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公开(公告)号：WO2010090487A3
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/KR2010/000762
申请日：2010-02-08
IPC: H01L21/027 , G06F3/041 , G02B5/28
Abstract: 본 발명은 a) 기판상에 도전성 막을 형성하는 단계; b) 상기 도전성 막 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성(forming)하는 단계; 및 c) 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전성 막을 오버 에칭(over-etching)함으로써 상기 에칭 레지스트 패턴의 폭보다 작은 선폭을 갖는 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 터치스크린의 제조방법, 이에 의하여 제조된 터치스크린을 제공한다. 본 발명에 따르면, 초미세 선폭을 갖는 도전성 패턴을 포함하는 터치스크린을 효율적이고 경제적으로 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2012134174A3
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002284
申请日：2012-03-28
Abstract: 본 발명은 a) 기재， b) 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴， 및 c) 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고， 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며， 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된 암색화 패턴 을 포함하는 전도성 구조체， 이를 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법에 관한 것이 다.
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公开(公告)号：WO2011037300A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/KR2009/007003
申请日：2009-11-26
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함함으로써, 포토레지스트 박리 능력이 우수하고, 포토레지스트 하부막에 몰리브덴(Mo)을 포함시키는 경우에도 포토레지스트 하부막에 대한 부식 방지력이 우수한 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。 更具体地，根据本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物包含苯并咪唑基化合物和三唑基化合物，从而提供优异的光致抗蚀剂剥离性能，并且相对于光致抗蚀剂下膜的防腐蚀力也优异甚至 当钼（Mo）包含在光致抗蚀剂下膜中时。
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公开(公告)号：WO2012134200A3
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002338
申请日：2012-03-29
IPC: H01L51/52
Abstract: 본 발명은 유기전자소자용 기판, 그 제조 방법 및 유기전자장치에 관한 것이다. 본 발명의 예시적인 기판은, 예를 들어, 그 기판의 상부에 유기발광소자를 형성하는 경우, 상기 소자가 대면적으로 구성되는 경우에도 전극의 표면 저항을 효율적으로 조절하여, 우수한 발광 휘도 및 발광 균일도가 확보되도록 할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012091487A2
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/010308
申请日：2011-12-29
CPC classification number: H01B13/34 , G02F1/13439 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B5/00
Abstract: 본 발명은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 电极及其制造方法技术领域本发明涉及一种电极及其制造方法，其特征在于，所述电极包括具有导电图案的辅助电极和至少形成在所述辅助电极的一部分中并与辅助电极电连接的主电极。
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公开(公告)号：WO2012067444A3
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/KR2011/008802
申请日：2011-11-17
Abstract: 본 발명은 기재; 기재 위에 형성된 제1 도전층; 및 제1 도전층 위에 형성된 패턴화된 제2 도전층을 포함하며, 제2 도전층의 표면에는 산화막이 형성된 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도전층의 급격한 산화로 인한 불량 내지 기재의 파손을 방지하고, 발광 균일도를 높일 수 있다.
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公开(公告)号：WO2011065603A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/KR2009/007002
申请日：2009-11-26
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 포토레지스트 박리 능력이 우수하고, 포토레지스트 하부막에 몰리브덴(Mo)을 포함시키는 경우에도 포토레지스트 하부막에 대한 부식 방지력이 우수한 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。 更具体地说，根据本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物包含由式1表示的化合物，并且具有优异的光致抗蚀剂剥离能力，并且相对于光致抗蚀剂的下层显示出优异的抗腐蚀能力，即使下层光致抗蚀剂含有钼 （MO）。
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公开(公告)号：WO2010090488A2
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/KR2010/000763
申请日：2010-02-08
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H05K3/061 , H01L31/022425 , H05K3/0079 , H05K2203/0143 , H05K2203/1184 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 a) 기판상에 도전성 막을 형성하는 단계; b) 상기 도전성 막 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 c) 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전성 막을 오버 에칭(over-etching)함으로써 상기 에칭 레지스트 패턴의 폭보다 작은 선폭을 갖는 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법, 이에 의하여 제조된 도전성 패턴을 제공한다. 본 발명에 따르면, 초미세 선폭을 갖는 도전성 패턴을 효율적이고 경제적으로 제공할 수 있다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt;本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：a）在衬底上形成导电膜; b）在导电膜上形成抗蚀图案; 以及c）通过使用所述防蚀图案对所述导电膜进行过蚀刻，形成线宽小于所述防蚀图案的宽度的导电图案， 由此提供导电图案。 根据本发明，可以有效和经济地提供具有超细线宽的导电图案。
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公开(公告)号：WO2009125945A2
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/KR2009/001728
申请日：2009-04-03
IPC: G03F7/42
Abstract: 본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 포토레지스트 박리 능력이 우수하여 비교적 소량으로도 많은 양의 포토레지스트를 박리할 수 있고, 고온 공정 조건에도 적용 가능하며, 조성물 내 다른 성분들과 반응하지 않고, 불필요한 부산물을 발생시키지 않는 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物。 更具体地说，本发明涉及一种具有突出的光刻胶剥离能力的光致抗蚀剂剥离剂组合物，并且即使在较高的温度条件下即使在较高的温度条件下也可以使用甚至能够较大量地剥离大量的光致抗蚀剂。 不与组合物中的其他组分反应，不产生不必要的副产物。 本发明还涉及使用光致抗蚀剂剥离剂组合物的光致抗蚀剂剥离方法。
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