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公开(公告)号：CN102160177A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136263.2
申请日：2009-09-15
Applicant: 国立大学法人东京大学
Inventor： 大场隆之
IPC: H01L25/065 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L21/76898 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0792 , H01L23/481 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/13009 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，将形成有多个半导体芯片的半导体基板进行层叠，半导体芯片在主面一侧具有半导体集成电路，将构成不同层的半导体基板的半导体芯片之间进行连接以传递信号，然后对半导体芯片部分进行切片，其特征在于，包含：第一工序，准备第一半导体基板和第二半导体基板；第二工序，对第二半导体基板进行薄型化；第三工序，将进行了薄型化的第二半导体基板的主面的相反面通过绝缘层黏接在第一半导体基板的主面；第四工序，在进行了薄型化的第二半导体基板上形成过孔，过孔从第二半导体基板的主面贯通到主面的相反面；第五工序，通过过孔形成连接部，以在第一半导体基板的半导体芯片和第二半导体基板的半导体芯片之间传递信号。
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公开(公告)号：CN101115675B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200580047787.6
申请日：2005-12-06
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: G01P15/08 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81C2201/019 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H04M2250/12 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明的一个实施例包括多传感器组件(20)。该组件(20)具有：由一个晶片层(51)定义的机电运动传感器构件(57)；由两个或更多个其他晶片层(31、41)中第一晶片层承载的第一传感器(32)；以及由所述其他晶片层(31、41)中第二晶片层承载的第二传感器(42)。所述一个晶片层(51)位于其他晶片层(31、41)之间，从而相应地把所述传感器构件(57)封入所述组件(20)的空腔(56)中。
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公开(公告)号：CN101999078A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112324.1
申请日：2009-04-07
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor： 平山博士
CPC classification number: B81C1/00119 , B81B2201/058 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , G01N2035/00158 , Y10T156/10
Abstract: 一种微芯片，该微芯片备有：树脂基板，其具有形成了流路用槽的第1表面和所述第1表面反面的第2表面；接合在所述第1表面上的树脂薄膜；从垂直于所述第1表面的方向看到的所述树脂基板的投影面积，大于所述树脂基板的所述第1表面的面积。这样，用辊热接合树脂基板和树脂薄膜时，能够抑制微芯片的翘曲。
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公开(公告)号：CN101276807B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710185779.9
申请日：2007-12-27
Inventor： 野间崇
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/10 , H01L31/12 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02
CPC classification number: H01L31/167 , B81C1/0023 , B81C2201/019 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L31/1804 , H01L2224/48091 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种可靠性高，能实现更小型装置的半导体装置及其制造方法。在半导体衬底(1)的表面上形成例如发光元件作为器件元件。具体地说，半导体衬底(1)的表面上形成N型半导体层(2)、P型半导体层(3)、以及焊盘电极(4、5)。半导体衬底(11)的表面上形成例如接收上述发光元件发出的光的器件元件(10)(例如光电二极管元件)和焊盘电极(13)作为器件元件。半导体衬底(1)和半导体衬底(11)通过粘接层(15)进行胶合并一体化。沿着半导体衬底(11)的侧面，形成与焊盘电极(13)电连接的布线层(18)，和与焊盘电极(4、5)电连接的布线层(19)。
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公开(公告)号：CN101668711A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013743.5
申请日：2008-02-27
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03B23/203 , C03B11/08
CPC classification number: C03B23/203 , B81B2201/051 , B81C99/0085 , B81C2201/019 , B81C2201/036 , C03B2215/412
Abstract: 本文描述了制造包含玻璃材料或含玻璃材料的微流体器件的方法，与使用现有技术生产的类似玻璃成形制品相比，本发明方法成本降低并且/或者维度性质提高。具体地说，提供具有图案化模塑表面的第一片刚性不粘材料片；提供第一用量的含玻璃组合物；使第一用量的含玻璃组合物接触图案化模塑表面，并且在图案化模塑表面和第二表面之间进行压制；将该片刚性不粘材料和第一用量的含玻璃组合物一起加热至足以软化该用量的含玻璃组合物的程度，从而在第一用量的含玻璃组合物中复制图案化模塑表面，形成含玻璃成形制品；密封含玻璃成形制品的至少一部分，形成其间具有至少一个流体通道的微流体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101589311A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780049697.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor： 平山博士
CPC classification number: B81C1/00071 , B01L3/502707 , B01L2200/027 , B01L2200/0689 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/16 , B81B2201/051 , B81C2201/019
Abstract: 本发明提供一种微芯片以及微芯片的制造方法，通过填埋在微芯片中形成的开口部附近的衬底间的间隙而可以防止试剂等的泄漏。该微芯片构成为具有微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)。在微芯片衬底(10)中形成有槽状的微细流路(11)和贯通孔，通过将微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)接合起来而制造微芯片。开口部(12)与微细流路(11)连接，通过开口部(12)进行试剂等的导入或试剂等的排出等。在开口部(12)的内表面上形成电解质膜(13)。电介质膜(13)使用SiO2膜或TiO2膜。
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公开(公告)号：CN101248519A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680014752.7
申请日：2006-02-24
Applicant: 硅源公司
Inventor： 佛朗克斯·J·海恩勒 , 哈丽·罗伯特·柯克 , 詹姆斯·安德鲁·苏利凡
CPC classification number: H01L21/2007 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L2221/68359
Abstract: 本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa－约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm－约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。
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公开(公告)号：CN101096008A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610142733.4
申请日：2003-02-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B01L3/502707 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00788 , B01J2219/00822 , B01J2219/00833 , B01J2219/0086 , B01J2219/00869 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0838 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B2201/051 , B81C1/00119 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细丝(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。
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公开(公告)号：CN101096007A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610142732.X
申请日：2003-02-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B01L3/502707 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00788 , B01J2219/00822 , B01J2219/00833 , B01J2219/0086 , B01J2219/00869 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0838 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B2201/051 , B81C1/00119 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细丝(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。
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公开(公告)号：CN101078664A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710104277.9
申请日：2007-05-23
Applicant: 森斯瑞股份公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。
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