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公开(公告)号：CN117116733A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210529114.X
申请日：2022-05-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置的部件表面处理方法、等离子处理装置及其制备方法，该表面处理方法包含：提供一等离子处理装置，其包含：用于提供等离子体环境的反应腔；及，若干暴露于等离子环境中的零部件；对所述反应腔抽真空；向所述反应腔内通入涂层前驱体；开启等离子体射频源，使所述涂层前驱体解离为涂层等离子体，所述涂层等离子体在暴露于等离子体环境的零部件上形成表面涂层。本发明利用等离子处理装置的现有功能部件，以单一化合物为涂层前驱体，不仅能在零部件胚体表面形成表面涂层，还可以在待翻修的零部件表面原位形成表面涂层。应用本发明的表面处理方法，能大幅降低等离子处理装置的购置成本、翻新成本及维修成本。
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公开(公告)号：CN115249633A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110458779.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基片对准装置、基片对准系统和传送机构位置调整方法，包括支撑板，传感器和计算单元，通过对准装置的支撑板和传感器配合，建立基片和基座直接的对准关系，利用基座上已有的特征区域，结合传感器的光学结构，实现最少的中间辅助部件参照；配合整体基片加工系统，实现真空环境的测量，减少对生产加工的延误，优化工艺流程，提高生产效率；使用对准装置获得的数据结果对传送机构的运行轨迹进行调整，进一步确保基片放置位置的准确性和可重复性，保证每一片基片加工的均一性。
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公开(公告)号：CN115249605A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110458764.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种聚焦环对准测量装置、系统、方法及等离子体处理装置，所述聚焦环对准测量装置包括：板状主体；定位结构，设置在所述板状主体上；传感器，设置在所述板状主体上，用于向所述聚焦环的内侧面发射信号；在测量时，所述板状主体被放置在静电夹盘上，通过所述定位结构实现所述板状主体与所述静电夹盘之间的定位，通过所述聚焦环的内侧面的多个位置的信号反馈测量所述聚焦环相对所述静电夹盘中心的偏移量。本发明解决了现有技术中开腔更换聚焦环效率低、成本高，不开腔更换又无法控制对中性的问题。
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公开(公告)号：CN114688457A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011586160.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本发明的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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公开(公告)号：CN114188205B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010960549.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117116732A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210529095.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种均一化反应腔环境的方法，包含：提供一可形成等离子体环境的反应腔，反应腔内设有反应腔内壁及若干暴露于等离子环境中的零部件；向反应腔内输入取代的甲基硅烷；开启等离子射频源，使得所述取代的甲基硅烷解离为涂层等离子体，所述涂层等离子体在所述反应腔内壁和/或所述零部件的表面形成SiC涂层。本发明通过向反应腔内通入单一的取代的甲基硅烷化合物作为涂层前驱体，在等离子射频源、真空、较低温度下，解离为涂层等离子体，该涂层等离子体在所述反应腔内壁和/或所述零部件的表面形成SiC涂层作为保护层。可通过控制取代的甲基硅烷的流速、流量、通入时间，实现SiC涂层厚度可控，满足不同刻蚀制程的需求，提高刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN116924812A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210375546.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C04B35/581 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷材料加工方法，包括：浸渍：将陶瓷坯体浸渍于液态聚碳硅烷前体中，使液态聚碳硅烷前体填充所述陶瓷坯体的缺陷；交联固化：使液态聚碳硅烷前体在所述缺陷内部受热分解，发生氧化交联反应。本发明获得的陶瓷材料内部缺陷少、热导率高、介电损耗低。
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公开(公告)号：CN116417322A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111662902.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种复合涂层结构及其制备方法，该复合涂层结构包含：覆盖在基底上的阻挡层；及，设置在阻挡层外表面的牺牲层，其耐等离子体轰击；其中，阻挡层相比牺牲层在至少一种溶剂中耐腐蚀。本发明将保护性涂层设置为可去除可替换的牺牲层，并设置一阻挡层，通过阻挡层与牺牲层对溶剂的选择性，实现在不破坏基底的条件下牺牲层的清洗、翻新，降低维修成本；并通过设置阻挡层减少牺牲层的厚度，降低涂层结构的成本；使得先进陶瓷涂层材料在纳米以及原子蚀刻工艺的规模应用成为可能。
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公开(公告)号：CN113410113B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010187524.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理模块及前端模块，处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体，反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间，反应腔的下方设置有基座，基座上方为等离子体处理区域；前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体，洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间，洁净腔的下方设置有承载台，承载台的上方设置有风机过滤单元；进一步包括气体调节器，气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气，气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
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公开(公告)号：CN114688457B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011586160.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本发明的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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