公开(公告)号：WO2004025714A3

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：PCT/EP0309551

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GENZ OLIVER ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  MACHILL STEFAN ,  REB ALEXANDER ,  SCHMIDT BARBARA ,  STAVREV MOMTCHIL ,  STEGEMANN MAIK ,  WEGE STEPHAN

Inventor： GENZ OLIVER ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  MACHILL STEFAN ,  REB ALEXANDER ,  SCHMIDT BARBARA ,  STAVREV MOMTCHIL ,  STEGEMANN MAIK ,  WEGE STEPHAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5).

Abstract translation: 本发明提供了一种半导体结构制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底（1）; 在所述半导体衬底（1）的表面上提供下第一掩膜层，中间第二掩膜层和上第三掩膜层（5,7,9）; 在所述上部第三掩模层（9）中形成至少第一窗口（11,11a-h）; 使用上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）图案化中间第二掩模层（7）以传递第一窗口（11,11a-h）; 使用中间第二掩模层（7）中的第一窗口（11,11a-h）构造下部第一掩模层（5）以传送第一窗口（11,11a-h）; 扩大上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）以在无掩模工艺步骤中形成第二窗口（13,13a-b）; 使用上部第三掩模层（9）中的第二窗口（13,13a-b）重构中央第二掩模层（7）以传送第二窗口（13,13a-b）; 使用图案化的下第三掩模层（5）图案化半导体衬底（1）; 使用中间第二掩模层（7）中的第二窗口（13,13a-b）重构下部第一掩模层（5）; 以及使用重构的下第三掩模层（5）重构半导体衬底（1）。

公开(公告)号：WO2004025714A2

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：PCT/EP2003/009551

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GENZ, Oliver ,  KIRCHHOFF, Markus ,  MACHILL, Stefan ,  REB, Alexander ,  SCHMIDT, Barbara ,  STAVREV, Momtchil ,  STEGEMANN, Maik ,  WEGE, Stephan

Inventor： GENZ, Oliver ,  KIRCHHOFF, Markus ,  MACHILL, Stefan ,  REB, Alexander ,  SCHMIDT, Barbara ,  STAVREV, Momtchil ,  STEGEMANN, Maik ,  WEGE, Stephan

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5).

Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体结构，包括以下步骤的方法：提供半导体衬底（1）; 提供了较低的，第一，中间和第二上部，第三掩模层（5，7，9）在半导体衬底的表面上（1）; 在上层，第三掩模层（9）中形成至少一个第一窗口（11，图11A-H）; 利用在上，第三掩模层中的第一窗口（11，图11A-H）图案化的中间，第二掩模层（7）（9）来传送所述第一窗口（11，图11A-H）; 用于发射第一窗口（11，图11A-H）结构 - 卷曲变形，通过使用在中间的第一窗口（11，图11A-H）下，第一掩模层（5），第二掩模层（7）; 在用于在无掩模的工艺步骤形成的第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9）增加第一窗口（11，图11A-H）; 重组在用于传送所述第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9），使用所述第二窗口（13，13A-B）的中间，第二掩模层（7）; 利用图案化的下部，第三掩模层的半导体衬底（1）的图案化（5）; 重组下，第一掩模使用第二窗口中的中间层（5）（13，13A-B），第二掩模层（7）; 以及使用该重组下，第三掩模层的半导体衬底（1）的重组（5）。