

Abstract: 本发明提供一种具有保护层结构的碳层材料的制备方法，属于碳材料技术领域。该方法包括有如下步骤：将碳层材料整体进行聚合物气相沉积的镀膜操作；将聚合物气相沉积处理后的材料切割成分体结构；对应着分体结构设置尺度内缩的内缩型层片，将该内缩型层片以尺寸内缩的方式加置于叠放的分体结构之间，再次进行聚合物气相沉积，其聚合物气相沉积镀膜的厚度在0.05-15微米之间；完成聚合物气相沉积之后，将邻近的内缩型层片和分体结构之间进行分离，完成对分体结构切割后的暴露边缘的聚合物气相沉积镀膜操作。利用本发明，在碳层材料外围通过聚合物气相沉积的方式生成镀膜，将现有的碳层材料的保护层的厚度大幅度降低。