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公开(公告)号：WO2017069314A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2015/011349
申请日：2015-10-27
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种集中太阳能发电的方法和系统，包括以下步骤：根据太阳追踪方法通过计算太阳的黄道来调整太阳能电池板， 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。 / p>
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2.发明公开플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈 有权一种柔性太阳能电池的制造方法，由此制造的柔性太阳能电池以及使用该柔性太阳能电池的柔性太阳能电池模块
公开(公告)号：KR1020170113797A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036143
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에경화성수지층을형성하는제2단계와, 상기경화성수지층을패터닝하고경화하여, 홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기홀패턴내부에후면전극을형성시키는제4단계와, 상기벌크기판을제거하는제5단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제6단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을적용하여플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시킬수 있도록하였으며, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产由此制造方法的柔性太阳能电池和所述柔性太阳能电池，在形成体衬底上的半导体层的第一步骤，以及形成在半导体层上的可固化树脂层的第二步骤，上 ，图案化的第五步骤和固化该可固化树脂层，以及第三步骤，以形成具有孔图案的柔性基片，以及形成在孔图案的内部的背面电极的第四步骤中，去除所述体衬底 并且，包含该步骤6和使用该太阳能电池的柔性柔性太阳能电池模块，所述柔性太阳能电池的第一制造方法和它产生由此形成下面的技术要旨的半导体层中的前电极。 这种做发明是应用具有孔图案的柔性基板，所述柔性基板以改进电性能和热性能使用时的问题是这样可提高太阳能电池的性能，采用设置有这种孔图案的柔性基板的柔性太阳能电池 具有串联连接时要使用的模块化的，可以提供灵活的重量轻的太阳能电池或挠性重量轻的太阳能电池模块，其能够显着减轻重量能够更正背面电极连接问题的问题。
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公开(公告)号：KR101734077B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150188846
申请日：2015-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/068 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。 按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。 因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小， 因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。
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公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101419527B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120057164
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130133983A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
Abstract: The present invention relates to an optical device manufacturing method when a buffer for any of the substrates is used, the lattice defects are formed on a region where it forms a tunnel diode device degradation caused by the lattice defects gets minimized, and more particularly, the optical substrate of the present invention is formed on the substrate, and it comprises the substrate and a lattice mismatch between the lattices and a misfit dislocation, a tunnel diode which is formed on the upper part of the thin file of the tunnel including the misfit dislocation of the lattice wherein a certain region of the lattice mismatch can operate only by the resistance, a tunnel diode layer formed on the upper part of the tunnel diode, the lower electrode formed on the lower part of the substrate, and a upper electrode formed on the device layer. [Reference numerals] (130) Misfit dislocation defect;(160) Device layer;(AA,BB) Electrode
Abstract translation: 本发明涉及当使用任何基板的缓冲器时的光学器件制造方法，在形成由晶格缺陷引起的隧道二极管器件劣化的区域中形成晶格缺陷最小化，更具体地说， 本发明的光学基板形成在基板上，并且其包括基板和晶格之间的晶格失配和失配位错，形成在隧道的薄文件的上部的隧道二极管，包括失配位错 晶格失配的一定区域仅能够通过电阻工作的晶格，形成在隧道二极管的上部的隧道二极管层，形成在衬底的下部的下电极和形成在衬底的上部的上电极 设备层。 （附图标记）（130）不匹配位错缺陷;（160）装置层;（AA，BB）电极
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公开(公告)号：KR102060989B1
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：KR1020170122622
申请日：2017-09-22
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/16 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/072
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公开(公告)号：KR101429478B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130121559
申请日：2013-10-11
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell in which a photoelectric transformation cell is formed by stacking a p+ semiconductor layer and an n+ semiconductor layer in order on a substrate, a lower electrode is formed under the substrate, and an upper electrode is formed on the photoelectric transformation cell and to a solar cell manufactured by the same. The technical point of the present invention is to form a doping compensation layer between the p+ semiconductor layer and the n+ semiconductor layer of the photoelectric transformation cell by raising the temperature in an As atmosphere, waiting for a certain period of time, converting the atmosphere into a P atmosphere, and then waiting for a certain period of time. Accordingly, a p+n(or I)n+ junction Ge solar cell can be manufactured by controlling the spreading of As and P in the photoelectric transformation cell and forming the doping compensation layer, which raises the breakdown voltage and lowers the tunnel current, thereby improving the efficiency and reliability of the solar cell.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其中通过在基板上依次层叠p +半导体层和n +半导体层而形成光电转换单元，在基板的下方形成下电极， 形成在光电转换单元和由其制造的太阳能电池。 本发明的技术要点是通过在As气氛中升高温度等待一段时间，将气氛转化为空气，形成在光电转换单元的p +半导体层和n +半导体层之间的掺杂补偿层 一个P气氛，然后等待一段时间。 因此，可以通过控制光电转换单元中的As和P的扩展并形成掺杂补偿层来制造p + n（或I）n +结Ge太阳能电池，从而提高击穿电压并降低隧道电流，从而 提高太阳能电池的效率和可靠性。
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公开(公告)号：KR101960265B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020170184089
申请日：2017-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L33/06 , H01L33/50
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公开(公告)号：KR101441634B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 임의의 기판 위에 버퍼를 사용하는 경우, 격자 결함이 많이 형성되는 영역에 터널 다이오드를 형성하여 격자 결함으로 인한 소자 성능 저하를 최소화할 수 있는 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 격자 불일치 전위 영역이 저항으로만 동작하도록 상기 격자 불일치 전위를 포함하는 박막의 상부에 형성되는 터널 다이오드와, 상기 터널 다이오드 상부에 형성되는 소자층과, 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 상기 소자층 상에 형성된 상부 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
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