公开(公告)号：FR2964749A1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：FR1057334

申请日：2010-09-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  STMICROELETRONICS PVT LTD

Inventor： CHEVALLIER REMY ,  HUARD VINCENT ,  KAPOOR NEERAJ ,  FEDIERSPIEL XAVIER

IPC: G01R31/28

Abstract: Procédé et dispositif de détection d'un risque d'apparition dans un circuit intégré situé sur une puce semi-conductrice, d'un défaut résultant d'un phénomène d'électromigration, le procédé comprenant une réalisation d'au moins une structure de test résistive (3), distincte du circuit intégré, embarqué sur ladite puce et située sur au moins un niveau de métallisation du circuit intégré, et une détection dudit risque d'apparition dudit défaut effectuée au moins lors du fonctionnement du circuit intégré, et comportant une détection d'un déséquilibre de tension entre deux points de la structure de test résistive (3) électriquement alimentée.