公开(公告)号：JP2015038969A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014137538

申请日：2014-07-03

Applicant: シュタイン、ウィルヘルム ,  Stein Wilhelm

Inventor： WILHELM STEIN

IPC: H01L31/0465 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/042 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】製造方法を簡素かつより効果的とした薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する【解決手段】少なくとも1つの電極2、1つの光活性層配列3、さらなる電極4からなる層を基板1に形成する工程と、複数のセグメント5,7を形成するために、形成された前記層を構造化する工程とを備え、前記構造化を行う前に少なくとも1つの電極2、光活性層配列3、さらなる電極4が形成され、形成された前記層の構造化は、少なくとも1つの電極2、光活性層配列3およびさらなる電極4を分断する分離線42を形成する工程と、さらなる電極4を電気的に分離するために、さらなる電極4と光活性層配列3とを分断するさらなる分離線40を形成する工程と、分離線42によるさらなる電極4の分断を電気的に再度閉じるために、分離線42の領域内で、導電性ペーストのストランド44または導電性の粘着ストリップ43をさらなる電極4に形成する工程とを備える。【選択図】図4B

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种简化并且更有效的薄层太阳能电池组件的制造方法。方法：该方法包括以下步骤：在基板1上形成由至少一个电极2形成的层 ，一个光活性层序列3和次电极4; 并且构造形成的层以形成多个段5和7.在结构化步骤之前，形成至少一个电极2，光活性层序列3和次级电极4，并且所形成的层的结构包括步骤 形成用于隔离至少一个电极2，光活性层序列3和次电极4的分离线42; 形成用于隔离次级电极4和光活性层序列3的次级分离线40，以便电分离次级电极4; 并且在分离线42的区域内在次级电极4中形成导电浆料或导电粘性带43的绞合线44，以便再次电隔离由于分离线42引起的二次电极4的隔离。

公开(公告)号：WO2013189932A2

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/EP2013/062633

申请日：2013-06-18

Applicant: STEIN, Wilhelm

Inventor： STEIN, Wilhelm

IPC: H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls (100) umfasst: - Bereitstellen eines Schichtstapels (101) mit einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht (102), einem Absorber (103) und einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (104) auf einem Substrat (105), und nachfolgend: - Durchtrennen der ersten Schicht (102), des Absorbers (103) und der zweiten Schicht (104) und dabei Ausbilden eines ersten Grabens (106), - Durchtrennen der zweiten Schicht (104) und des Absorbers (103), - nochmaliges Durchtrennen zumindest der zweiten Schicht (104) und dabei Ausbilden eines dritten Grabens (108), so dass der zweite Graben (107) zwischen dem ersten (106) und dem dritten (108) Graben liegt, - Auffüllen des ersten Grabens (106) mit einem elektrisch isolierenden Material (109), - Überschreiben des aufgefüllten ersten Grabens (106) und Auffüllen des zweiten Grabens (108) mit einem elektrisch leitfähigen Material (110) zur elektrischen Kontaktierung von zweiter Schicht (104) und erster Schicht (102).

Abstract translation: 一种用于制造光伏模块的方法（100），包括： - 提供具有第一导电层（102），吸收器（103）和衬底（105）上的第二导电层（104）的层堆叠（101），和 下面： - 切割通过吸收器（103）和所述第二层（104）的第一层（102），从而形成第一沟槽（106）， - 通过所述第二层（104）和吸收器（103）切割， - 再次 通过至少分离所述第二层（104），从而形成第三沟槽（108），使得所述第二沟槽（107）位于所述第一（106）和第三（108）的沟槽之间， - （106）填充所述第一沟槽 电绝缘材料（109）， - 所述填充第一沟槽（106）和填充第二沟槽（108）与导电材料（110），用于所述第二层（104）的电接触的重写，和第一 氢层（102）。

公开(公告)号：WO2013045117A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/053803

申请日：2012-03-06

Applicant: STEIN, Wilhelm

Inventor： STEIN, Wilhelm

IPC: H01L31/0392 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: Ein Fotovoltaikmodul mit einer Vielzahl von elektrisch in Reihe geschalteten Segmenten (5, 7) umfasst: einen auf einem Substrat (1) angeordneten Schichtstapel (9) mit : einer auf dem Substrat angeordneten ersten Elektrode (2), einem darauf angeordneten fotoaktiven Absorber (3), einer darauf angeordneten zweiten Elektrode (4), eine Trennlinie (31), die den Schichtstapel (9) zur Bildung der Segmente (5, 7) unterbricht, eine Mehrzahl von Kontaktierungsbereichen (6), die voneinander beabstandet entlang der Trennlinie (31) angeordnet sind und die jeweils aufweisen: eine elektrische Isolierung (30) der zweiten Elektrode (4), eine Kontaktierung (32, 33), über die die zweite Elektrode (4) elektrisch mit der ersten Elektrode (2) gekoppelt ist zur Reihenschaltung der Segmente (5, 7), ein elektrisch leitfähiges Material (32), das auf der dem Absorber (3) abgewandten Seite (10) der zweiten Elektrode (4) aufgebracht ist zur elektrischen Überbrückung der Trennlinie.

Abstract translation: 与多个电气串联连接的段的太阳能电池模块（5,7）包括： - 布置（1）层堆叠（9），其包括在衬底上一个：布置在所述衬底的第一电极（2）布置在其上的光敏吸收体（3 ），第二电极设置在其上（4），分型线（31）的层堆叠（9），用于形成所述部分（5,7）的中断，多个接触区域（6）间隔开（沿着分型线31 是所述第二电极（4）的电气绝缘（30），接触（32，33）在其上的第二电极（4）电（与第一电极2）耦合到:)的串联连接被布置中并且各自具有 施加段（5，7），面向第二电极（4）的远离（10），用于电桥接所述分型线在吸收体（3）的侧面上的导电材料（32）。

公开(公告)号：WO2006034686A3

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：PCT/DE2005001684

申请日：2005-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

Inventor： PLOESSL ANDREAS ,  STEIN WILHELM

IPC: H01L21/285 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/76838 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: The invention relates to two methods for producing a thin-film semiconductor chip based on a III/V-III/V connection semiconductor material, said thin-film semiconductor chip being suitable for generating electromagnetic radiation. According to the first method, an series of active layers (1), capable of generating electromagnetic radiation, is applied to a growth substrate (2), the front face (12) of said series facing the growth substrate (2) and the rear face (11) facing away from the growth substrate (2). At least one dielectric layer (3) is applied to the rear face (11) of the series of active layers (1) as part of a reflective series of layers (51) and energy is applied with the aid of a laser in restricted volumetric areas (8) of the dielectric layer (3) to create at least one opening (4) facing towards the rear face (11) of the active series of layers (1). At least one metallic layer (5) is then applied as an additional part of the reflective series of layers (51) so that the opening (4) is filled with metallic material and at least one rear electrically conductive contact point (6) is configured that faces towards the rear face (11) of the active series of layers (1). A support (8) is then applied to the reflective series of layers (51) and the growth substrate (2) is removed. According to the second method, a reflective series of layers (51) is applied to the active series of layers (1) and energy is then applied with the aid of a laser in a restricted volumetric area (6) of the reflective series of layers (51) to create at least one rear electrically conductive contact point (6) facing towards the rear face (11) of the active series of layers (1).

Abstract translation: 描述了用于制造基于III / V-III / V化合物半导体材料的薄膜半导体芯片的两种方法，其中薄膜半导体芯片适于产生电磁辐射。 根据第一方法，有源层序列（1），其适于产生电磁辐射，在生长衬底（2）上，具有与生长衬底（2）表示的前侧（12）和一从生长衬底开创性（2）背面（11 ）应用。 在有源层序列的背面侧（11）（1）进一步施加至少一个电介质层（3）用激光的在介电层的限定的体积限定的区域（8）的帮助下引入的反射层序列（51）和能量的部分（3） ，从而形成到有源层序列（1）的背部（11）的至少一个开口（4）。 接着，（5）被至少施加金属层，作为反射层序列（51）的另一部分，以使所述开口（4）被填充有金属材料和至少一个后导电接触点（6）朝向所述有源层序列的后部（11） （1）形成。 之后，载体（8）中的一个安装在反射层序列（51）上并从生长衬底（2）上移除。 根据第二方法，在有源层序列的反射层序列（51）（1）被施加，然后能量引入限定的有限的体积区域（6）的反射层（51）通过激光的手段，使得至少一个后部导电接触点（ 6）朝向有源层序列（1）的后侧（11）形成。

公开(公告)号：WO2005117147A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/DE2005/000753

申请日：2005-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

Inventor： ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/7605 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/42

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3) wird auf den Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine ZnO-Schicht (1) aufgebracht und anschließend bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 500 °C getempert. Die ZnO-Schicht (1) wird bevorzugt bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C auf die III-V-Halbleiterschicht (3) abgeschieden. Der Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit ist bevorzugt in einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement zwischen der aktiven Zone (4) und einem Anschlusskontakt (7) angeordnet, um die Strominjektion in die dem Anschlusskontakt (7) gegenüberliegenden Bereiche der aktiven Zone (4) zu vermindern.

Abstract translation: 在用于导电的III-V族的半导体层内产生的至少一个区域（8）具有降低的导电性的方法（3）被施加到区域（8）的半导体层（3）的ZnO层（1），然后 优选退火在温度300℃和500℃之间 ZnO层（1）优选沉积在低于150℃的温度之间，优选在25℃和120℃，包括III-V族半导体层（3）上。 具有减小的导电率的区域（8）优选地被布置在有源区（4）和一个终端（7），以将电流注入到所述连接触点之间的发射辐射的光电部件（7）的有源区的相对区域（4） 降低。

公开(公告)号：WO2004030108A3

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：PCT/DE2003/003147

申请日：2003-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Johannes ,  EISERT, Dominik ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  PLÖSSL, Andreas ,  STEIN, Wilhelm

Inventor： BAUR, Johannes ,  EISERT, Dominik ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  PLÖSSL, Andreas ,  STEIN, Wilhelm

IPC: H01L33/00

Abstract: Bei einem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur (12), die eine Photonen emittierende aktive Schicht (16), eine n-dotierte Mantelschicht (14) und eine p-dotierte Mantelschicht (18) enthält, einem mit der n-dotierten Mantelschicht (14) verbundenen Kontakt, und einer mit der p-dotierten Mantelschicht (18) verbundenen Spiegel-schicht (20), ist die Spiegelschicht (20) erfindungsgemäß durch eine Legierung von Silber mit einem oder mehreren Metallen der Gruppe Ru, Rh, Pd, Au, Os, Ir, Pt, Cu, Ti, Ta und Cr gebildet.

公开(公告)号：WO2012048916A2

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/EP2011/060334

申请日：2011-06-21

Applicant: STEIN, Wilhelm

Inventor： STEIN, Wilhelm

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/049 ,  Y02E10/50

Abstract: Ein Fotovoltaikmodul umfasst ein Substrat (1), mindestens eine Fotovoltaikzelle (2), die auf dem Substrat (1) angeordnet ist, und mindestens eine Lackschicht (7) zum Abdichten des Fotovoltaikmoduls gegenüber Umwelteinflüssen, die auf der dem Substrat (1) abgewandten Seite der Fotovoltaikzelle (2) angeordnet ist. Zur Herstellung wird die Lackschicht (7) auf die mindestens eine Fotovoltaikzelle (2) aufgebracht, um das Fotovoltaikmodul gegenüber Umwelteinflüssen abzudichten.

Abstract translation: 包括衬底（1）一种太阳能电池模块，至少一个光伏电池（2）的基板（1）被布置，并且至少一个清漆层（7），用于密封所述光伏模块对环境影响，这从基片（1）的侧面远离 光伏电池的（2）被布置。 进行生产，所述涂层（7）施加于所述至少一个光伏电池（2）以密封所述光伏模块对环境影响。

公开(公告)号：WO2005117070A3

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/DE2005000791

申请日：2005-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN WILHELM ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

Inventor： STEIN WILHELM ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/00 ,  H01S3/109 ,  H01S5/02 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

Abstract: Disclosed is a surface-emitting semiconductor laser component, especially an electrically pumped semiconductor laser component, which features emission in a vertical direction and is used for generating laser radiation by means of an external optical resonator (4,5). Said semiconductor laser component comprises a semiconductor element with a sequence (2) of semiconductor layers which is provided with a lateral main direction of extension and an active zone (3) used for generating radiation. A radiation-permeable contact layer (6) is disposed within the resonator and is connected to the semiconductor element in an electrically conducting manner.

Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示 具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

公开(公告)号：WO2013080072A2

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/IB2012/056412

申请日：2012-11-14

Applicant: ROTH & RAU AG ,  GRIMM, Michael ,  STEIN, Wilhelm ,  PLETTIG, Martin ,  CITARELLA, Giuseppe

Inventor： GRIMM, Michael ,  STEIN, Wilhelm ,  PLETTIG, Martin ,  CITARELLA, Giuseppe

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02008 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0512 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle sowie ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Solarzelle, bei welchen ein Solarzellenkern hergestellt wird, in welchem bei Lichteinfall in einer Vorderseite der Solarzelle eine Ladungstrennung und ein Ladungstransport zu einem Emitter und zu einer auf einer dem Emitter gegenüber liegenden Seite der Solarzelle befindlichen Basis vorgesehen ist; eine elektrisch leitfähige Emitter-Kontaktstruktur in Form von Kontaktfingern hergestellt wird, die in direktem elektrischen Kontakt mit dem Emitter sind; und eine lötbare metallische Emitter- Anschlussstruktur in Form von Stromschienen hergestellt wird, die in direktem elektrischen Kontakt mit der Emitter-Kontaktstruktur sind und die Kontaktfinger der Emitter-Kontaktstruktur quer verbinden; wobei Emitter und Basis auf gegenüber liegenden Seiten der Solarzelle kontaktiert werden. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine einfach aufgebaute und zuverlässig funktionierende Solarzelle der genannten Gattung sowie ein entsprechendes Solarzellenherstellungsverfahren vorzuschlagen, mit welchen Solarzellenherstellungskosten verringerbar sind. Diese Aufgabe wird durch eine Solarzelle und ein Solarzellenherstellungsverfahren der genannten Gattung gelöst, wobei die lötbare metallische Emitter-Anschlussstruktur wenigstens aus Nickel, einer Nickel-Legierung, Zinn und/oder einer Zinn-Legierung hergestellt wird und auf diese Emitter-Anschlussstruktur ein Lot oder eine mit einem Lot bedeckte, elektrisch leitfähige Bandanordnung aufgebracht wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池及其制造这样的太阳能电池，其中，太阳能电池芯制备，其中当在所述太阳能电池中，电荷分离和电荷传输的前侧的光入射到一个发射器和一个上的一个发射器相反侧的方法 是提供太阳能电池位于基座; 导电发射极接触结构在接触指，其与所述发射极直接电接触的形式制成; 并在汇流条形式的焊接的金属发射极端子结构中产生，这是在与所述发射极接触结构直接电接触，并连接发射极接触结构横向的接触指; 其中，所述发射极和基可以在太阳能电池的相反侧接触。 本发明的目的是提供上述类型的构造简单且可靠地发挥功能的太阳能电池，以及与太阳能电池的制造成本是可还原的对应的太阳能电池的制造方法。 此目的通过一种太阳能电池和上述类型的太阳能电池的制造方法，其中，所述焊接的金属发射极的至少镍，镍合金，锡和/或锡合金的端子结构中产生实现的，并且在该发射极端子结构，焊料或 覆盖有焊料，导电带组件被应用。

公开(公告)号：WO2005117070A2

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/DE2005/000791

申请日：2005-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

Inventor： STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

Abstract: Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement, insbesondere elektrisch gepumptes Halbleiterlaser-Bauelement, mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das zur Erzeugung von Laserstrahlung mittels eines externen optischen Resonators (4,5) vorgesehen ist, umfassend einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine laterale Haupterstreckungsrichtung und eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Zone (3) aufweist, wobei innerhalb des Resonators eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (6) angeordnet und mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist.

Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示 具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。