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公开(公告)号:JP2004022746A
公开(公告)日:2004-01-22
申请号:JP2002174598
申请日:2002-06-14
Applicant: Asia Pacific Microsystems Inc , 亞太優勢微系統股▲ふん▼有限公司
Inventor: WANG HUNG-DAR , GONG SHIH-CHIN , HUANG RUEY-SHING , TSENG CHUNG-YANG
IPC: G01B11/06 , B24B37/04 , B24B49/03 , B24B49/12 , C23F1/02 , H01L21/304 , H01L23/544
CPC classification number: B24B37/005 , H01L22/34
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of accurately and easily adjusting the thickness of two jointed wafers, while polishing the upper layer wafer, measuring the thickness of the wafers using a nondestructive method, and classifying them according to the specifications. SOLUTION: A plurality of mask patterns, with each size for inspecting the thickness of a wafer, are formed on one surface of a silicon wafer, and V-shaped trenches 210, 220, and 230 of various depths, after chemical etching for a fixed time. The residual thickness of the upper layer wafer 1 is measured, depending on the size of an aperture 212 of the V-shaped trenches 210, 220, and 230 appearing as a result of further polishing. Moreover, the wafers are classified according to applied specifications and are presented as constituent components of a microsensor device, a silicon piezometer, and an accelerometer. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
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公开(公告)号:TWI606007B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:TW104107337
申请日:2015-03-06
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS. INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 蘇漢堂 , SU, HAN-TANG , 羅國綸 , LUO GUO-LUN
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公开(公告)号:TWI571978B
公开(公告)日:2017-02-21
申请号:TW104105400
申请日:2015-02-16
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG LIN
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/562 , B06B1/0292 , B81C1/00 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L23/00 , H01L24/03 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/37599 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/37099
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公开(公告)号:TW201631713A
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:TW104105400
申请日:2015-02-16
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG LIN
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/562 , B06B1/0292 , B81C1/00 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L23/00 , H01L24/03 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/37599 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/37099
Abstract: 一種具有支撐結構的微元件的製作方法,包含以下步驟:提供一第一晶圓;形成一與該第一晶圓接合的第一結構層;形成多個至少貫穿該第一結構層的溝槽,以界定出多個結構體;及可選擇地對應至少一結構體形成一支撐結構,該支撐結構由介電材料形成且連接該結構體及該第一晶圓,以加強該結構體與該第一晶圓的接合強度。
Abstract in simplified Chinese: 一种具有支撑结构的微组件的制作方法,包含以下步骤:提供一第一晶圆;形成一与该第一晶圆接合的第一结构层;形成多个至少贯穿该第一结构层的沟槽,以界定出多个结构体;及可选择地对应至少一结构体形成一支撑结构,该支撑结构由介电材料形成且连接该结构体及该第一晶圆,以加强该结构体与该第一晶圆的接合强度。
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公开(公告)号:TWI239908B
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:TW093114763
申请日:2004-05-25
IPC: B60C
Abstract: 一種無線胎壓及胎溫監測系統,包括一裝設於輪胎鋼圈上之無線監測傳送裝置及一可供裝設於車體駕駛座內之數位接收-顯示裝置;其中,無線監測傳送裝置復包括:一壓力感應器、一溫度感應器、一連接壓力器之差動放大器、一連接溫度感應器之衰減器,一接受來自差動放大器之壓力訊號及來自衰減器之溫度訊號進行運算處理之微控制器,且透過一發送器、一過濾器將訊號經共振型天線傳輸至數位接收顯示器,以利駕駛可隨時掌握輪胎壓力溫度狀沉,又,設有一離心開關連接至微控制器,使車速高於一定範圍(例如時速10-20公里)時自動啟動監測系統,及低於該範圍值超過一定時間(例如約5分鐘)時自動關閉監測系統者。
Abstract in simplified Chinese: 一种无线胎压及胎温监测系统,包括一装设于轮胎钢圈上之无线监测发送设备及一可供装设于车体驾驶座内之数码接收-显示设备;其中,无线监测发送设备复包括:一压力感应器、一温度感应器、一连接压力器之差动放大器、一连接温度感应器之衰减器,一接受来自差动放大器之压力信号及来自衰减器之温度信号进行运算处理之单片机,且透过一发送器、一过滤器将信号经共振型天线传输至数码接收显示器,以利驾驶可随时掌握轮胎压力温度状沉,又,设有一离心开关连接至单片机,使车速高于一定范围(例如时速10-20公里)时自动启动监测系统,及低于该范围值超过一定时间(例如约5分钟)时自动关闭监测系统者。
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公开(公告)号:TW201728885A
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:TW105103218
申请日:2016-02-02
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 江政禕 , 黃煜哲
IPC: G01L9/06
CPC classification number: G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0055 , G01L9/06
Abstract: 一種微型壓阻式壓力感測器,包含一基材及一元件結構層。該基材形成有一振動空間。該元件結構層位於該基材上並具有一上表面,且於該上表面形成一與該振動空間位置相對應的凹槽並藉此形成一介於該凹槽與該振動空間之間的可振動的薄膜。該凹槽由該薄膜及一連接該薄膜與該上表面的側壁面所界定。該元件結構層還由離子植入形成一離子濃度較低的壓阻區及一離子濃度較高的導線區,其中該壓阻區從該薄膜延伸通過該側壁面至該上表面,該導線區與該壓阻區連接並分布在該上表面。
Abstract in simplified Chinese: 一种微型压阻式压力传感器,包含一基材及一组件结构层。该基材形成有一振动空间。该组件结构层位于该基材上并具有一上表面,且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜。该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定。该组件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区,其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面,该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。
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公开(公告)号:TWI583931B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW105103218
申请日:2016-02-02
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG-LIN , 江政禕 , 黃煜哲
IPC: G01L9/06
CPC classification number: G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0055 , G01L9/06
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公开(公告)号:TWI518804B
公开(公告)日:2016-01-21
申请号:TW101104710
申请日:2012-02-14
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 吳章文 , WU, ZHANG WEN , 謝哲偉 , XIE, ZHE WEI , 葉武振 , YE, WU ZHEN , 殷宏林 , YAN, HONG LIN , 郗懷威 , XI, HUAI WEI
CPC classification number: G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , G01P15/0802 , G01P15/123
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公开(公告)号:TWI531014B
公开(公告)日:2016-04-21
申请号:TW103104931
申请日:2014-02-14
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
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公开(公告)号:TW201532153A
公开(公告)日:2015-08-16
申请号:TW103104931
申请日:2014-02-14
Applicant: 亞太優勢微系統股份有限公司 , ASIA PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.
Inventor: 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
Abstract: 氣密晶圓級封裝方法包含:(a)於封蓋晶圓的第一表面形成數個環形墊及數個由各環形墊圍繞的接合墊,各接合墊內形成有一分別由一內環面所定義的凹槽;(b)於封蓋晶圓的第一表面側形成阻障層;(c)在阻障層上形成由非晶矽或非晶鍺所構成的第一接合層;(d)藉第一接合層與元件晶圓之第一表面上的圖案化第二接合層共晶接合,元件晶圓之第一表面具有一與部分圖案化第二接合層電連接的電子元件;(e)自相反於封蓋晶圓之第一表面的第二表面局部移除封蓋晶圓以定義出外表面並使各凹槽對應形成穿孔;及(f)於封蓋晶圓的外表面之各穿孔處覆蓋金屬導電層以電連接於圖案化第二接合層。
Abstract in simplified Chinese: 气密晶圆级封装方法包含:(a)于封盖晶圆的第一表面形成数个环形垫及数个由各环形垫围绕的接合垫,各接合垫内形成有一分别由一内环面所定义的凹槽;(b)于封盖晶圆的第一表面侧形成阻障层;(c)在阻障层上形成由非晶硅或非晶锗所构成的第一接合层;(d)藉第一接合层与组件晶圆之第一表面上的图案化第二接合层共晶接合,组件晶圆之第一表面具有一与部分图案化第二接合层电连接的电子组件;(e)自相反于封盖晶圆之第一表面的第二表面局部移除封盖晶圆以定义出外表面并使各凹槽对应形成穿孔;及(f)于封盖晶圆的外表面之各穿孔处覆盖金属导电层以电连接于图案化第二接合层。
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