公开(公告)号：KR101698747B1

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：KR1020150093610

申请日：2015-06-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 오세웅 ,  최재혁 ,  전동환 ,  최인혜

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은실리콘기판상에화합물반도체에피층을성장하는방법에관한것으로서, 실리콘기판상에화합물반도체에피층을성장하는방법에있어서, 상기실리콘기판과화합물반도체에피층사이에탄성변형층의형성과열처리를반복적으로실시하여, 상기실리콘기판과화합물반도체에피층간의결함을억제하는것을특징으로하는실리콘기판상에결함이억제된화합물반도체에피층의성장방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판과화합물반도체에피층사이에탄성변형층의형성과열처리를반복적으로실시하여, 열처리온도를낮추고, 열처리시간을최소화하여공정시간을단축시키며, 실리콘기판과화합물반도체에피층간의계면에서나타나는결함들간의상호작용을유도함으로써, 결함을억제하여화합물반도체소자의성능을개선시키는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020170003838A

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：KR1020150093610

申请日：2015-06-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 오세웅 ,  최재혁 ,  전동환 ,  최인혜

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은실리콘기판상에화합물반도체에피층을성장하는방법에관한것으로서, 실리콘기판상에화합물반도체에피층을성장하는방법에있어서, 상기실리콘기판과화합물반도체에피층사이에탄성변형층의형성과열처리를반복적으로실시하여, 상기실리콘기판과화합물반도체에피층간의결함을억제하는것을특징으로하는실리콘기판상에결함이억제된화합물반도체에피층의성장방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판과화합물반도체에피층사이에탄성변형층의형성과열처리를반복적으로실시하여, 열처리온도를낮추고, 열처리시간을최소화하여공정시간을단축시키며, 실리콘기판과화합물반도체에피층간의계면에서나타나는결함들간의상호작용을유도함으로써, 결함을억제하여화합물반도체소자의성능을개선시키는이점이있다.

公开(公告)号：KR101594171B1

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：KR1020140072820

申请日：2014-06-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 오세웅 ,  전동환 ,  김영조 ,  황선용 ,  최인혜

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명은반도체기판상에이종반도체를에피성장함에있어서, 반도체기판상에미리패턴을형성하여에피박막의갈라짐배열이이 패턴에의해제어되도록하는것으로서, 반도체기판상에이종물질의에피박막을형성하고, 상기에피박막의갈라짐(crack)을회피하기위한방법에있어서, 상기반도체기판상에상기에피박막의갈라짐배열(crack array)을결정짓는패턴을형성하는것을특징으로하는반도체기판상에성장된에피박막의갈라짐회피방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은반도체기판상에미리패턴을형성하여에피박막의갈라짐배열이이 패턴에의해제어되도록하여, 실제로소자로동작하는부분에서는갈라짐에의한영향으로부터회피할수 있도록하거나줄일수 있도록하여소자의특성을향상시키는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020150144393A

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020140072820

申请日：2014-06-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 오세웅 ,  전동환 ,  김영조 ,  황선용 ,  최인혜

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/2003 ,  H01L21/02639

Abstract: 본발명은반도체기판상에이종반도체를에피성장함에있어서, 반도체기판상에미리패턴을형성하여에피박막의갈라짐배열이이 패턴에의해제어되도록하는것으로서, 반도체기판상에이종물질의에피박막을형성하고, 상기에피박막의갈라짐(crack)을회피하기위한방법에있어서, 상기반도체기판상에상기에피박막의갈라짐배열(crack array)을결정짓는패턴을형성하는것을특징으로하는반도체기판상에성장된에피박막의갈라짐회피방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은반도체기판상에미리패턴을형성하여에피박막의갈라짐배열이이 패턴에의해제어되도록하여, 실제로소자로동작하는부분에서는갈라짐에의한영향으로부터회피할수 있도록하거나줄일수 있도록하여소자의특성을향상시키는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过在半导体衬底上对不同种类的半导体的外延生长预先在半导体衬底上形成图案，使外延薄膜的裂纹阵列能够通过图案来控制的方法。 根据在半导体衬底上形成异质材料的外延薄膜的方法，并且为了避免外延薄膜的裂纹，本发明的技术特征是形成用于确定外延薄膜的裂纹阵列的图案 半导体衬底。 因此，本发明预先在半导体衬底上形成图案，并且能够通过图案来控制外延薄膜的裂纹阵列。 因此，可以避免或减少作为装置工作的部分中的裂纹的影响，从而提高装置的特性。