公开(公告)号：CN102027811B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN200980117009.8

申请日：2009-05-21

Applicant: EMD株式会社 ,  安东靖典

Inventor： 江部明宪 ,  安东靖典 ,  渡边正则

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3266

Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上，设有平板状的高频天线导体(13)，使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中，高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源，另一端接地，使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来，能够降低高频天线导体的阻抗，并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。

公开(公告)号：CN103202105B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180042545.3

申请日：2011-09-09

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32477 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。

公开(公告)号：CN102349356B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080011018.1

申请日：2010-03-10

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32477 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。

公开(公告)号：CN102144044A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。

公开(公告)号：CN101971715A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980107376.X

申请日：2009-03-03

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频天线单元，其可在真空容器内产生高密度的放电等离子。本发明的高频天线单元的特征为，包括用以流动高频电流的高频天线(11)、被设置在高频天线之中位于真空容器内的部分的周围的绝缘体制作的保护管(12)、及上述高频天线(11)与上述保护管(12)之间的缓冲区域(13)。在此，“缓冲区域”表示抑制电子加速的区域，例如，可由真空或绝缘体形成。通过这种构成，因为可抑制在天线(11)及保护管(12)之间发生放电，故可在真空容器内产生高密度的放电等离子。

公开(公告)号：CN117120658A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280023215.8

申请日：2022-04-26

Applicant: EMD株式会社 ,  地方独立行政法人大阪产业技术研究所 ,  小川仓一

Inventor： 小川仓一 ,  江部明宪 ,  近藤裕佑 ,  笕芳治 ,  佐藤和郎 ,  幾原志郎 ,  岩崎伸一

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的溅镀装置(10)具备：第1靶架(111)及第2靶架(112)，它们分别保持第1靶(T1)及第2靶(T2)使所述第1靶(T1)及第2靶(T2)的表面相互对向；基板保持具(16)，其设于作为分别保持于第1靶架(111)及第2靶架(112)的第1靶(T1)及第2靶(T2)之间的区域的电浆生成区域(R)的侧方；第1主磁场生成部(121)及第2主磁场生成部(122)，它们设于第1靶架(111)及第2靶架(112)各者的背面侧，以相互相反的极对向的方式配置有磁铁，于保持于各者的第1靶(T1)及第2靶(T2)的表面分别生成第1主磁场及第2主磁场；电源，其通过对第1靶架(111)及第2靶架(112)分别赋予特定电位而于电浆生成区域(R)内生成电场；高频电磁场生成部(17)，其设于电浆生成区域(R)的隔着该电浆生成区域(R)与基板保持具(16)对向的侧方，于该电浆生成区域(16)内生成高频电磁场；及电浆原料气体导入部(15)，其将电浆原料气体导入至电浆生成区域(R)内；且于第1靶架(111)及第2靶架(112)的高频电磁场生成部(17)侧的端部不存在生成磁场的手段。

公开(公告)号：CN109479369B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201780038613.6

申请日：2017-06-16

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够在气体充分电离的状态下将等离子提供至等离子处理空间的等离子源。等离子源(10)是用于向进行使用了等离子的处理的等离子处理空间提供等离子的装置，具备：等离子生成室(11)；开口(12)，使等离子生成室(11)与等离子处理空间连通；高频天线(13)，被设置于能够将生成等离子所需要的规定强度的高频电磁场生成到等离子生成室(11)内的位置，并且是匝数小于1匝的线圈；电压施加电极(14)，被设置于等离子生成室(11)内的靠近该开口(12)的位置；和气体提供部(气体提供管)(15)，将等离子原料气体提供到等离子生成室(11)内的比等离子施加电极(14)更靠开口(12)的相反侧的位置。

公开(公告)号：CN103155103B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180037725.2

申请日：2011-08-02

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32954 ,  H01L21/465 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备：等离子体处理室(11)；与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12)；用于生成等离子体的高频天线(16)；用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17)；用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中，仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离，就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布，因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。

公开(公告)号：CN102349357B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080011245.4

申请日：2010-03-10

Applicant: EMD株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  西村荣一 ,  江部明宪

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其中，在真空容器内形成强的高频感应电场且能够使等离子体的密度分布更加均匀，并且，能够防止因颗粒的发生或高频天线的导体的溅射而引起的基体污染。本发明的等离子体处理装置(10)是基于高频放电的感应耦合方式的等离子体处理装置，其特征在于，具备：真空容器(11)、在所述真空容器(11)的壁的内面(111B)和外面(111A)之间所设置的天线配置部(12)、配置于所述天线配置部(12)的且不卷绕成圈地形成终端的一个高频天线、将所述天线配置部(12)和所述真空容器的内部(112)隔开的电介质制的分隔件(15)，所述高频天线(13)的长度比该高频波的1/4波长的长度短。

公开(公告)号：CN103155718A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201080068816.8

申请日：2010-09-06

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 江部明宪 ,  渡边正则

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652

Abstract: 本发明目的在于廉价地提供一种维护检修容易且能够稳定地供给等离子的内部天线方式的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置具备在真空容器(11)的上壁(111)上设置多个的天线单元(20)，天线单元(20)具备：从真空容器(11)的上壁(111)向真空容器(11)内凸出地设置的电介质制的框体(21)；具有将框体内的气氛向真空容器的外部排出的第二气体排出口(25)的盖(22)；以及经由馈通体(24)而固定于盖(22)且在管壁上具有气体通过孔(232)的由导体管构成的高频天线(23)。向高频天线(23)的管内供给不活泼气体，通过气体通过孔(232)而将框体(21)的内部充满，通过第二气体排出口(25)向真空容器(11)的外部排出。