복사열에 의한 초전기 결정 고에너지 발생 방법 및 장치
    82.
    发明公开
    복사열에 의한 초전기 결정 고에너지 발생 방법 및 장치 有权
    使用辐射热源由PYROELECTRIC晶体驱动的高能发电机的光电晶体的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020110020354A

    公开(公告)日:2011-03-03

    申请号:KR1020090077933

    申请日:2009-08-24

    Inventor: 최재호

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L39/02 H01J3/00

    Abstract: PURPOSE: A methods and apparatus of pyroelectric crystal for high-energy generators driven by pyroelectric crystals using the radiation heat source are provided to maximize the induction of surface charge by heating the inside and outside of the pyroelectric crystals at the same time and minimizing the temperature difference in longitudinal direction and axis direction. CONSTITUTION: In a methods and apparatus of pyroelectric crystal for high-energy generators driven by pyroelectric crystals using the radiation heat source, a pyroelectricity crystal(10) is accommodated inside a transparent container(30). The temperature of the pyroelectricity crystal is raised by applying electrical energy to a radiant heat source(20). The radiant heat source comprises a radiant heat from electric energy and light energy which is obtained by amplifying induction light.

    Abstract translation: 目的:提供使用辐射热源由热电晶体驱动的高能发电机的热电晶体的方法和装置,以通过同时加热热电晶体的内部和外部来最大化表面电荷的感应并使温度最小化 纵向和轴向不同。 构成:在使用辐射热源的热电晶体驱动的高能发电体的热电晶体的方法和装置中,热电晶体(10)容纳在透明容器(30)的内​​部。 通过向辐射热源(20)施加电能来升高热电晶体的温度。 辐射热源包括通过放大感应光获得的来自电能和光能的辐射热。

    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    83.
    发明公开
    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    用于在不暴露电介质层的情况下追踪离子的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053162A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140150078

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例的主要目的是设计一种离子阱芯片结构的形状及其工艺方法,该方法防止离子阱芯片结构中包含的绝缘层暴露于离子阱位置,以便 提高俘获带电粒子如离子的性能。 根据本发明的实施例,离子俘获装置包括:至少一个中心DC电极,其包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极,其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨,以及连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极,其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极; 以及绝缘层,其在半导体衬底上支撑中心DC电极,RF电极和横向电极中的至少一个。 绝缘层包括设置在第一绝缘层上的第一绝缘层和第二绝缘层,并且第二绝缘层具有在宽度方向上比第一绝缘层进一步突出的突出端。

    이온 트랩 구조를 관통하는 레이저 사용을 위한 MEMS 기반 3차원 이온트랩 장치 및 그 제작 방법
    86.
    发明公开
    이온 트랩 구조를 관통하는 레이저 사용을 위한 MEMS 기반 3차원 이온트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    使用激光穿透芯片结构的基于MEMS的离子阱装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053099A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140149552

    申请日:2014-10-30

    Abstract: 본발명의실시예는기판의상측또는하측에제1 RF 전극레일, 제2 RF 전극레일, 하나이상의제1 DC 전극및 하나이상의제2 DC 전극을포함하는이온트랩장치에있어서, 상기기판은상기이온트랩장치의폭 방향을기준으로일측과타측이일정거리이격되어분리된공간에이온트랩영역을형성하고, 상기제1 RF 전극레일및 상기제2 RF 전극레일은상기이온트랩장치의길이방향으로나란하게배치되고, 상기일측상부에상기제1 RF 전극레일이위치하고, 상기일측하부에상기하나이상의제2 DC 전극이위치하고, 상기타측상부에상기하나이상의제1 DC 전극이위치하고, 상기타측하부에상기제2 RF 전극레일이위치하고, 상기기판의일측또는타측의외측면에서상기트랩영역으로연결된레이저관통로를구비하는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的实施例提供一种离子阱装置及其制造方法。 离子阱装置包括第一RF电极轨,第二RF电极轨,至少一个第一DC电极和至少一个第二DC电极,位于衬底之上或之下。 离子阱区域形成在由离子阱装置的宽度方向彼此隔开一定距离的衬底的一侧和另一侧限定的分离空间中。 第一RF电极轨道和第二RF电极轨道在离子阱装置的长度方向上彼此平行地设置。 第一RF电极轨设置在衬底的一侧之上。 所述至少一个第二直流电极设置在所述基板的一侧的下方。 所述至少一个第一DC电极设置在所述衬底的另一侧之上,并且所述第二RF电极轨设置在所述衬底的另一侧下方。 激光穿透路径从衬底的一侧或另一侧的外表面延伸到离子阱区域。

    다중 주파수 알에프 증폭기, 그것을 포함한 질량 분석기, 및 질량 분석기의 질량 분석 방법
    87.
    发明公开
    다중 주파수 알에프 증폭기, 그것을 포함한 질량 분석기, 및 질량 분석기의 질량 분석 방법 无效
    多个频率射频放大器,包括其的大型测量仪以及大量测量仪的质谱分析方法

    公开(公告)号:KR1020160031134A

    公开(公告)日:2016-03-22

    申请号:KR1020140120408

    申请日:2014-09-11

    Abstract: 본발명은질량분석기의질량분석법에관한것이다. 본발명의질량분석기는이온소스원으로사용하는전자를발생하는전자발생기, 기준파형신호를진폭과주파수를동시에변조시켜다중주파수알에프(RF) 전압신호를생성하는다중주파수알에프증폭기, 전자와주입된시료를충돌시켜생성된이온분자를다중주파수알에프전압신호를이용하여질량에따라외부로이탈시키는이온트랩, 이탈되는이온을검출하는검출기, 및검출된이온을질량분석하는데이터분석기를포함한다.

    Abstract translation: 为了提供可以通过低功率运行的多频RF放大器,本发明涉及质谱仪的质谱法。 质谱仪包括产生用作离子源的电子的电子发生器,多频RF放大器,其同时调制参考波形信号的幅度和频率,并产生多频RF电压信号,离子阱 其通过使用多频RF电压信号,检测分离离子的检测器和分析检测到的离子的质量的数据分析器将根据质量的来自外部的注入的样品与来自外部的注入样品产生的离子分子分离。

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