公开(公告)号：CN105474359A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201380077030.6

申请日：2013-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·L·布里斯托 ,  R·胡拉尼 ,  E·汉 ,  J·M·布莱克威尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个方面的方法包括在具有第一图案化区域和第二图案化区域的衬底的表面上方形成定向自组装对准促进层。在不使用光刻图案化的情况下在第一图案化区域上方选择性地形成第一定向自组装对准促进材料。该方法还包括通过定向自组装在定向自组装对准促进层上方形成组装层。形成了多个组装结构，每个组装结构主要包括在第一定向自组装对准促进材料上方的第一类型的聚合物。多个组装结构各自主要被第二图案化区域上方的不同的第二类型的聚合物邻近包围。第一定向自组装对准促进材料对第一类型的聚合物的化学亲和势比对不同的第二类型的聚合物的化学亲和势高。

公开(公告)号：CN105051870A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016295.X

申请日：2014-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  西村荣一 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN103003918B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN103328176B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201280005430.1

申请日：2012-01-13

Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 增山聪 ,  福岛麻登香 ,  西村凉 ,  福田真林 ,  关隆史

IPC: B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  B29C39/26 ,  B29C59/02 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  B29L11/00

CPC classification number: G02B5/1852 ,  B29C33/3857 ,  B29C33/424 ,  B29C35/0805 ,  B29C43/021 ,  B29C43/36 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2043/023 ,  B29D11/00769 ,  B29K2105/0061 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/10 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1847 ,  G02B27/4266 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56

Abstract: 一种模具的制造方法，包括：在基材10上涂布包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物溶液30，使涂膜干燥后，在比嵌段共聚物的玻璃化转变温度高的温度下进行第一退火处理，通过蚀刻处理将第二聚合物除去而在基材上形成凹凸结构36，将凹凸结构36在比第一聚合物的玻璃化转变温度高的温度下进行第二退火处理，接着，在凹凸结构上形成种子层40，通过电铸在种子层40上层叠金属层50，将金属层50从基材上剥离。通过第二退火处理，将基材上的凹凸结构70良好地转印到金属层上。本发明提供适合制造衍射光栅等光学部件的微细图案转印用模具。

公开(公告)号：CN104619631A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380025597.9

申请日：2013-05-15

Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会

Inventor： C·维利格斯 ,  C·莫尔哈德 ,  J·P·施帕茨 ,  R·布伦纳

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D7/00

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00596 ,  B05D3/06 ,  B05D3/068 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  G03F1/68 ,  Y10T428/24893

Abstract: 本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H2O、极性有机溶剂以及H2O和极性有机溶剂的混合物。在相关的方面，本发明提供由本发明的方法可得的胶束或纳米颗粒的高度有序阵列。

公开(公告)号：CN104508556A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380033250.9

申请日：2013-05-23

Applicant: 阿克马法国公司 ,  波尔多大学

Inventor： C.纳瓦罗 ,  K.艾索 ,  C.布罗乔 ,  S.迪尔海尔 ,  G.弗勒里 ,  S.格劳拜 ,  G.哈齐奥安诺 ,  J-M.兰普诺克斯 ,  J.沙弗

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/00 ,  B05D3/06

CPC classification number: G03F7/20 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/168 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及通过光强度的空间分布制备促进空间有序性和相干性的具有凸纹的表面的方法，所述表面用作在表面上的覆盖物的在纳米和微米尺度上的组织的导向装置，所述覆盖物特别地由嵌段共聚物制成。

公开(公告)号：CN104303103A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380011365.8

申请日：2013-02-07

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·J·艾里森 ,  T·濑下 ,  J·卡申 ,  C·M·巴特斯 ,  L·迪安 ,  L·J·桑托斯 ,  E·L·劳施

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F1/50 ,  B05D1/005 ,  B05D5/00 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B05D2252/02 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D137/00 ,  C09D167/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明牵涉可旋涂在嵌段共聚物薄膜上的无规共聚物面涂层和用于控制面涂层-嵌段共聚物界面的界面能的用途。该面涂层可溶于含水弱碱中，且通过它们沉积在嵌段共聚物薄膜上，则表面能可发生变化。使用自组装的嵌段共聚物生产高级平版印刷图案依赖于它们在薄膜内的取向控制。该面涂层潜在地使嵌段共聚物的取向控制容易实现，否则嵌段共聚物的取向控制会十分困难。

公开(公告)号：CN103839785A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310445648.5

申请日：2013-09-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·A·古罗恩 ,  黎家辉 ,  J·W·皮特拉 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81B7/0006 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。

公开(公告)号：CN103328176A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005430.1

申请日：2012-01-13

Applicant: 吉坤日矿日石能源株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 增山聪 ,  福岛麻登香 ,  西村凉 ,  福田真林 ,  关隆史

IPC: B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  B29C39/26 ,  B29C59/02 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  B29L11/00

CPC classification number: G02B5/1852 ,  B29C33/3857 ,  B29C33/424 ,  B29C35/0805 ,  B29C43/021 ,  B29C43/36 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2043/023 ,  B29D11/00769 ,  B29K2105/0061 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/10 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1847 ,  G02B27/4266 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56

Abstract: 一种模具的制造方法，包括：在基材10上涂布包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物溶液30，使涂膜干燥后，在比嵌段共聚物的玻璃化转变温度高的温度下进行第一退火处理，通过蚀刻处理将第二聚合物除去而在基材上形成凹凸结构36，将凹凸结构36在比第一聚合物的玻璃化转变温度高的温度下进行第二退火处理，接着，在凹凸结构上形成种子层40，通过电铸在种子层40上层叠金属层50，将金属层50从基材上剥离。通过第二退火处理，将基材上的凹凸结构70良好地转印到金属层上。本发明提供适合制造衍射光栅等光学部件的微细图案转印用模具。

公开(公告)号：CN103319931A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310201760.4

申请日：2013-02-08

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

Inventor： 张诗玮 ,  J·温霍尔德 ,  P·赫斯塔德 ,  P·特雷福纳斯

IPC: C09D7/00 ,  H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  B05D7/02 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08G77/442 ,  C09D151/08 ,  C09D183/10 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138

Abstract: 热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。