场致发射阴极和一种包括该场致发射阴极的光源

    公开(公告)号:CN1121054C

    公开(公告)日:2003-09-10

    申请号:CN98807267.X

    申请日:1998-06-10

    CPC classification number: H01J63/04 H01J1/304

    Abstract: 一种场致发射阴极(40)和一包括有该场致发射阴极(40)的光源(10)。该场致发射阴极(40),包括有一基体和由连接到该基体的纤维(42)构成的场致发射体。该纤维(42)具有在它们的敞开端的场致发射表面,并且该基体是一由至少两条金属线(43)构成的纵向延伸芯(41),纤维(42)固定在该两条金属线之间。纤维(42)沿着该芯(41)的长度至少一部分分布并且从该芯(41)朝外径向延伸。该光源包括一具有多层壁的被抽真空的容器,容器的至少一部分包括有其至少一主要部分的内侧涂覆有构成一发光层的荧光层(24,24′)和构成一阳极的导电层(25,25′)的外部玻璃层(23,23′),荧光层(24,24′)通过来自位于该容器内部的场致发射阴极(40,40′)的电子轰击而被激励发光,被安置在阴极(40,40′)和阳极(25,25′)之间的调制电极(30,30′)用来建立电子发射所必须的电场。

    场发射光源
    83.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107210185A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201580073512.3

    申请日:2015-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种场发射光源,特别地,涉及一种小型场发射光源,其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造,即是,与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。场发射光源包括:‑场发射阴极(106),所述场发射阴极包括多个纳米结构(104),所述纳米结构形成在基板上;‑导电阳极结构(108),所述导电阳极结构包括第一波长转换材料(118),所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分,其中,第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光,以及‑装置,所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室(106),包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构(302,110),其中,用于接收多个纳米结构的基板是晶片(102’)。

    光源
    86.
    发明公开
    光源 失效

    公开(公告)号:CN103155093A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201180048556.2

    申请日:2011-08-17

    Inventor: 松浦惠树

    CPC classification number: F21V7/043 H01J61/025 H01J63/04 H01J63/08 H01J65/04

    Abstract: 该光源(1)具备:收纳产生光的发光部(2)的发光筒部(3A);一个端侧连接于发光筒部(3A),并将从发光部(2)产生的光引导至设置在另一个端侧的出射窗部(4);以及插入固定在导光筒部(3B)的出射窗部(4)与连接发光筒部(3A)和出射窗部(4)的部位之间且内壁面是反射光的反射面(9a)的筒状的反射筒部(9)。

    发光装置
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101430999B

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN200810172463.0

    申请日:2008-11-10

    CPC classification number: H01J63/04 H01J5/16

    Abstract: 本发明提供一种发光装置,其可以使荧光体的整个表面发出的光,无阻碍地向外部射出,提高发光效率,得到高亮度的外部出射光。将负极(10)配置在透光部(30)的周部,同时将正极(15)配置在与透光部(30)相对的区域,并且使配置在正极(15)上层的荧光体(16)的表面(16a)形成为凹面。由此,即使在将负极(10)(电子发射源(11))移动至透光部(30)的周部的情况下,也可以使负极(10)准确地与荧光体(16)的表面(16a)相对,使来自荧光体(16)的整个表面(16a)的激励光入射至透光部(30),而不与负极(10)等干涉。

Patent Agency Ranking