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公开(公告)号：WO2018124366A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/000636
申请日：2017-01-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/762 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：KR101925565B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020160184217
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 갈라짐 패턴을 형성함에 따라 에피층에 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 반도체 기판으로부터 에피층을 신속히 분리할 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020180079600A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184217
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 본발명은반도체기판으로부터에피층을분리하기위한것으로서, 반도체기판으로부터이종물질의에피층을분리하는방법에있어서, 상기반도체기판상에상기에피층의갈라짐배열(crack array)을결정짓는패턴을형성하는제1단계와, 상기패턴이형성된반도체기판상에에피층을성장시키는제2단계와, 상기패턴에대응하여상기에피층에갈라짐배열을형성시키는제3단계및 상기에피층의갈라짐배열에식각용액을침투시켜상기갈라짐배열을따라상기에피층에상기식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여상기반도체기판으로부터에피층을분리하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는갈라짐패턴을이용한에피층분리방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은반도체기판상에갈라짐패턴을형성함에따라에피층에식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여반도체기판으로부터에피층을신속히분리할수 있는이점이있다.
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