과전압 보호 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치
    1.
    发明申请
    과전압 보호 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치 审中-公开
    具有过压保护电路的开关模式电源

    公开(公告)号:WO2013009123A2

    公开(公告)日:2013-01-17

    申请号:PCT/KR2012/005571

    申请日:2012-07-13

    Inventor: 김영식

    CPC classification number: H02M1/32 H02M1/4225 Y02B70/126

    Abstract: 과전압 보호 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치가 개시된다. 과전압 보호 회로는 피드백 전압 비교부, 및 듀티비 조절부를 포함한다. 피드백 전압 비교부는 스위칭 모드 전력 공급 장치의 출력단에서 검출된 피드백 전압과 스위칭 모드 전력 공급 장치에 대해 설정된 과전압보다 작게 미리 설정된 기준 전압을 비교하고, 듀티비 조절부는 피드백 전압이 기준 전압보다 높은 경우 스위칭 모드 전력 공급 장치의 스위칭 듀티비를 감소시킨다. 피드백 전압이 과전압에 이르를 때부터 갑자기 전원 장치의 스위칭을 오프(off)로 유지시키는 것이 아니라, 피드백 전압이 과전압보다 낮은 기준 전압을 초과하는 경우 미리 전원 장치의 온/오프 스위칭 비율을 조절함으로써, 출력 전압의 과전압 상태를 미리 방지할 수 있을 뿐만 아니라 시스템의 안정성도 증가시킬 수 있게 된다.

    Abstract translation: 公开了包括过压保护电路的开关模式电源。 过压保护电路包括反馈电压比较器和占空比控制器。 反馈电压比较单元切换模式时相比,参考电压小于预先设定的设定的反馈电压,以在所述电源的输出端子检测出的开关模式电源的电压时,占空比控制部反馈电压比所述参考电压高时,切换模式, 从而降低电源的开关占空比。 当反馈电压超过低于过电压的参考电压时,通过预先调整电源的开关比例,而不是在反馈电压达到过电压时突然保持电源的切换关闭, 输出电压的过压状态可以预先防止,并且可以提高系统的稳定性。

    전압 공급 회로
    2.
    发明申请
    전압 공급 회로 审中-公开
    电压供电电路

    公开(公告)号:WO2011142517A1

    公开(公告)日:2011-11-17

    申请号:PCT/KR2010/008466

    申请日:2010-11-26

    Inventor: 김영식

    CPC classification number: H05B33/086 G09G3/3406 G09G2330/02 H05B33/0842

    Abstract: 전압 공급 회로가 개시된다. 전압 공급 회로는 전압 공급부, 전압 제어부, 피드백 전압 저장부를 포함한다. 전압 공급부는 부하단의 일측에 연결되어 부하단에 전압을 공급하고, 전압 조절부는 부하단의 다른 일측과 전류원이 연결된 피드백 전압이 미리 설정된 피드백 기준 전압보다 낮은 경우 부하단으로 공급되는 전압을 상승시키며, 전압 저장부는 샘플링 신호가 입력되는 경우 피드백 전압을 샘플링 하여 저장한다. 피드백 전압을 샘플링하여 저장하므로 전체 채널이 효과적으로 동작할 수 있는 전압을 빠르게 부하단으로 공급할 수 있어, 다수 채널의 발광다이오드군에서 각 채널이 턴온과 턴오프가 반복되는 경우에도 각 채널의 발광다이오드군이 효과적으로 동작할 수 있게 된다.

    Abstract translation: 公开了电压供给电路。 电压供给电路包括电压供给单元,电压控制单元和反馈电压存储单元。 电压供给单元连接到负载端子的一侧,以向其提供电压。 当来自负载端子的连接电流源的另一侧的反馈电压低于预设的反馈参考电压时,电压控制单元增加提供给负载端子的电压。 当输入采样信号时,反馈电压存储单元采样并存储反馈电压。 由于反馈电压被采样和存储,所以可以将有效地操作所有通道的电压迅速地提供给负载端子。 因此,在多个通道的发光二极管组中,即使每个通道反复打开和关闭,也可以有效地操作每个通道的发光二极管组。

    기울기 보상 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치
    3.
    发明申请
    기울기 보상 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치 审中-公开
    包括斜坡补偿电路的开关模式电源

    公开(公告)号:WO2013009122A2

    公开(公告)日:2013-01-17

    申请号:PCT/KR2012/005569

    申请日:2012-07-13

    Inventor: 김영식

    CPC classification number: H02M3/156 H02M2001/0003

    Abstract: 기울기 보상 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치가 개시된다. 기울기 보상 회로는, 듀티비 검출부, 및 기울기 조절부를 포함한다. 듀티비 검출부는 스위칭 모드 전력 공급 장치의 스위칭 듀티비를 검출하고, 기울기 조절부는 검출된 듀티비가 높은 경우 기울기 보상을 더 수행한다. 이와 같이, 스위칭 듀티비에 따라 서로 다른 기울기 보상을 수행함으로써, 전류 모드의 스위칭 모드 전력 공급 장치가 낮은 듀티비에서도 빠른 응답 특성을 유지할 수 있게 된다.

    Abstract translation: 公开了包括斜坡补偿电路的开关模式电源。 倾斜补偿电路包括占空比检测部分和倾斜调整部分。 占空比检测单元检测开关模式电源的开关占空比,并且当检测到的占空比高时,倾斜调节单元进一步执行倾斜补偿。 这样,通过根据开关占空比执行不同的斜率补偿,即使在低占空比下,电流模式的开关模式电源也可以保持快速响应特性。

    과전압 보호 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치
    4.
    发明公开
    과전압 보호 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치 无效
    包含电压保护电路的切换模式电源

    公开(公告)号:KR1020130009676A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:KR1020120076472

    申请日:2012-07-13

    Inventor: 김영식

    CPC classification number: H02M1/32 H02M1/4225 Y02B70/126

    Abstract: PURPOSE: A switching mode power supply comprising an over voltage protection circuit is provided to effectively perform an overvoltage protection operation by controlling a switching-on rate. CONSTITUTION: An over voltage protection circuit(500) includes a feedback voltage comparing part(510) and a duty ratio controlling part(520). The feedback voltage comparing part compares a feedback voltage and a reference voltage. The feedback voltage is detected from the output terminal of a switching mode power supply apparatus. The reference voltage is lower than the overvoltage of the switching mode power supply apparatus. If the feedback voltage is higher than the reference voltage, the duty ratio controlling part reduces the switching duty ratio of the switching mode power supply apparatus.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括过电压保护电路的开关电源,以通过控制接通速率来有效地执行过电压保护操作。 构成:过电压保护电路(500)包括反馈电压比较部(510)和占空比控制部(520)。 反馈电压比较部分比较反馈电压和参考电压。 从开关模式电源装置的输出端检测反馈电压。 参考电压低于开关电源装置的过电压。 如果反馈电压高于参考电压,则占空比控制部分降低开关模式电源装置的开关占空比。

    기울기 보상 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치
    5.
    发明公开
    기울기 보상 회로를 포함하는 스위칭 모드 전력 공급 장치 有权
    包括斜坡补偿电路的切换模式电源

    公开(公告)号:KR1020130009674A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:KR1020120076469

    申请日:2012-07-13

    Inventor: 김영식

    CPC classification number: H02M3/156 H02M2001/0003

    Abstract: PURPOSE: A switching mode power supply comprising a slope compensation circuit is provided to maintain a fast response characteristic by compensating slopes according to a switching duty ratio. CONSTITUTION: A slope compensation circuit(200) includes a duty ratio detection unit and a slope control part. The duty ratio detection unit detects the switching duty ratio of a switching mode power supply apparatus. A slope control part performs a slope compensation based on the detected duty ratio. A duty ratio voltage generation part generates a duty ratio voltage changing according to the change of a duty ratio. The duty ratio current generating part generates a duty ratio current changing according to the voltage generated in the duty ratio voltage generation part.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括斜率补偿电路的开关模式电源,以通过根据开关占空比补偿斜率来保持快速响应特性。 构成:斜率补偿电路(200)包括占空比检测单元和斜率控制部。 占空比检测单元检测开关模式电源装置的开关占空比。 斜率控制部根据检测到的占空比进行斜率补偿。 占空比电压生成部生成占空比电压根据占空比的变化而变化的占空比电压。 占空比电流产生部分产生根据占空比电压产生部分中产生的电压而改变的占空比电流。

    역률 보상 회로
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101456608B1

    公开(公告)日:2014-10-31

    申请号:KR1020130094062

    申请日:2013-08-08

    Inventor: 이준영

    Abstract: 역률 보상 회로가 개시된다. 역률 보상 회로는, 스위치의 제어를 통해 컨버터를 불연속 전류 모드(Discontinuous Conduction Mode; DCM)로 제어하는 역률 보상 회로로서, 컨버터의 입력 전압을 검출하여 스위치의 시비율을 변화시키는 시비율 변환부를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, DCM 방식의 장점을 유지하면서도 DCM 방식의 역률을 개선할 수 있어, 보다 개선된 역률 보상 회로를 제공할 수 있게 된다.

    저용량 고속 특성의 정전기 방지 구조
    7.
    发明公开
    저용량 고속 특성의 정전기 방지 구조 无效
    低电容和高速的ESD结构

    公开(公告)号:KR1020120087113A

    公开(公告)日:2012-08-06

    申请号:KR1020120073213

    申请日:2012-07-05

    Inventor: 김지회

    Abstract: PURPOSE: A structure for preventing static electricity having low capacitance and high speed is provided to protect an internal device of an integrated circuit from an ESD(Electro static Discharge) phenomenon. CONSTITUTION: A gate of an NMOS(N-Channel Metal Oxide Semiconductor) transistor is connected to an integrated circuit to be protected. One side junction of the NMOS transistor is connected to a ground voltage terminal. An input terminal of an inverter is connected to the gate of the NMOS transistor. A PMOS(P-Channel Metal Oxide Semiconductor) transistor is connected between the NMOS transistor and an external bonding pad. The gate of the PMOS transistor is connected to an output terminal of the inverter.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于防止低电容和高速静电的结构,以保护集成电路的内部装置免受ESD(静电放电)现象的影响。 构成:NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管的栅极连接到要保护的集成电路。 NMOS晶体管的一侧结连接到接地电压端子。 反相器的输入端子连接到NMOS晶体管的栅极。 PMOS(P沟道金属氧化物半导体)晶体管连接在NMOS晶体管和外部焊盘之间。 PMOS晶体管的栅极连接到逆变器的输出端子。

    전원의 전압을 동일하게 유지하기 위한 배선의 배치 설계
    8.
    发明公开
    전원의 전압을 동일하게 유지하기 위한 배선의 배치 설계 无效
    电源和接地金属线电压的布局设计

    公开(公告)号:KR1020060098047A

    公开(公告)日:2006-09-18

    申请号:KR1020050019255

    申请日:2005-03-08

    Inventor: 김지회

    Abstract: 칩의 위치에 전원에서의 거리에 무관하게 배선에서의 전압이 서로 동일하게 유지되도록, 전원의 배선을 서로 다른 곳에서 입력이 되도록 하고, 하나가 아닌 다수의 배선을 하며, 이들 전원의 배선 중간, 중간에 다수를 서로 연결하는 구조 칩의 위치에 전원에서의 거리에 무관하게 전원의 전압이 동일하도록 한다.
    칩(chip), 전원, 배선

    전자기파 노이즈 감쇠 장치가 있는 직류-직류 변환장치
    9.
    发明公开
    전자기파 노이즈 감쇠 장치가 있는 직류-직류 변환장치 无效
    具有电磁噪声衰减的DC / DC转换器

    公开(公告)号:KR1020110035097A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:KR1020090092657

    申请日:2009-09-29

    Inventor: 김영식

    Abstract: PURPOSE: A DC/DC converter is provided to prevent a voltage-current oscillation phenomenon due to the charging and discharging of remaining energy at an inductor which stores energy. CONSTITUTION: A DC/DC converter is comprised of an inductor, a first switch, a second switch, a capacitor, and an energy consumption device. When the first and second switches are off, the energy consumption device consumes the energy. The energy consumption device is connected to both sides of the inductor.

    Abstract translation: 目的:提供一个DC / DC转换器,以防止由于在存储能量的电感器处剩余能量的充电和放电引起的电压 - 电流振荡现象。 构成:DC / DC转换器由电感器,第一开关,第二开关,电容器和能量消耗装置构成。 当第一和第二开关关闭时,能量消耗装置消耗能量。 能量消耗装置连接到电感器的两侧。

    CMOS 트랜지스터의 PMOS 트랜지스터 게이트 전압 제어 회로
    10.
    发明公开
    CMOS 트랜지스터의 PMOS 트랜지스터 게이트 전압 제어 회로 失效
    用于高压容许结构的输出驱动电路设计

    公开(公告)号:KR1020060105256A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:KR1020050027879

    申请日:2005-04-04

    Inventor: 정종척

    CPC classification number: H03K19/0016 H03K19/0013 H03K19/01721

    Abstract: 입출력 구조를 갖는 CMOS(상보형 MOS 트랜지스터)의 출력 구동회로가 3상태(Tri-state)에서 출력에 전원보다 높은 전압인 인가될 경우에도 신뢰성에 문제가 되지 않는 회로구조이며, 외부의 초기 전압이 전원과 동일한 전압일 경우에도 풀다운 저항에 의하여 풀다운 기능이 온전히 수행되는 구조.
    칩(chip), 전원, 신호, 고전압 수용(High Voltage Tolerance), 풀다운(Pull-down)

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