公开(公告)号：WO03065420A2

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：PCT/DE0300260

申请日：2003-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FEHRER MICHAEL ,  HAHN BERTHOLD ,  HAERLE VOLKER ,  KAISER STEPHAN ,  OTTE FRANK ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： FEHRER MICHAEL ,  HAHN BERTHOLD ,  HAERLE VOLKER ,  KAISER STEPHAN ,  OTTE FRANK ,  PLOESSL ANDREAS

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/762 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor element, especially a thin-layered element. According to the invention, a semi-conductive layer is separated from a substrate by radiation from a laser beam having a plateau-shaped spatial beam profile. Additionally, the semiconductor layer is applied to a support having an adapted thermal dilatation coefficient before being separated. The invention is particularly suitable for semiconductor layers which contain a nitride-compound semiconductor.

Abstract translation: 本发明描述了一种用于制造半导体装置，特别是薄膜器件，其特征在于一个半导体层从衬底通过照射具有平台状空间束分布曲线的激光束分离的方法。 此外，半导体层被沉积在分离前的热膨胀匹配系数的载体上。 本发明特别适用于含有氮化物化合物半导体的半导体层。

公开(公告)号：WO2006034686A3

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：PCT/DE2005001684

申请日：2005-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

Inventor： PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

IPC: H01L21/285 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/76838 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: The invention relates to two methods for producing a thin-film semiconductor chip based on a III/V-III/V connection semiconductor material, said thin-film semiconductor chip being suitable for generating electromagnetic radiation. According to the first method, an series of active layers (1), capable of generating electromagnetic radiation, is applied to a growth substrate (2), the front face (12) of said series facing the growth substrate (2) and the rear face (11) facing away from the growth substrate (2). At least one dielectric layer (3) is applied to the rear face (11) of the series of active layers (1) as part of a reflective series of layers (51) and energy is applied with the aid of a laser in restricted volumetric areas (8) of the dielectric layer (3) to create at least one opening (4) facing towards the rear face (11) of the active series of layers (1). At least one metallic layer (5) is then applied as an additional part of the reflective series of layers (51) so that the opening (4) is filled with metallic material and at least one rear electrically conductive contact point (6) is configured that faces towards the rear face (11) of the active series of layers (1). A support (8) is then applied to the reflective series of layers (51) and the growth substrate (2) is removed. According to the second method, a reflective series of layers (51) is applied to the active series of layers (1) and energy is then applied with the aid of a laser in a restricted volumetric area (6) of the reflective series of layers (51) to create at least one rear electrically conductive contact point (6) facing towards the rear face (11) of the active series of layers (1).

Abstract translation: 描述了用于制造基于III / V-III / V化合物半导体材料的薄膜半导体芯片的两种方法，其中薄膜半导体芯片适于产生电磁辐射。 根据第一方法，有源层序列（1），其适于产生电磁辐射，在生长衬底（2）上，具有与生长衬底（2）表示的前侧（12）和一从生长衬底开创性（2）背面（11 ）应用。 在有源层序列的背面侧（11）（1）进一步施加至少一个电介质层（3）用激光的在介电层的限定的体积限定的区域（8）的帮助下引入的反射层序列（51）和能量的部分（3） ，从而形成到有源层序列（1）的背部（11）的至少一个开口（4）。 接着，（5）被至少施加金属层，作为反射层序列（51）的另一部分，以使所述开口（4）被填充有金属材料和至少一个后导电接触点（6）朝向所述有源层序列的后部（11） （1）形成。 之后，载体（8）中的一个安装在反射层序列（51）上并从生长衬底（2）上移除。 根据第二方法，在有源层序列的反射层序列（51）（1）被施加，然后能量引入限定的有限的体积区域（6）的反射层（51）通过激光的手段，使得至少一个后部导电接触点（ 6）朝向有源层序列（1）的后侧（11）形成。

公开(公告)号：WO2006012838A3

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/DE2005001276

申请日：2005-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN BERTHOLD ,  HAERLE VOLKER ,  KAISER STEPHAN ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： HAHN BERTHOLD ,  HAERLE VOLKER ,  KAISER STEPHAN ,  PLOESSL ANDREAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to the production of semiconductor chips (1) using thin-film technology, in which a sequence of active layers is applied to a growth substrate (3) and a structured reflective electrically conductive contact material layer (4) is subsequently configured on said sequence of layers. The sequence of active layers is then structured to form active stacks (2) of layers, in such a way that a reflective electrically conductive contact material layer (4) is present on each active stack (2) of layers. A flexible electrically conductive film (6) is then applied to the contact material layers (4) to act as an auxiliary carrier layer and the growth substrate is removed.

Abstract translation: 为生产在薄膜技术的半导体芯片（1）的有源层序列施加（3）形成在反射然后结构化的导电接触材料层（4）上在生长衬底上。 然后，对于活性层堆叠有源层序列（2）被构造成使得每个有源层堆叠（2）上的反射导电接触材料层（4）。 柔性导电膜（6）上材料的接触层（4）然后施加和生长衬底作为辅助载体层除去。

公开(公告)号：WO03025978A3

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：PCT/DE0203453

申请日：2002-09-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： PLOESSL ANDREAS

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/762 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: The invention relates to a method for separating two joined layers of material along a boundary surface. The inventive method is characterized by producing, when the layers of material are joined, on the boundary surfaces thereof and/or close to the boundary surface, a plurality of cavities that form a perforated structure between the layers of material.

Abstract translation: 一种用于分离两个方法接合材料层沿界面（4），其中在它们的界面和/或在界面附近接合的材料层当多个被空隙形成（1，2），在形成材料层之间的穿孔。

公开(公告)号：WO2008131743A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/DE2008/000715

申请日：2008-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

Inventor： ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.

Abstract translation: 它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置 （7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是 和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

公开(公告)号：WO2008131736A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/DE2008/000704

申请日：2008-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

Inventor： ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, und mit zwei auf dem Halbleiterkörper angeordneten elektrischen Kontakten (7, 8) angegeben, wobei die Kontakte elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden sind, die Kontakte jeweils eine vom Halbleiterkörper abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen, die Anschlussflächen auf einer Anschlussseite des Bauelements angeordnet sind und eine von der Anschlussseite verschiedene Seite des Bauelements verspiegelt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.

Abstract translation: 它是（1）设置有一个半导体主体（2），其具有适合于产生辐射有源区（4），和两个设置在半导体本体电接触（7,8），其中，所述触点电连接到所述的光电子器件 有源区被连接到在每种情况下一个接触面与半导体本体垫（70，80）的距离，其垫被设置在部件的一个端侧，并从部件的连接并排不同被镜像。 此外，用于制造多个这样的器件的方法中给出。

公开(公告)号：WO2007036198A3

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：PCT/DE2006001616

申请日：2006-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PLOESSL ANDREAS ,  WIRTH RALPH

Inventor： PLOESSL ANDREAS ,  WIRTH RALPH

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip which emits electromagnetic radiation from its front side (7), comprising: a semiconductor layered construction (1) with an active region (4) suited for generating electromagnetic radiation, and; a separately made TCO supporting substrate (10), which is placed on the semiconductor layered construction, has a material from the group of transparent conducting oxides (TCO) and which mechanically supports the semiconductor layered construction (1).

Abstract translation: 它的光电子半导体芯片中公开了从正面侧在操作期间电磁辐射（7），其包括发射： - （1）具有有源区（4），其适于产生所述电磁辐射的半导体层序列，以及 - 在一 半导体层序列布置分开制造TCO支撑基板（10），其包括选自由以下组成的透明导电氧化物（TCO）和半导体层序列（1）的机械辅助的组中选择的材料。

公开(公告)号：WO2006114082A2

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：PCT/DE2006000673

申请日：2006-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optical element (1, 25) having a defined shape and comprising a thermoplastic material that has been further cross-linked during or following the shaping thereof. Such thermoplastic materials have an increased heat distortion, but can be easily and economically shaped before the additional cross-linking as a result of the thermoplastic properties thereof.

Abstract translation: 它提出了一种具有特定的形状和含有热塑性，期间或成形之后，其已被进一步交联加成的光学部件（1，25）。 这样的热塑性材料具有高的耐热性，但仍然在另外的交联的前由于其热塑性特性，容易和便宜延展性。

公开(公告)号：WO2004030108A2

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：PCT/DE0303147

申请日：2003-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR JOHANNES ,  EISERT DOMINIK ,  FEHRER MICHAEL ,  HAHN BERTHOLD ,  PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

Inventor： BAUR JOHANNES ,  EISERT DOMINIK ,  FEHRER MICHAEL ,  HAHN BERTHOLD ,  PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/405

Abstract: Disclosed is a radiation-emitting semiconductor component comprising a layered structure (12) which is provided with a photon-emitting active layer (16), an n-doped cladding layer (14), and a p-doped cladding layer (18), a contact that is connected to the n-doped cladding layer (14), and a reflector layer (20) that is connected to the p-doped cladding layer (18). The inventive reflector layer (20) is formed by an alloy of silver and one or several metals of the group comprising Ru, Rh, Pd, Au, Os, Ir, Pt, Cu, Ti, Ta, and Cr.

Abstract translation: 在具有层结构（12），包括一个光子的发光有源层（16），n型掺杂包层（14）和p掺杂的包覆层（18），与所述n型掺杂的包层发射辐射的半导体部件（14） 连接接触，并与连接到反射镜层（20）p型掺杂的包覆层（18）是根据本发明的由银的与该组钌，铑，钯，金，锇的一种或多种金属的合金的反射层（20） ，铜铱，铂，形成Ti，Ta和铬。

公开(公告)号：WO02075819A3

公开(公告)日：2003-04-17

申请号：PCT/DE0200943

申请日：2002-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ULRICH JACOB ,  KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： ULRICH JACOB ,  KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor component comprising a layered structure (30) containing an active layer (32) which, when in operation, emits radiation of a spectral distribution (60), and electrical contacts (36,38,40,56) for impressing a current in the layered structure (30). Said component comprises an anti-reflection coating (34,44,54) which at least partially surrounds the active layer (32) and retains a short-wave part of the emitted radiation (60).

Abstract translation: 用含有用于施加电流到所述活性层（32）发射在操作辐射的光谱分布（60），以及电触点（36,38,40,56）的层结构（30）的辐射的半导体器件 层结构（30）具有的活性层（32）至少部分地包围涂层（34,44,54），其阻碍了所发射的辐射（60）的短波分量。