公开(公告)号：WO2003038528A1

公开(公告)日：2003-05-08

申请号：PCT/DE2002/004062

申请日：2002-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ROGALLI, Michael ,  REB, Alexander ,  VOELKEL, Lars ,  STEGEMANN, Maik

Inventor： ROGALLI, Michael ,  REB, Alexander ,  VOELKEL, Lars ,  STEGEMANN, Maik

IPC: G03F7/40

CPC classification number: H01L21/32136 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/32135

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, in welchem nach einem Belichtungsschritt mit Licht einer Wellenlänge von 193 nm und einem Entwicklungsschritt ein Ätzschritt durchgeführt wird, wobei das verwendete Ätzgas einen Zusatz eines reaktiven Monomers enthält. Dadurch wird eine Polymerisation der Oberfläche und damit eine Seitenwandpassivierung des verwendeten Photolackes erreicht.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体器件，其中，用具有193nm的波长和显影步骤的光的曝光工序之后，进行蚀刻工序中，其特征在于，所用的蚀刻气体含有的加成反应性单体的。 的表面，因此所使用的光致抗蚀剂的侧壁的特征聚合来实现的。

公开(公告)号：WO2004025714A3

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：PCT/EP0309551

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GENZ OLIVER ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  MACHILL STEFAN ,  REB ALEXANDER ,  SCHMIDT BARBARA ,  STAVREV MOMTCHIL ,  STEGEMANN MAIK ,  WEGE STEPHAN

Inventor： GENZ OLIVER ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  MACHILL STEFAN ,  REB ALEXANDER ,  SCHMIDT BARBARA ,  STAVREV MOMTCHIL ,  STEGEMANN MAIK ,  WEGE STEPHAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5).

Abstract translation: 本发明提供了一种半导体结构制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底（1）; 在所述半导体衬底（1）的表面上提供下第一掩膜层，中间第二掩膜层和上第三掩膜层（5,7,9）; 在所述上部第三掩模层（9）中形成至少第一窗口（11,11a-h）; 使用上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）图案化中间第二掩模层（7）以传递第一窗口（11,11a-h）; 使用中间第二掩模层（7）中的第一窗口（11,11a-h）构造下部第一掩模层（5）以传送第一窗口（11,11a-h）; 扩大上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）以在无掩模工艺步骤中形成第二窗口（13,13a-b）; 使用上部第三掩模层（9）中的第二窗口（13,13a-b）重构中央第二掩模层（7）以传送第二窗口（13,13a-b）; 使用图案化的下第三掩模层（5）图案化半导体衬底（1）; 使用中间第二掩模层（7）中的第二窗口（13,13a-b）重构下部第一掩模层（5）; 以及使用重构的下第三掩模层（5）重构半导体衬底（1）。

公开(公告)号：WO2004025714A2

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：PCT/EP2003/009551

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GENZ, Oliver ,  KIRCHHOFF, Markus ,  MACHILL, Stefan ,  REB, Alexander ,  SCHMIDT, Barbara ,  STAVREV, Momtchil ,  STEGEMANN, Maik ,  WEGE, Stephan

Inventor： GENZ, Oliver ,  KIRCHHOFF, Markus ,  MACHILL, Stefan ,  REB, Alexander ,  SCHMIDT, Barbara ,  STAVREV, Momtchil ,  STEGEMANN, Maik ,  WEGE, Stephan

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5).

Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体结构，包括以下步骤的方法：提供半导体衬底（1）; 提供了较低的，第一，中间和第二上部，第三掩模层（5，7，9）在半导体衬底的表面上（1）; 在上层，第三掩模层（9）中形成至少一个第一窗口（11，图11A-H）; 利用在上，第三掩模层中的第一窗口（11，图11A-H）图案化的中间，第二掩模层（7）（9）来传送所述第一窗口（11，图11A-H）; 用于发射第一窗口（11，图11A-H）结构 - 卷曲变形，通过使用在中间的第一窗口（11，图11A-H）下，第一掩模层（5），第二掩模层（7）; 在用于在无掩模的工艺步骤形成的第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9）增加第一窗口（11，图11A-H）; 重组在用于传送所述第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9），使用所述第二窗口（13，13A-B）的中间，第二掩模层（7）; 利用图案化的下部，第三掩模层的半导体衬底（1）的图案化（5）; 重组下，第一掩模使用第二窗口中的中间层（5）（13，13A-B），第二掩模层（7）; 以及使用该重组下，第三掩模层的半导体衬底（1）的重组（5）。