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公开(公告)号：WO2017069314A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2015/011349
申请日：2015-10-27
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种集中太阳能发电的方法和系统，包括以下步骤：根据太阳追踪方法通过计算太阳的黄道来调整太阳能电池板， 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。 / p>
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公开(公告)号：WO2018124366A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/000636
申请日：2017-01-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/762 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：WO2014104552A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/KR2013/009502
申请日：2013-10-24
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교 산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在半导体器件的接合区域处理缺陷的方法，包括以下步骤：通过在衬底上生长p-Ge层来沉积电极; 通过在p-Ge层上的离子注入形成n + Ge区域，或通过原位掺杂和在p-Ge层上蚀刻，或沉积氧化物层，在原位上进行图案化，蚀刻和掺杂 p-Ge层; 形成用于封盖的氧化物层; 并在600〜700℃下进行1〜3小时的热处理。 通过热处理，可以处理n + / p结的Ge缺陷，并且通过热处理加深接头可以相对降低，从而使泄漏电流最小化并提高半导体器件的性能。 此外，该方法可用于高堆叠半导体器件或制造相同的结构。
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公开(公告)号：KR101886056B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：KR1020160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/34
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180005308A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/129 , G01N25/32 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有微型加热器的传感器的方法。 在第一衬底上形成的GaN基缓冲层，在缓冲层上形成的GaN层，在GaN层上形成的AlGaN层，InAlN 一种层的选自由层和InAlGaN层组成的组中，AlGaN层，所述的InAlN层，以及源电极和漏电极形成在一种从由InAlGaN层的组中选择层和所述源电极和漏电极 该方法包括：提供具有在高电子迁移率晶体管结构之间的区域中形成的感测材料层的高电子迁移率晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 在第三基板和第三基板上形成腔体结构或微孔结构，并准备第三基板的结合; 将第一衬底与缓冲层分离; 分离第一衬底并在分离的e层上形成微型加热器; 将第三衬底键合到缓冲层，使得微型加热器在形成微型加热器结构之后定位在第三衬底的空腔结构或孔中; 并且在键合第三衬底之后将第二衬底与高电子迁移率晶体管结构分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101762907B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160036136
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/4143 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계; 상기제1 기판을분리한후 제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계; 및상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함하는, 고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 고가의기판을재활용함으로써 HEMT 구조의센서제작비용절감이가능하고, 구부러짐이가능한유연한 HEMT 구조의센서제작이가능하다.
Abstract translation: 所述第一基板，其特征在于，其中一个层被从包含第一基板的构成的缓冲层的组中选出的GaN基形成形成缓冲层，AlGaN层上，GaN层上在GaN层，的InAlN层和InAlGaN层，其中，将要形成 AlGaN层，的InAlN层，以及源电极和形成在一种层的从由InAlGaN层和高电子迁移率，其包括形成在所述源电极和所述漏电极之间的部分的检测材料层组成的组中的漏电极也 准备晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 将第一衬底与缓冲层分离; 在分离第一衬底之后将第三衬底键合到缓冲层; 接合第三衬底，然后将第二衬底从高电子迁移率晶体管结构分离。 根据本发明，通过循环昂贵衬底可以是HEMT结构的制造成本传感器，它能够制造柔性的弯曲HEMT结构的传感器是可能的。
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公开(公告)号：KR1020170075899A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185323
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴이형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴이형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及的制造方法，因此通过将第一压模通过热形成具有微结构图案到所述第一压模与聚合物基体的聚合物基体的微结构图案由双面图案制造的双面模式，和 通过将第一印模与其上印有第一图案的聚合物基材分离而在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤和在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤， 在释放聚合物基底上施加流体材料以在流体材料的下侧上形成反相降低图案的第三步骤，在施加的流体材料上形成微结构图案的第二步骤， 第四步骤，通过在第二印模的侧面上进行固化处理，在流体材料的相对侧上用第二印模的微结构图案浸渍第二印模， 第五步，在聚合物基片上分离并形成由流体材料制成的双面图案。本发明还提供了一种制造双面图案的方法和由此制造的双面图案。 本发明可以通过简单的工艺同时形成双面图案，并且可以容易地转移到不同类型的衬底或薄膜上，从而可以应用于各种领域。
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公开(公告)号：KR101711551B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR1020160084965A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR1020160053178A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管。 使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管包括彼此分离的吸收层和倍增层。 吸收层被调制成电场吸收层和掺杂吸收层的组合。 掺杂吸收层形成在电场吸收层和非吸收层之间。 掺杂吸收层包括具有比电场施加的吸收层的掺杂浓度相对低的掺杂浓度的掺杂层。 因此，由于通过在现有的吸收层中添加掺杂层来形成调制的掺杂吸附层，所以可以在保持频率特性的同时提高效率。
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