Abstract:
Le circuit intégré comporte un amplificateur de puissance (PA) une antenne (ANT), et un réseau d'adaptation et de filtrage (MFN) comportant un étage d'alimentation en courant continu (DCFD) sur un nœud de sortie de l'amplificateur de puissance (PA), une première section (SCT1), et une deuxième section (SCT2). L'étage d'alimentation en courant continu (DCFD) et les deux sections comportent des montages inductif-capacitif « LC » configurés pour présenter une impédance adaptée à la sortie de l'amplificateur de puissance (PA) dans la bande de fréquences fondamentale. Les montages LC de l'étage d'alimentation en courant continu (DCFD) et de la première section (SCT1) sont en outre configurés pour avoir des fréquences de résonance respectivement adaptées pour atténuer des bandes de fréquences d'harmoniques de la bande de fréquences fondamentale.
Abstract:
Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur radiofréquence comportant: - au moins deux étages amplificateurs (DS, PS), - un dispositif d'adaptation d'impédance (DAI) entre deux étages amplificateurs (DS, PS) de l'amplificateur radiofréquence, le dispositif d'adaptation comprenant deux lignes (L1, L2) couplées par induction électromagnétique, une première ligne (L1) étant reliée à une sortie du premier étage amplificateur (DS) et une deuxième ligne (L2) étant reliée à une entrée du deuxième étage amplificateur (PS).
Abstract:
Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur de puissance comportant : • une succession d'au moins deux étages amplificateurs (DS, PS) comportant un premier étage amplificateur (DS) configuré pour recevoir en entrée un signal radiofréquence et un dernier étage amplificateur (PS) configuré pour délivrer en sortie un signal radiofréquence amplifié, • un circuit de sûreté comprenant : • des moyens de contrôle (CM) configurés pour comparer une tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) à une tension seuil (VTH), • des moyens de réduction (GRM) de gain configurés pour réduire une tension de polarisation d'un étage amplificateur en amont (DS) du dernier étage (PS) lorsque la tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) est supérieure à la tension seuil (VTH).
Abstract:
Le circuit intégré comporte un amplificateur de puissance (PA) destiné à fournir un signal dans une bande de fréquences fondamentale, une antenne (ANT), et un réseau d'adaptation et de filtrage (MFN) comportant: - une première section (SCT1), une deuxième section (SCT2), et une troisième section (SCT3); les trois sections comportant des montages LC configurés pour présenter une impédance adaptée à la sortie de l'amplificateur de puissance (PA) dans la bande de fréquences fondamentale, dans lequel les montages LC de la première section (SCT1) et de la deuxième section (SCT2) sont en outre configurés pour avoir des fréquences de résonance respectivement adaptées pour atténuer les bandes de fréquences d'harmoniques de la bande de fréquences fondamentale.
Abstract:
Method and transmitter circuit for communication using active load modulation in Radio Frequency Identification systems In one embodiment a method for communication using active load modulation in Radio Frequency Identification, RFID, systems comprising the following steps of receiving a carrier signal (Sc) having a carrier frequency from a reader device, generating a modulated signal (Smod), transmitting a burst of a sending signal (Sout), and decaying the sending signal (Sout) at the end of the burst. Furthermore, atransmitter circuit (T) for communication using active load modulation in RFID systems comprising an equipment (E1, E2, E3) for generating a decaying sending signal (Sout) is specified.
Abstract:
Packaged electronic device, having a C-shaped leadframe including a base section and a pair of transverse sections extending transversely to the base section. A first die and a second die have a first contact region at a first main surface and a second contact region at the second main surface; the first main surfaces of the first and the second dice are attached to a first face of the base section of the leadframe. A first lead is coupled to the second contact region of the first die and has a first external contact portion. A second lead is coupled to the second contact region of the second die and has a second external contact portion. A packaging mass surrounds the leadframe, the first lead and the second lead, embeds the first and the second dice and extends level with the base section and with the transverse sections of the leadframe as well as with the external contact portions of the leads.
Abstract:
A method manufactures a memory including at least one first phase-change memory cell, each first cell including a resistive element, a first metal layer, and a second layer made of a phase-change material, the first layer being located between the resistive element and the second layer. The method includes the forming of a level including the resistive element, the forming of a third metal layer on the level, the etching of the third layer, and then the forming of the second layer.
Abstract:
A clock signal detection circuit includes a first input that receives an always-on clock signal, and a second input that receives an activatable clock signal. A detection flip-flop circuit has a data input terminal that receives an always-high logic signal, a clock terminal that receives the always-on clock signal, a reset terminal that receives a reset signal, and a data output terminal that produces an asynchronous clock detection signal. The reset signal is asserted to reset the detection flip-flop circuit in response to the activatable clock signal being asserted, and the reset signal is de-asserted to prevent reset of the detection flip-flop circuit in response to the activatable clock signal being de-asserted. The asynchronous clock detection signal is passed to an output to provide a clock detection signal that is asserted to indicate that the activatable clock signal is absent.
Abstract:
A leadframe includes first leads and second leads, wherein each lead of the first and second leads has an upper surface. First and second silver spots are provided on the upper surface of each lead of the first and second leads. An integrated circuit die has a front surface including first and second interconnection pads. A first pillar is mounted to each first interconnection pad, and second pillar is mounted to each second interconnection pad. The integrated circuit die is mounted in flip chip orientation to the leadframe with the first pillars soldered to the first silver spots and the second pillars soldered to the second silver spots. A resin body encapsulates the integrated circuit die mounted to the leadframe.
Abstract:
Wafer level testing is performed on a wafer including integrated circuit dies, each integrated circuit die including a die pads, with each die pad covered by a protection layer. The wafer level testing includes, at a given die pad: puncturing through the protection layer with a distal end of a probe to make physical and electrical contact with the given die pad at a first location at the given die pad; performing a first electrical test of the integrated circuit die through the probe; horizontally translating after completion of the first electrical test; puncturing through the protection layer with the distal end of the probe to make physical and electrical contact with the given die pad at a second location, different from the first location, at the given die pad; and performing a second first electrical test of the integrated circuit die through the probe.