VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ROHLINGS AUS TITAN- UND FLUOR-DOTIERTEM, HOCHKIESELSÄUREHALTIGEM GLAS
    84.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ROHLINGS AUS TITAN- UND FLUOR-DOTIERTEM, HOCHKIESELSÄUREHALTIGEM GLAS 审中-公开
    用于生产钛和含氟掺杂,高纯石英玻璃空白

    公开(公告)号:WO2015071167A1

    公开(公告)日:2015-05-21

    申请号:PCT/EP2014/073921

    申请日:2014-11-06

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Rohlings aus Titandotiertem, hochkieselsäurehaltigem Glas mit einem vorgegebenen Fluorgehalt für den Einsatz in der EUV-Lithographie, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient über die Einsatztemperatur möglichst stabil bei Null liegt. Der Verlauf des thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Ti-dotiertem Kieselglas hängt von mehreren Einflussfaktoren ab. Neben dem absoluten Titan-Gehalt ist die Verteilung des Titans von großer Bedeutung, wie auch der Anteil und die Verteilung von weiteren Dotierelementen, wie etwa Fluor. Erfindungsgemäß wird ein Verfahren vorgeschlagen, das einen Syntheseprozess umfasst, bei dem fluordotierte TiO 2 -SiO 2 -Sootpartikel erzeugt und durch Konsolidieren und Verglasen zu dem Rohling weiterverarbeitet werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Syntheseprozess einen Verfahrensschritt umfasst, bei dem mittels Flammenhydrolyse von Silizium und Titan enthaltenden Ausgangssubstanzen TiO 2 -SiO 2 -Sootpartikel gebildet werden und einen nachfolgenden Verfahrensschritt, in dem die TiO 2 -SiO 2 -Sootpartikel in einem bewegten Pulverbett einem Fluor enthaltenden Reagenz ausgesetzt und zu den fluordotierten TiO 2 -SiO 2 -Sootpartikeln umgesetzt werden.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备由钛掺杂,高二氧化硅玻璃坯料与预定氟含量在EUV光刻,其中,在所述工作温度的热膨胀系数尽可能为零作为稳定的用途。 的Ti掺杂的石英玻璃的热膨胀系数的过程取决于几个因素。 除了绝对钛含量,钛的分布是非常重要的,以及其它的掺杂元素,如氟的比例和分布。 根据提出了一种方法的本发明,其包括合成过程中氟掺杂TiO2-SiO2的烟尘颗粒产生并进一步通过整合和坯料的玻璃化处理,其特征在于,所述合成方法包括的处理步骤,其中含有硅和钛的火焰水解装置 开始形成TiO2-SiO2的烟灰颗粒材料和随后的方法步骤中,在包含在氟试剂暴露于并与氟掺杂的TiO 2的SiO 2系Sootpartikeln反应的粉末的移动床的TiO2-SiO2的烟灰颗粒。

    チタニア-シリカガラス製EUVリソグラフィ用フォトマスク基板
    85.
    发明申请
    チタニア-シリカガラス製EUVリソグラフィ用フォトマスク基板 审中-公开
    TITANIA-SILICA GLASS EUV LITHOGRAPHY的光电子基板

    公开(公告)号:WO2013084978A1

    公开(公告)日:2013-06-13

    申请号:PCT/JP2012/081611

    申请日:2012-12-06

    Abstract:  EUVリソグラフィ用フォトマスク基板に要求される高平坦度を有し、プラズマエッチング、イオンビームエッチング等の表面処理に要するコスト、処理時間等を軽減することができる、チタニア-シリカガラス製EUVリソグラフィ用フォトマスク基板を提供する。 152.4×152.4×6.35mmのフォトマスク基板形状で、該基板の中央部142.4×142.4mm内の屈折率均質性 Δnが、3×10 -4 以下であり、152.4×152.4mm面内の中心部20×20mm内の範囲に屈折率の極大値もしくは極小値を1点のみ持ち、152.4×152.4mm面内の中央部142.4×142.4mm内の範囲で、最も高い位置と最も低い位置との差が50nm以下であるようにした。

    Abstract translation: 提供一种二氧化钛 - 二氧化硅玻璃EUV光刻用光掩模基板,其具有EUV光刻光掩模基板所需的高度的平坦度,并且能够降低诸如等离子体蚀刻和离子束等表面处理所需的成本,处理时间等 蚀刻。 光掩模基板尺寸为152.4×152.4×6.35 mm; 折射率均匀度Deltan在衬底中间部分的142.4×142.4 mm范围内不超过3×10-4; 折射率的一个最大值或最小值在152.4×152.4mm平面内的中心部分的20×20mm的范围内; 在152.4×152.4mm平面内的中间部分的142.4×142.4mm的范围内的最高位置和最低位置之间的差别不大于50nm。

    TiO2含有石英ガラス基板
    89.
    发明申请
    TiO2含有石英ガラス基板 审中-公开
    含二氧化钛的QUARTZ玻璃基板

    公开(公告)号:WO2009034954A1

    公开(公告)日:2009-03-19

    申请号:PCT/JP2008/066199

    申请日:2008-09-09

    Abstract:  本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用モールド基材として使用した場合に、寸法のばらつきが±10%以内の凹凸パターンを形成することができるTiO 2 含有石英ガラス基板を提供することを課題とする。本発明は、15~35°Cにおける熱膨張係数が±200ppb/°C以内であり、TiO 2 濃度が4~9wt%であり、転写パターンを形成する側の基板表面におけるTiO 2 濃度分布が、±1wt%以内であることを特徴とするTiO 2 含有石英ガラス基板に関する。

    Abstract translation: 一种含TiO2的石英玻璃基板,当用作纳米压印光刻的成型基板时,可以形成尺寸波动在±10%以内的粗糙图案。 含TiO 2的石英玻璃基板的特征在于,15-35℃的热膨胀系数在±200ppb /℃以内,TiO 2浓度为4-9重量%,基板中的TiO 2浓度分布 要形成转印图案的一侧的表面在±1重量%以内。

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