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公开(公告)号：CN115732300A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111002601.2
申请日：2021-08-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种风冷系统及等离子体处理设备，所述风冷系统其应用于等离子体处理设备中，所述等离子体处理设备包括：反应腔，位于所述反应腔顶部的陶瓷窗，所述风冷系统包括：位于陶瓷窗上方的风扇，聚气筒，聚气筒位于风扇和陶瓷窗之间，且与陶瓷窗同中心设置，聚气筒内部中空，用于收集风扇产生的空气流并汇聚至陶瓷窗的中心区域，以对陶瓷窗的中心区域进行控温。本发明对风扇吹出的风进行了导流，集中冷却陶瓷窗的中心区域，减少了陶瓷窗内外圈的温差。
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公开(公告)号：CN114242551B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010940995.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置的进气组件，包括气体传输件以及可移动件；气体传输件内设有主干管道，其底部设有第一出气通道和包围第一出气通道的若干个第二出气通道，主干管道的内壁沿其高度设有若干个第一通孔，第一通孔与第二出气通道连通，主干管道与第一出气通道连通；可移动件设于主干管道内，可沿主干管道的内壁上下移动，且可移动件具有贯穿的第二通孔，第二通孔与外界的气体源连接。此发明解决了刻蚀气体出气分布不均匀，而导致刻蚀不均匀的问题，通过在进气组件内部设置调节装置，保证了气体源出气分布的均匀性，实现了等离子体刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN113130283B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911417654.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置及其加热器，所述加热器设置在等离子处理装置的绝缘材料窗上，加热器包括第一子加热器和第二子加热器，第一子加热器包括第一绝缘板和设置在第一绝缘板上方的第一加热丝，第二子加热器包括第二绝缘板和设置在第二绝缘板上的第二加热丝；第一加热丝与第二加热丝的形状相同且上下对准排布，第一加热丝与第二加热丝以相互串联的方式连接于加热电源，且加热电源在第一加热丝内产生的电流方向与加热电源在第二加热丝产生的电流方向相反。该加热器结构，高频磁场穿过第一加热丝产生的感应电流与穿过第二加热丝时产生的感应电流正好能够相互抵消，避免了加热器所引起的射频线圈功率损耗的问题。
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公开(公告)号：CN113013010B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911327071.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 波纹管结构、调整垂直度的方法及其等离子体处理装置。本发明涉及一种波纹管结构及其调整波纹管轴的垂直度的方法。波纹管结构包括波纹管轴、波纹管本体及调整块。波纹管本体套设波纹管轴。调整块可调整套设位置地套设波纹管轴，用于改变波纹管轴的垂直度。本发明通过调整块套设并调整波纹管轴，以达到使波纹管轴具有更好的垂直度的功效。
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公开(公告)号：CN113410113A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010187524.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理模块及前端模块，处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体，反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间，反应腔的下方设置有基座，基座上方为等离子体处理区域；前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体，洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间，洁净腔的下方设置有承载台，承载台的上方设置有风机过滤单元；进一步包括气体调节器，气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气，气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130283A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911417654.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置及其加热器，所述加热器设置在等离子处理装置的绝缘材料窗上，加热器包括第一子加热器和第二子加热器，第一子加热器包括第一绝缘板和设置在第一绝缘板上方的第一加热丝，第二子加热器包括第二绝缘板和设置在第二绝缘板上的第二加热丝；第一加热丝与第二加热丝的形状相同且上下对准排布，第一加热丝与第二加热丝以相互串联的方式连接于加热电源，且加热电源在第一加热丝内产生的电流方向与加热电源在第二加热丝产生的电流方向相反。该加热器结构，高频磁场穿过第一加热丝产生的感应电流与穿过第二加热丝时产生的感应电流正好能够相互抵消，避免了加热器所引起的射频线圈功率损耗的问题。
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公开(公告)号：CN113410113B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010187524.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理模块及前端模块，处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体，反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间，反应腔的下方设置有基座，基座上方为等离子体处理区域；前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体，洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间，洁净腔的下方设置有承载台，承载台的上方设置有风机过滤单元；进一步包括气体调节器，气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气，气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
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公开(公告)号：CN118136483A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211541358.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种异形线圈组件，包含：至少一个排布小于等于一周的子线圈，子线圈具有输入端和输出端，输入端连接高频射频功率源，输出端接地；子线圈通入射频后形成连续变化的电位，子线圈上具有至少一个电位值的绝对值为U的第一位置、至少一个电位值的绝对值为U/2的第二位置和至少一个电位值为0的第三位置；U为子线圈上的最高电位值；第二位置在第一平面的投影落在一虚拟圆周上，第一平面平行于基片所在的平面，虚拟圆周的中心轴经过基片的圆心；从第一位置至与该第一位置相邻的第三位置，子线圈的内边缘与中心轴之间的距离渐增。本发明还提供一种电感耦合等离子体处理装置及等离子体密度的调整方法。
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公开(公告)号：CN119008368A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310553750.0
申请日：2023-05-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件及其等离子体处理装置和方法，该下电极组件包含：设备板；静电吸盘，其设置于设备板的上方，静电吸盘的顶面用于承载晶圆，设备板与静电吸盘之间设置有电气元件，电气元件与设备板和静电吸盘电绝缘；直流电源，用于向电气元件提供直流电流；交流电源，用于向电气元件提供交流电流；可调节直流电源向电气元件施加的直流电流值和交流电源向电气元件施加的交流电流值，以快速调节腔内的工艺环境的影响因素。其优点是：可通过调节直流电源向电气元件施加的直流电流值和/或交流电源向电气元件施加的交流电流值，快速调节腔内的工艺环境的影响因素，有效地缩短了工艺环境转换的响应时间，还有助于提高腔内环境的调控精度。
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公开(公告)号：CN114551200B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011305453.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种绝缘窗及其控制方法、及等离子体处理装置，通过在绝缘窗上设置加热装置和半导体制冷器，实现了对绝缘窗温度的均一控制，半导体制冷器可以有效降低窗中心的温度，另外，半导体制冷器可以实现加热和冷却双重功能。
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